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  • CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

    對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu), Rdson與BV存在矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對于一個PN結(jié),耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body--N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面(a圖的A結(jié)),電場強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

    標(biāo)簽: CoolMos 制造

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • ADI處理器實用叢書-高速設(shè)計技術(shù)

    本書內(nèi)容包括三大部分:第1 部分從運(yùn)算放大器的基本概念和理論出發(fā),重點(diǎn)介紹了運(yùn)算放大器的原理與設(shè)計,以及在各種電子系統(tǒng)中的應(yīng)用,包括視頻應(yīng)用、RF/IF 子系統(tǒng)(乘法器、調(diào)制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應(yīng)用、高速DAC 及其應(yīng)用、以及DDS 系統(tǒng)與接收機(jī)子系統(tǒng)等;第3 部分介紹了有關(guān)高速硬件設(shè)計技術(shù),如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地,以及EMI 與RFI設(shè)計考慮等。   書中內(nèi)容既有完整的理論分析,又有具體的實際應(yīng)用電路,還包括許多應(yīng)用技巧。特別適合電子電路與系統(tǒng)設(shè)計工程師、高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀。

    標(biāo)簽: ADI 處理器 高速設(shè)計

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:qitiand

  • 寬帶低相噪高分辨率頻率合成器設(shè)計

    利用鎖相環(huán)(PLL)和YTO相結(jié)合,設(shè)計出一種頻率合成器。實現(xiàn)了3~7 GHz的頻率覆蓋和低于0.2 Hz的頻率分辨率。全頻段相噪均在-108 dBc/Hz@10 kHz以下,具有較高的實用價值。

    標(biāo)簽: 寬帶 高分辨率 頻率合成器

    上傳時間: 2013-10-31

    上傳用戶:258彼岸

  • USB接口EMC設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)電路

    USB接口EMC設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)電路:

    標(biāo)簽: USB EMC 接口 設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)

    上傳時間: 2014-08-08

    上傳用戶:dyctj

  • ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器有效位計算

    將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號后再進(jìn)行處理,是當(dāng)前信號處理普遍使用的方法,模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)就是將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的器件,所以計算其有效轉(zhuǎn)換位數(shù)對系統(tǒng)性能評估就顯得尤為重要。文中結(jié)合項目工程實踐,討論了ADC有效轉(zhuǎn)換位數(shù)的兩種測試方法:噪聲測試法和信噪比測試法,并對兩種方法進(jìn)行了仿真與分析。

    標(biāo)簽: ADC 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 計算

    上傳時間: 2013-12-17

    上傳用戶:1184599859

  • Ku波段30W固態(tài)功率放大器

    本文敘述了研制的應(yīng)用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構(gòu)成和關(guān)鍵部分的設(shè)計,包括功率合成網(wǎng)絡(luò)、微帶.波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計;功率合成電路的設(shè)計,特別是波導(dǎo)魔T的優(yōu)化設(shè)計。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為:中心頻率14.25GHz,帶寬500MHz,P.1dB輸出功率30W,大信號增益45dB,帶內(nèi)波動小于5dB。

    標(biāo)簽: 30W Ku波段 固態(tài)功率 放大器

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:robter

  • RF前置放大電路基礎(chǔ)知識

      RF前置放大電路即讀取光碟片射頻信號的放大電路.其放大電路性能的好壞會直接影響到DVD-ROM產(chǎn)品性能的好壞.其主要功能如下:   (1)對鐳射二極體供電進(jìn)行控制.并產(chǎn)生參考   電壓.   (2)對從光感檢測器輸出的微弱電流信號轉(zhuǎn)成   電壓信號進(jìn)行放大處理.

    標(biāo)簽: 前置放大電路 基礎(chǔ)知識

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:linlin

  • 慣性平臺防倒臺保護(hù)電路方案

    闡述了平臺產(chǎn)生倒臺的基本原理和某型慣性平臺的測角原理,提出了防倒臺保護(hù)電路的設(shè)計思想,針對慣性平臺倒臺導(dǎo)致的嚴(yán)重后果,給出了具體的設(shè)計過程,實驗驗證了保護(hù)電路的有效性。

    標(biāo)簽: 保護(hù)電路 方案

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:181992417

  • 強(qiáng)電磁脈沖激勵對良導(dǎo)體的透射

    計算了理想脈沖平面電磁波的穿透幅度衰減因子,并分析了理想脈沖電磁波和簡諧電磁波的幅度衰減因子,根據(jù)幅度衰減因子相同的原則,給出了理想脈沖電磁波的簡諧電磁波等效頻率,為電磁屏蔽防護(hù)技術(shù)提供設(shè)計理論參考。

    標(biāo)簽: 電磁脈沖 激勵 導(dǎo)體 透射

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:邶刖

  • 用于硅半導(dǎo)體探測器的電荷靈敏放大器的研制

      氛及其子體的能譜測量中常用到鈍化離子注人硅探測器或金硅面壘探測器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導(dǎo)體探測器的電荷靈敏放大器的實例,它由電荷靈敏級和電壓放大級構(gòu)成。給出了它的設(shè)計思想和調(diào)試過程。介紹了測試手段并測試了它的技術(shù)指標(biāo),說明了應(yīng)用場合。

    標(biāo)簽: 硅半導(dǎo)體 探測器 電荷靈敏 放大器

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:hphh

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