摘要：對幾種三相逆變器中常用的IGBT驅動專用集成電路進行了詳細的分析，對TLP250，EXB系列和M579系列進行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數和內部功能方框圖，還給出了它們的典型應用電路。討論了它們的使用要點及注意事項，對每種驅動芯片進行了IGBT的驅動實驗，通過有關的波形驗證了它們的特點，最后得出結論：IGBT驅動集成電路的發展趨勢是集過流保護、驅動信號放大功能、能夠外接電源且具有很強抗干擾能力等于一體的復合型電路。關鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護1前言電力電子變換技術的發展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發展.20世紀80年代，為了給高電壓應用環境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個MoS門極區來控制寬基區的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優越通態特性相結合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機調速系統的設計中，它是日前最為常見的一種器件。
上傳時間： 2022-06-21
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MOSFET和IGBT內部結構不同, 決定了其應用領域的不同.1, 由于MOSFET的結構, 通常它可以做到電流很大, 可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2,IGBT 可以做很大功率, 電流和電壓都可以, 就是一點頻率不是太高, 目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了. 不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十MHZ,射頻領域的產品.3, 就其應用, 根據其特點:MOSFET應用于開關電源, 鎮流器, 高頻感應加熱, 高頻逆變焊機, 通信電源等等高頻電源領域;IGBT 集中應用于焊機, 逆變器, 變頻器,電鍍電解電源, 超音頻感應加熱等領域開關電源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS ( 零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET或 IGBT 導通開關損耗的主要因素， 討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外， IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調節PNP BJT集電極基極區的少數載流子所需的時間導致了導通電壓拖尾（ voltage tail ）出現。
上傳時間： 2022-06-21
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進年來，脈沖功率裝置的使用愈來愈廣泛。由于高功率脈沖電變換器源能夠為脈沖功率裝置的負載提供能量，是構成脈沖功率裝置的主體。本文采用LT3751為核心，采用電容、電感儲能、并通過電力電子器件配合脈沖變壓器設計了反激式功率變換器電路，并通過基于LTspice進行電路瞬態分析，以得到最佳的電路模型。LTspice IV是一款高性能Spice Il仿真器、電路圖捕獲和波形觀測器，并為簡化開關穩壓器的仿真提供了改進和模型。凌力爾特（LINEAR）對Spice所做的改進使得開關穩壓器的仿真速度極快，較之標準的Spice仿真器有了大幅度的提高，并且LTspice IV帶有80%的凌力爾特開關穩壓器的Spice和Macro Model（宏模型），200多種運算放大器模型以及電阻器、晶體管和MOSFET模型，使得我們在進行電路設計仿真，特別是開關電路的設計與仿真時更加輕松。
上傳時間： 2022-06-22
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此資源為2015年全國大學生電子設計競賽雙向-DC-DC-變換器(A題)的總結報告，內含代碼及電路圖，有需要的朋友可以下載，下面是本文檔的部分摘要：由SG3525芯片產生的PWM波經三極管傳入到電路中，驅動MOSFET管，使其關斷或導通，使電壓升高或降低。同時，可由單片機監測相應信號經判斷后控制繼電器選擇放電或充電的模式使電路保持在一直正常情況下運行。當充電電壓超出限幅值時，單片機可自動斷開主電路，以保護系統安全。
標簽： 全國大學生電子設計競賽 DC-DC變換器
上傳時間： 2022-07-05
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脈寬調制(PWM)DC/DC充全橋變換器適用于中大功率變換場合，為了實現其高效率、高功率密度和高可靠性，有必要研究其軟開關技術。《脈寬調制DC/DC全橋變換器的軟開關技術（第二版）》系統闡述PWM DC/民金橋變換器的軟開關技術。系統提出DC/DC金橋變換器的一族PWM控制方式，并對這些PWM控制方式進行分析，指出為了實現PWM DC/DC全橋變換器的軟開關，必須引人超前橋臂和滯后橋臂的概念，而且超前橋臂只能實現零電壓開關(ZVS)，滯后橋臂可以實現ZVS或零電流開關(ZCS)鈕根據超前橋臂和滯后橋臀實現軟開關的方式，將軟開關PWM DC/DC全橋變換器歸納為ZVS和ZVZCS兩種類型，并討論這兩類變換器的電路拓撲、控制方式和工作原理。提出消除輸出整流二極管反向恢復引起的電壓振蕩的方法，包括加入籍位二極管與電流互感器和采用輸出倍流整流電路方法。介紹PWM DC/DC全橋變換器的主要元件，包括輸入濾波電容、高頻變壓器、輸出濾波電感和濾波電容的設計，介紹移相控制芯片UC3875的使用以及IGBT和MOSFET的驅動電路，給出一種采用ZVS PWM DC/DC全橋變換器的通訊用開關電源的設計實例。
標簽： 脈寬調制 DC/DC全橋變換器 軟開關
上傳時間： 2022-07-05
