suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu
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gan技術資料
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GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronic...
第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰
作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 ...
硅基GaN功率半導體技術總結
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基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結
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半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN SiC）材料及器件測試
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材...
硅基GaN功率半導體技術
該文檔為硅基GaN功率半導體技術講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………...
基于GaN器件射頻功率放大電路的設計
本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主...
GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主...
EMC封裝材料
松下2015年最新研究的適用于SiC，GaN等大功率器件的封裝材料介紹...