SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文
SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文...
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論文仿真原型程序,仿真四種(ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC) Vblast接收的檢測性能,繪制誤比特率~信噪比曲線。 發端初始化=========================...
Cree公司生產的SiC MOSFET器件,型號C2M00802012D,在應用器件前需要進行雙脈沖實驗,實驗中用到的主電路原理圖(包括PCB文件),驅動和測試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是G...
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構,進一步降低了導通電阻;同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝,改...
該文檔為SiC功率半導體器件發展歷程、優勢和發展前景概述文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………...
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基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 分享一個基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 Demo...
半導體云講堂——寬禁帶半導體(GaN、SiC)材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材...
本應用筆記詳細記載了關于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊,面向各種應用,SiC器件的優勢和使用上的注意點,從初次接觸SiC器件到熟知產品的各位,都可以得到應用和幫助...
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