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此評估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在全橋LLC電路中的系統性能，該電路通常可用于電動汽車的快速DC充電器。 采用4L-TO247封裝的新型1000V額定器件專為SiC MOSFET設計，具有開爾文源極連接，可改善開關損耗并減少門電路中的振鈴。 它還在漏極和源極引腳之間設有一個凹口，以增加蠕變距離，以適應更高電壓的SiC MOSFET。圖1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封裝的最新Cree 1000V SiC MOSFET。該板旨在讓用戶輕松：在全橋諧振LLC電路中使用4L-TO247封裝的新型1000V，65mΩSiCMOSFET時，評估轉換器級效率和功率密度增益。檢查Vgs和Vds等波形以及振鈴的ID。
上傳時間： 2022-07-17
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NIKON尼康編碼器手冊說明書通訊協議本絕對值編碼器采用尼康獨有的M系列絕對值圖案，是能夠輸出20Bit的1圈內絕對位置信息、且能通過電池備份的計數器來獲取1脈沖/圈的增量式圖案的16Bit的多圈位置信息進行輸出的模塊式（嵌入式）３６Bit多圈絕對值。 【目次】 １． 概要 ------------------------------------------------------------------------------ ４ ２． 特長 ------------------------------------------------------------------------------ ４ ３． 基本規格 -------------------------------------------------------------------------- ４ ３．１ 分辨率 ３．２ 應答回轉速度 ３．３ 動作狀態的分類 ３．４ 串行通信機能 ４． 機械規格 -------------------------------------------------------------------------- ６ ４．１ 軸慣性力矩 ４．２ 容許回轉角加速度 ４．３ 質量 ４．４ 外觀圖 ４．５ 安裝軸規格 ５． 電氣規格 -------------------------------------------------------------------------- １０ ５．１ 絕對最大額定 ５．２ 電氣特性 ５．３ 單圈內電氣規格 ５．４ 多圈信號電氣規格 ５．５ 備份部 ６． 通信規格 -------------------------------------------------------------------------- １３ ６．１ 串行通信規格 ６．２ 幀格式 ６．３ 命令數據規格 ６．４ 編碼器數據規格 ６．５ 收發信時機 ７． 狀態標志的機能說明 ---------------------------------------------------------------- ２８ ８． 串行ＥＥＰＲＯＭ的電氣規格 -------------------------------------------------------- ２９ ９． 電源系統圖 ------------------------------------------------------------------------ ３０ １０．收發信回路（參考） ---------------------------------------------------------------- ３０ １１．輸入輸出信號 ---------------------------------------------------------------------- ３１ １２．序列號 ---------------------------------------------------------------------------- ３２ １２．１ 表示位置 １２．２ 表示項目 １３．環境條件 -------------------------------------------------------------------------- ３３ １３．１ 溫度 １３．２ 濕度 １３．３ 振動 １３．４ 沖擊 １３．５ 抗干擾性 １４．安裝順序 -------------------------------------------------------------------------- ３４ １４．１ 基礎板的安裝 １４．２ 脈沖碼盤部的安裝 １４．３ 電路板本體部的安裝 １４．４ Auto-Tuning １４．５ 機能Check、原點設定 １５．梱包規格 -------------------------------------------------------------------------- ３９ １５．１ 脈沖碼盤部 １５．２ 本體部 １５．３ 包裝箱的機種表示標簽 １６．關于故障解析 ---------------------------------------------------------------------- ４１ １７．注意事項 -------------------------------------------------------------------------- ４２ １７．１ 使用上的注意事項 １７．２ 一般注意事項
上傳時間： 2022-07-17
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該變換器由開關電橋(半橋MOSFET)、LLC諧振電路、全橋整流器和輸出濾波器(Co)組成。諧振電路由變壓器的一次漏感(Llkp)、二次漏感(Llks)、磁化電感(Lm)和電容Cr組成
上傳時間： 2022-07-28
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超聲波換能器材料
上傳時間： 2013-06-03
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調制解調器實用指南
標簽： 調制解調器
上傳時間： 2013-05-29
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