BC20-TE-B NB-Iot 評(píng)估板評(píng)估板原廠原理圖V1.2。完整對(duì)應(yīng)實(shí)物裝置。
上傳時(shí)間： 2022-06-17
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ASR M08-B設(shè)置軟件 V3.2 arduino 2560+ASRM08-B測(cè)試程序 arduino UNO+ASRM08-B測(cè)試程序語音控制臺(tái)燈電路圖及C51源碼(不帶校驗(yàn)碼) 繼電器模塊設(shè)置。 ASR M08-B是一款語音識(shí)別模塊。首先對(duì)模塊添加一些關(guān)鍵字，對(duì)著該模塊說出關(guān)鍵字，串口會(huì)返回三位的數(shù)，如果是返回特定的三位數(shù)字，還會(huì)引起ASR M08-B的相關(guān)引腳電平的變化。【測(cè)試】①打開“ASR M08-B設(shè)置軟件 V3.2.exe”。②選擇“串口號(hào)”、“打開串口”、點(diǎn)選“十六進(jìn)制顯示”。③將USB轉(zhuǎn)串口模塊連接到語音識(shí)別模塊上。接線方法如下：語音模塊TXD --> USB模塊RXD語音模塊RXD --> USB模塊TXD語音模塊GND --> USB模塊GND語音模塊3V3 --> USB模塊3V3（此端為3.3V電源供電端。）④將模塊的開關(guān)撥到“A”端，最好再按一次上面的大按鈕（按一次即可，為了確保模塊工作在正確的模式）。⑤對(duì)著模塊說“開燈”、“關(guān)燈”模塊會(huì)返回“0B”、“0A”，表示正常(注意：0B對(duì)應(yīng)返回值010，0B對(duì)應(yīng)返回值010，返回是16進(jìn)制顯示的嘛，設(shè)置的時(shí)候是10進(jìn)制設(shè)置的)。
標(biāo)簽： ASR M08-B
上傳時(shí)間： 2022-07-06
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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關(guān)于PCB封裝的資料收集整理. 大的來說,元件有插裝和貼裝.零件封裝是指實(shí)際零件焊接到電路板時(shí)所指示的外觀和焊點(diǎn)的位置。是純粹的空間概念.因此不同的元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻，有傳統(tǒng)的針插式，這種元件體積較大，電路板必須鉆孔才能安置元件，完成鉆孔后，插入元件，再過錫爐或噴錫（也可手焊），成本較高，較新的設(shè)計(jì)都是采用體積小的表面貼片式元件（SMD）這種元件不必鉆孔，用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在電路板上了。晶體管是我們常用的的元件之一，在DEVICE。LIB庫中，簡簡單單的只有NPN與PNP之分，但實(shí)際上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5，而學(xué)用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，還有TO-5，TO-46，TO-52等等，千變?nèi)f化。還有一個(gè)就是電阻，在DEVICE 庫中，它也是簡單地把它們稱為RES1 和RES2，不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣，對(duì)電路板而言，它與歐姆數(shù)根本不相關(guān)，完全是按該電阻的功率數(shù)來決定的我們選用的1/4W 和甚至1/2W 的電阻，都可以用AXIAL0.3 元件封裝，而功率數(shù)大一點(diǎn)的話，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現(xiàn)將常用的元件封裝整理如下：電阻類及無極性雙端元件：AXIAL0.3-AXIAL1.0無極性電容：RAD0.1-RAD0.4有極性電容：RB.2/.4-RB.5/1.0二極管：DIODE0.4及DIODE0.7石英晶體振蕩器：XTAL1晶體管、FET、UJT：TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻（POT1、POT2）：VR1-VR5這些常用的元件封裝，大家最好能把它背下來，這些元件封裝，大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3，AXIAL 翻譯成中文就是軸狀的，0.3 則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil（因?yàn)樵陔姍C(jī)領(lǐng)域里，是以英制單位為主的。同樣的，對(duì)于無極性的電容，RAD0.1-RAD0.4也是一樣；對(duì)有極性的電容如電解電容，其封裝為RB.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”為焊盤間距，“.4”為電容圓筒的外徑。對(duì)于晶體管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶體管，就用TO—3，中功率的晶體管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金屬殼的，就用TO-66，小功率的晶體管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管腳也長，彎一下也可以。對(duì)于常用的集成IC電路，有DIPxx，就是雙列直插的元件封裝，DIP8就是雙排，每排有4個(gè)引腳，兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx 就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻，它們的包裝才是最令人頭痛的，同樣的包裝，其管腳可不一定一樣。例如，對(duì)于TO-92B之類的包裝，通常是1 腳為E（發(fā)射極），而2 腳有可能是B 極（基極），也可能是C（集電極）；同樣的，3腳有可能是C，也有可能是B，具體是那個(gè)，只有拿到了元件才能確定。因此，電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱（管腳名稱），同樣的，場(chǎng)效應(yīng)管，MOS 管也可以用跟晶體管一樣的封裝，它可以通用于三個(gè)引腳的元件。Q1-B，在PCB 里，加載這種網(wǎng)絡(luò)表的時(shí)候，就會(huì)找不到節(jié)點(diǎn)（對(duì)不上）。在可變電阻
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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<h2>原理圖schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）兩種nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示襯底（B）和源極（S）相連。mos和mos4能調(diào)整的屬性不同，如圖：本例中要設(shè)置mos管的W-0.18u，L=0.18u，選用nmos4和pmos4.<h3>布線<h3>如圖1，其中，mos管Gate靠近的那一極好像是 Source，所以PMOS要ctrl+R，ctrl+R，Ctr+.2，注意加電路名稱，功能（如果需要），參數(shù)設(shè)定。<h2>封裝<h2>電路設(shè)計(jì)采用層次化的方式，為了上層電路的調(diào)用，往往把底層的電路做好后進(jìn)行封裝，其實(shí)進(jìn)行封裝不僅有利于上層電路調(diào)用，還有利于測(cè)試。建一個(gè)New Symbol，該Symbol里的pin的名稱必須和封裝電路中的一樣。ctrl + A（Attribute Editor中Symbol Type選Block，其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意：令.asy和.asc文件命名相同，并放在一個(gè)文件夾下即可，不需特別關(guān)聯(lián)。
上傳時(shí)間： 2022-06-27
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三極管,MOS管 樣本
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-06-13
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實(shí)用晶閘管電路大全 SCR,MOS,GTR,IGBT應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-06-08
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MOS運(yùn)算放大器-原理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用
標(biāo)簽： MOS 運(yùn)算放大器
上傳時(shí)間： 2013-07-17
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專輯類----元器件樣本專輯 三極管,MOS管-樣本-150M.rar
上傳時(shí)間： 2013-06-17
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