目錄 目錄 1 快捷鍵 2 常用元件及封裝 7 創建自己的集成庫 12 板層介紹 14 過孔 15 生成BOM清單 16 頂層原理圖: 16 生成PCB 17 包地 18 電路板設計規則 18 PCB設計注意事項 20 畫板心得 22 DRC 規則英文對照 22 一、Error Reporting 中英文對照 22 A ： Violations Associated with Buses 有關總線電氣錯誤的各類型（共 12 項） 22 B ：Violations Associated Components 有關元件符號電氣錯誤（共 20 項） 22 C ： violations associated with document 相關的文檔電氣錯誤（共 10 項） 23 D ： violations associated with nets 有關網絡電氣錯誤（共 19 項） 23 E ： Violations associated with others 有關原理圖的各種類型的錯誤 (3 項 ) 24 二、 Comparator 規則比較 24 A ： Differences associated with components 原理圖和 PCB 上有關的不同 ( 共 16 項 ) 24 B ： Differences associated with nets 原理圖和 PCB 上有關網絡不同（共 6 項） 25 C ： Differences associated with parameters 原理圖和 PCB 上有關的參數不同（共 3 項） 25 Violations Associated withBuses欄 —總線電氣錯誤類型 25 Violations Associated with Components欄 ——元件電氣錯誤類型 26 Violations Associated with documents欄 —文檔電氣連接錯誤類型 27 Violations Associated with Nets欄 ——網絡電氣連接錯誤類型 27 Violations Associated with Parameters欄 ——參數錯誤類型 28
上傳時間： 2014-03-26
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產品設計越來越趨向小型化，功能多樣化，并對 SI，EMC 設計要求更為苛刻（如產品需認證SISPR16 CALSS B），根據單板的電源、地的種類、信號密度、板級工作頻率、有特殊布線要求的信號數量，適當增加地平面是PCB 的EMC 設計的殺手锏之一。單面板，雙面板已不能夠滿足復雜PCB 的設計要求，本文以四層板舉例，講述四層板的設置和相關的一些設計技巧，文中的有些觀點，建議因為水平有限，錯誤之處在所難免，還望大家不斷批評、指正。
上傳時間： 2013-10-17
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1) 全數字化設計，交流采樣，人機界面采用大屏幕點陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實時顯示A、B、C各相功率因數、電壓、電流、有功功率、無功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態、報警等信息。 3) 設置參數中文提示，數字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補償、分相補償、混合補償方案，可通過菜單操作進行設置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手動補償/自動補償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口（+12V），動態響應優于20MS。 8) 取樣物理量為無功功率，具有諧波測量及保護功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口，MODBUS標準現場總線協議，方便接入低壓配電系統。
上傳時間： 2013-11-09
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? 計算方法： 1) A值（相位）的計算：根據設置的相位值D（單位為度，0度-360度可設置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最終值； 2) B偏移量值的計算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的計算：按C=VPP/20V*4095；
上傳時間： 2013-11-18
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目前，被廣泛使用的經典邊緣檢測算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。這些算子的核心思想是圖像的邊緣點是相對應于圖像灰度值梯度的局部極大值點。然而，當圖像中含有噪聲時這些算子對噪聲都比較敏感，使得將噪聲作為邊緣點。由于噪聲的干擾，不能檢測出真正的邊緣。一個擁有良好屬性的的邊緣檢測算法是每個研究者的追求。利用小波交換的特點，設計了三次B樣條平滑濾波算子。通過利用這個算子，對利用小波變換來檢測圖像的邊緣進行了一定的研究和理解。
上傳時間： 2013-10-13
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為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
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定點乘法器設計(中文) 運算符： + 對其兩邊的數據作加法操作; A + B - 從左邊的數據中減去右邊的數據; A - B - 對跟在其后的數據作取補操作，即用0減去跟在其后的數據; - B * 對其兩邊的數據作乘法操作; A * B & 對其兩邊的數據按位作與操作; A & B # 對其兩邊的數據按位作或操作; A # B @ 對其兩邊的數據按位作異或操作; A @ B ~ 對跟在其后的數據作按位取反操作; ~ B << 以右邊的數據為移位量將左邊的數據左移; A << B $ 將其兩邊的數據按從左至右順序拼接; A $ B
上傳時間： 2013-12-17
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第一章 基 礎 知 識由電阻、電容、電感等集中參數元件組成的電路稱為集中電路。1.1 電路與電路模型1.2 電路分析的基本變量1.3 電阻元件和獨立電源元件1.4 基爾霍夫定律1.5 受 控 源1.6 兩類約束和KCL，KVL方程的獨立性1.1 電路與電路模型1.電路2.電路的形式與功能 電路的功能基本上可以分成兩大類。一類是用來實現電能的轉換、傳輸和分配。電路的另一類功能則是在信息網絡中，用來傳遞、儲存、加工和處理各種電信號。 圖1-2所示的是通信網的基本組成框圖。通常把輸入電路的信號稱為激勵，而把經過電路傳輸或處理后的信號稱為響應。 3.電路模型與集中電路 構成電路的設備和器件統稱為電路部件，常用的電路部件有電池、發電機、信號發生器、電阻器、電容器、電感線圈、變壓器、晶體管及集成電路等。 基本的電路參數有3個，即電阻、電容和電感。 基本的集中參數元件有電阻元件、電感元件和電容元件，分別用圖1-3(a)，(b)和(c)來表示。
上傳時間： 2013-10-20
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三極管代換手冊下載 前言 使用說明 三極管對照表 A B C D E F G H K L M …… 外形與管腳排列圖
上傳時間： 2013-10-24
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在高速數字電路飛速發展的今天，信號的頻率不斷提高, 信號完整性設計在P C B設計中顯得日益重要。其中由于傳輸線效應所引起的信號反射問題是信號完整性的一個重要方面。本文研究分析了高速PCB 設計中的反射問題的產生原因，并利用HyperLynx 軟件進行了仿真，最后提出了相應的解決方法。
上傳時間： 2013-10-16
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