為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
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看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2014-12-23
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由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其優點是：用它做開關電源，無需加散熱器，在通用電網即可輸出20～50W 的功率；保護功能齊全；電路結構簡單；能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機狀態的損耗，故在中小功率開關電源中有著廣泛的應用前景。
上傳時間： 2013-11-09
上傳用戶：chenjjer
Abstract: Alexander Graham Bell patented twisted pair wires in 1881. We still use them today because they work so well. In addition we have the advantage ofincredible computer power within our world. Circuit simulators and filter design programs are available for little or no cost. We combine the twisted pair and lowpassfilters to produce spectacular rejection of radio frequency interference (RFI) and electromagnetic interference (EMI). We also illustrate use of a precision resistorarray to produce a customizable differential amplifier. The precision resistors set the gain and common mode rejection ratios, while we choose the frequencyresponse.
上傳時間： 2014-11-26
上傳用戶：Vici
本應用筆記介紹如何運用本文所述電路來避免添加額外的求和放大器，以及IOUT架構如何支持交流和直流兩種輸入，從而使該電路非常適合數據采集和儀器儀表應用。
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：czl10052678
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：zhyiroy
A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may not be familiar, or familiar specifications may be applied in unfamiliar ways. This application note explains the specifica-tions and terms found in MEMS microphone data sheets so that the microphone can be appropriately designed into a system.
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：masochism
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。
上傳時間： 2013-11-11
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本書內容包括三大部分：第1 部分從運算放大器的基本概念和理論出發，重點介紹了運算放大器的原理與設計，以及在各種電子系統中的應用，包括視頻應用、RF/IF 子系統(乘法器、調制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應用、高速DAC 及其應用、以及DDS 系統與接收機子系統等;第3 部分介紹了有關高速硬件設計技術，如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地，以及EMI 與RFI設計考慮等。 書中內容既有完整的理論分析，又有具體的實際應用電路，還包括許多應用技巧。特別適合電子電路與系統設計工程師、高等院校相關專業師生閱讀。
上傳時間： 2013-11-16
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鎖相環是一種反饋系統，其中電壓控制振蕩器(VCO)和相位比較器相互連接，使得振蕩器可以相對于參考信號維持恒定的相位角度。鎖相環可用來從固定的低頻信號生成穩定的輸出高頻信號等。
上傳時間： 2013-11-22
上傳用戶：waixingren
