·作 者： [美]Douglas Boling 著出 版 社： 北京大學(xué)出版社出版時間： 1999-8-1字 數(shù)： 1040000版 次： 1頁 數(shù)： 746印刷時間： 1999/08/01開 本：印 次：紙 張： 膠版紙I S B N ： 9787301041864 內(nèi)容簡介我是在1996年秋MicrosoftWindows CE發(fā)行之前開始了解這個軟件的。作為
標(biāo)簽： Windows WinCE nbsp CE
上傳時間： 2013-07-09
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·作 者： 楊宗德 編著出 版 社： 北京大學(xué)出版社出版時間： 2007-9-1 字 數(shù)： 351000 版 次： 1 頁 數(shù)： 233 印刷時間： 2007/09/01 紙 張： 膠版紙 I S B N ： 9787301125304 包 裝： 平裝 內(nèi)容簡介本書是一本介紹ARM處理器原理與底層程序開發(fā)實例的教材，涉及嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、嵌入式處理器及操作系統(tǒng)基本概念、ARM處理器原理及應(yīng)
標(biāo)簽： ARM 嵌入式 系統(tǒng)原理
上傳時間： 2013-06-19
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·作 者： 袁任光 I S B N： 7111144716 頁 數(shù)： 676 開 本： 32開 重 量： 460克 封面形式： 簡裝本 出 版 社： 機械工業(yè)出版社 本社特價書 出版日期： 2004-7-1 定 價： 30元
上傳時間： 2013-07-05
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·作 者： 三菱電機株式會社 I S B N： 7118019917 頁 數(shù)： 176 開 本： 大16開 封面形式： 簡裝本 出 版 社： 國防工業(yè)出版社 本社特價書 出版日期： 2001-7-1 定 價： 40元 變頻器原理與應(yīng)用教程 內(nèi)容簡介本書
標(biāo)簽： 變頻器原理 應(yīng)用教程
上傳時間： 2013-08-01
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M AT L A B是一個可視化的計算程序，被廣泛地使用于從個人計算機到超級計算機范圍內(nèi) 的各種計算機上。 M AT L A B包括命令控制、可編程，有上百個預(yù)先定義好的命令和函數(shù)。這些函數(shù)能通過 用戶自定義函數(shù)進一步擴展。 M AT L A B有許多強有力的命令。例如， M AT L A B能夠用一個單一的命令求解線性系統(tǒng)， 能完成大量的高級矩陣處理。 M AT L A B有強有力的二維、三維圖形工具。 M AT L A B能與其他程序一起使用。例如， M AT L A B的圖形功能，可以在一個 F O RT R A N 程序中完成可視化計
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時間： 2013-10-21
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
上傳時間： 2014-12-24
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假定從8位AD中讀取數(shù)據(jù)（如果是更高位的AD可定義數(shù)據(jù)類型為int),子程序為get_ad(); 1、限幅濾波法（又稱程序判斷濾波法） A、方法： 根據(jù)經(jīng)驗判斷，確定兩次采樣允許的最大偏差值（設(shè)為A） 每次檢測到新值時判斷： 如果本次值與上次值之差<=A,則本次值有效 如果本次值與上次值之差>A,則本次值無效,放棄本次值,用上次值代替本次值 B、優(yōu)點： 能有效克服因偶然因素引起的脈沖干擾 C、缺點 無法抑制那種周期性的干擾 平滑度差 /* A值可根據(jù)實際情況調(diào)整 value為有效值，new_value為當(dāng)前采樣值 濾波程序返回有效的實際值 */ #define A 10 char value; char filter() { char new_value; new_value = get_ad(); if ( ( new_value - value > A ) || ( value - new_value > A ) return value; return new_value; } 2、中位值濾波法 A、方法： 連續(xù)采樣N次（N取奇數(shù)） 把N次采樣值按大小排列 取中間值為本次有效值 B、優(yōu)點： 能有效克服因偶然因素引起的波動干擾 對溫度、液位的變化緩慢的被測參數(shù)有良好的濾波效果 C、缺點： 對流量、速度等快速變化的參數(shù)不宜 /* N值可根據(jù)實際情況調(diào)整 排序采用冒泡法*/
上傳時間： 2014-12-26
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解答部分 PIC單片機指令的執(zhí)行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結(jié)構(gòu)的原則，充分利用了計算機系統(tǒng)在程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器之間地址空間的相互獨立性，取指過程和執(zhí)行指令過程可以流水線操作同時進行。因此，當(dāng)PIC時鐘頻率為4MHZ時，執(zhí)行一條非轉(zhuǎn)移類指令需要4個系統(tǒng)時鐘周期，即1us,但其指令執(zhí)行的真實時間應(yīng)為2us(在執(zhí)行n—1條指令時取第n條指令，然后執(zhí)行第n條指令)。所以選項B正確.
上傳時間： 2013-12-10
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PIC 單片機的組成習(xí)題解答 解答部分1. PIC 單片機指令的執(zhí)行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結(jié)構(gòu)的原則，充分利用了計算機系統(tǒng)在程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器之間地址空間的相互獨立性，取指過程和執(zhí)行指令過程可以流水線操作同時進行。因此，當(dāng)PIC 時鐘頻率為4MHZ時，執(zhí)行一條非轉(zhuǎn)移類指令需要4 個系統(tǒng)時鐘周期，即1us,但其指令執(zhí)行的真實時間應(yīng)為2us(在執(zhí)行n—1 條指令時取第n 條指令，然后執(zhí)行第n 條指令)。所以選項B 正確2. 端口RE 共有3 個引腳RE0~RE2，它們除了用做普通I/O 引腳和第5~7 路模擬信號輸入引腳外，還依次分別承擔(dān)并行口讀出/寫入/片選控制端引腳。A． 對。讀出/寫入（REO~RE1）。B．錯。同步串行的相關(guān)引腳與端口C 有關(guān)。C．錯。通用異步/同步串行的相關(guān)引腳與端口C有關(guān)。D． 錯。CCP模塊的相關(guān)引腳也是與端口C有關(guān)。所以選項A正確。3. 上電延時電路能提供一個固定的72ms 上電延時，從而使VDD有足夠的時間上繁榮昌盛到單片機合適的工作電壓。所以選項B 正確。
上傳時間： 2013-11-09
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