設(shè)計(jì)了一種新型的機(jī)載過壓保護(hù)電路。該電路以芯片LT4356和APL502L為主要器件，簡(jiǎn)單可靠，能夠滿足防80 V/50 ms浪涌電壓要求。介紹了該防浪涌電壓保護(hù)電路主要特點(diǎn)和參數(shù)設(shè)計(jì)，并對(duì)該電路進(jìn)行了仿真分析。相應(yīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路是一種可靠有效的機(jī)載過壓保護(hù)電路。
標(biāo)簽： 機(jī)載 保護(hù) 防浪涌 電壓
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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為了推進(jìn)光伏發(fā)電技術(shù)應(yīng)用到居民家居生活中，提出了一套適用于家用小功率電器工作的光伏逆變系統(tǒng)。系統(tǒng)采用意法半導(dǎo)體公司的STM32F103VC作為控制系統(tǒng)的核心，運(yùn)用軟件方式產(chǎn)生SPWM波。逆變主拓?fù)浠芈凡捎脙杉?jí)全橋變換器，中間環(huán)節(jié)配合高頻變壓器升壓。與傳統(tǒng)的逆變器設(shè)計(jì)思路不同，前級(jí)全橋變換器采用SPWM波控制實(shí)現(xiàn)逆變?nèi)〈酝愣}寬PWM控制，后級(jí)變換器作為頻率50 Hz翻轉(zhuǎn)開關(guān)來重構(gòu)正弦波。該系統(tǒng)可將太陽能電池板輸出的12 V電壓轉(zhuǎn)換為適用于家用電器工作的220 V/50 Hz交流電。
標(biāo)簽： F103 STM 103 32F
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：lingfei
電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí)，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：wangjin2945
IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片，它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求，同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT，只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng)，通過dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)和逆變的功能，同時(shí)只需要提供3.3 V，12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作，在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目，降低了產(chǎn)品成本，提高了系統(tǒng)可靠性。
標(biāo)簽： 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片 光伏逆變電路
上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：tom_man2008
介紹目前使用單片機(jī)進(jìn)行移動(dòng)電源輸出控制，電量顯示。內(nèi)有流程圖，項(xiàng)目規(guī)劃。
標(biāo)簽： RISC 單片機(jī)設(shè)計(jì) 移動(dòng)電源
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：集美慧
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難，改善單電源供電的可靠性，設(shè)計(jì)并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個(gè)額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片，通過程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓，使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動(dòng)，進(jìn)而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實(shí)時(shí)分配各DC/DC模塊的輸出電流，軟件采用PI算法。試驗(yàn)表明，系統(tǒng)滿載效率高于80.23%，電流分配誤差最大為1.54%；電源輸出在1 s內(nèi)快速達(dá)到穩(wěn)態(tài)；系統(tǒng)以4.5 A為閾值實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)和自恢復(fù)功能。
標(biāo)簽： 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶：王慶才
利用RC高通電路的思想，針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度，而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過程中，系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明：整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在電源電壓為1.8 V，輸出電壓為1.3 V的情況下，當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí)，其建立時(shí)間由原來的和28 μs減少到8 μs；而在負(fù)載電流為100 mA的條件下，電源電壓在10 ns內(nèi)，由1.8 V跳變到2.3 V時(shí)，輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。
標(biāo)簽： LDO 無片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-12-20
上傳用戶：niumeng16
為了提高現(xiàn)有路燈的供電效率，開發(fā)設(shè)計(jì)了單燈恒流的供電模式，在每個(gè)路燈上安裝一個(gè)體積很小的的恒流源，以保障給LED燈提供穩(wěn)定、高效的恒流供電。在恒流源模塊中，恒流源芯片HV9910B可以實(shí)現(xiàn)了高于70 V的電壓的輸入，在不同的輸入電壓下，恒流源芯片工作在恒定關(guān)斷模式下，控制輸出BUCK電路中的開關(guān)MOSE的占空比，以輸出恒定2.2 A的電流，LED燈串聯(lián)起來作為負(fù)載，效率達(dá)到了91%以上。
標(biāo)簽： 高電壓 輸入 大電流 恒流源
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：yczrl
AD7280A菊花鏈從它監(jiān)控的電池單元獲得電源。ADuM5401集成一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器，用于向ADuM1201的高壓端供電，向AD7280A SPI接口提供VDRIVE電源，以及向AD7280A菊花鏈電路提供關(guān)斷信號(hào)。如果BMS低壓端的+5 V電源被拉低，則隔離器和AD7280A菊花鏈關(guān)斷。同樣，如果來自BMC的PD信號(hào)變?yōu)榈碗娖剑ㄟ^ADG849開關(guān)路由的ADuM5401低壓電源將被拉低，這也會(huì)使隔離器和AD7280A菊花鏈發(fā)生硬件關(guān)斷。
標(biāo)簽： 集成信號(hào) 電源隔離 鋰離子電池組 監(jiān)控器
上傳時(shí)間： 2013-12-14
上傳用戶：D&L37
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