在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關(guān)的性能控制， 通過(guò)檢測(cè)直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動(dòng)轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償、轉(zhuǎn)差率補(bǔ)償?shù)取Ｍ瑫r(shí)， 這一檢測(cè)結(jié)果也可以用來(lái)完成對(duì)逆變單元中IGBT 實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)等功能。因此在這種逆變器中， 對(duì)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的要求相對(duì)比較簡(jiǎn)單， 成本也比較低。這種類型的驅(qū)動(dòng)芯片主要有東芝公司生產(chǎn)的TLP250，夏普公司生產(chǎn)的PC923等等。這里主要針對(duì)TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個(gè)GaAlAs 光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測(cè)器， 8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路。圖2為TLP250 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖， 表1 給出了其工作時(shí)的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最小） ；5） 開(kāi)關(guān)時(shí)間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開(kāi)關(guān)特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時(shí) 應(yīng) 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個(gè) 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來(lái)穩(wěn)定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會(huì)損壞開(kāi)關(guān)性能， 電容和光耦之間的引線長(zhǎng)度不應(yīng)超過(guò)1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應(yīng)用電路。
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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摘要：對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析，對(duì)TLP250，EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng)，對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)，通過(guò)有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn)，最后得出結(jié)論：IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過(guò)流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過(guò)流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代，為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個(gè)MoS門極區(qū)來(lái)控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開(kāi)關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，它是日前最為常見(jiàn)的一種器件。
標(biāo)簽： 三相逆變器 igbt 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用.IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體，具有電壓控制、輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)。但是，IGBT和其它電力電子器件一樣，其應(yīng)用還依賴于電路條件和開(kāi)關(guān)環(huán)境。因此，IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路是電路設(shè)計(jì)的難點(diǎn)和重點(diǎn)，是整個(gè)裝置運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。為解決IGBT的可靠驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，國(guó)外各IGBT生產(chǎn)廠家或從事IGBT應(yīng)用的企業(yè)開(kāi)發(fā)出了眾多的IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路或模塊，如國(guó)內(nèi)常用的日本富士公司生產(chǎn)的EXB8系列，三菱電機(jī)公司生產(chǎn)的M579系列，美國(guó)IR公司生產(chǎn)的1R21系列等。但是，EXB8系列、M579系列和IR21系列沒(méi)有軟關(guān)斷和電源電壓欠壓保護(hù)功能，而惠普生產(chǎn)的HCLP-316]有過(guò)流保護(hù)、欠壓保護(hù)和1GBT軟關(guān)斷的功能，且價(jià)格相對(duì)便宜，因此，本文將對(duì)其進(jìn)行研究，并給出1700v，200~300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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一、IGBT 驅(qū)動(dòng)1 驅(qū)動(dòng)電壓的選擇IGBT 模塊GE 間驅(qū)動(dòng)電壓可由不同地驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生。典型的驅(qū)動(dòng)電路如圖1 所示。圖1 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路示意圖Q1，Q2 為驅(qū)動(dòng)功率推挽放大，通過(guò)光耦隔離后的信號(hào)需通過(guò)Q1，Q2 推挽放大。選擇Q1，Q2 其耐壓需大于50V 。選擇驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需考慮幾個(gè)因素。由于IGBT 輸入電容較MOSFET 大，因此IGBT 關(guān)斷時(shí)，最好加一個(gè)負(fù)偏電壓，且負(fù)偏電壓比MOSFET 大， IGBT 負(fù)偏電壓最好在-5V~-10V 之內(nèi)；開(kāi)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓最佳值為15V 10％ ,15V 的驅(qū)動(dòng)電壓足夠使IGBT 處于充分飽和，這時(shí)通態(tài)壓降也比較低，同時(shí)又能有效地限制短路電流值和因此產(chǎn)生的應(yīng)力。若驅(qū)動(dòng)電壓低于12V ，則IGBT 通態(tài)損耗較大， IGBT 處于欠壓驅(qū)動(dòng)狀態(tài)；若 VGE >20V ，則難以實(shí)現(xiàn)電流的過(guò)流、短路保護(hù)，影響 IGBT 可靠工作。2 柵極驅(qū)動(dòng)功率的計(jì)算由于IGBT 是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，需要的驅(qū)動(dòng)功率值比較小，一般情況下可以不考慮驅(qū)動(dòng)功率問(wèn)題。但對(duì)于大功率IGBT ，或要求并聯(lián)運(yùn)行的IGBT 則需要考慮驅(qū)動(dòng)功率。IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)功率受到驅(qū)動(dòng)電壓即開(kāi)通VGE( ON )和關(guān)斷 VGE( off ) 電壓，柵極總電荷 QG 和開(kāi)關(guān) f 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)電源的平均功率 PAV 計(jì)算公式為：PAV =（VGE(ON ) +VGE( off ) ）* QG *f對(duì)一般情況 VGE( ON ) =15V，VGE( off ) =10V，則 PAV 簡(jiǎn)化為： PAV =25* QG *f。f 為 IGBT 開(kāi)關(guān)頻率。柵極峰值電流 I GP 為：
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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在UPS中使用的功率器件有雙極型功率品體管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率品體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用 IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì) IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮 IGBT的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。2.IGBT在UPS中的應(yīng)用情況絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種MOSFET 與雙極晶體管復(fù)合的器件。據(jù)東芝公司資料，1200V/100A 的IGBT的導(dǎo)通電阻是同一耐壓規(guī)格的功率 MOSFET 的1/10，而開(kāi)關(guān)時(shí)間是同規(guī)格 GTR的1/10。由于這些優(yōu)點(diǎn)，IGBT廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)（UPS）的設(shè)計(jì)中。這種使用 IGBT的在線式UPS具有效率高，抗沖擊能力強(qiáng)、可靠性高的顯著優(yōu)點(diǎn)。UPS主要有后備式、在線互動(dòng)式和在線式三種結(jié)構(gòu)。在線式 UPS以其可靠性高，輸出電壓穩(wěn)定，無(wú)中斷時(shí)間等顯著優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于通信系統(tǒng)、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機(jī)關(guān)的機(jī)房中。本文以在線式為介紹對(duì)象，UPS中的1GBT的應(yīng)用。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。成為功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主流，廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、光伏、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等行業(yè)中。在電動(dòng)汽車行業(yè)中，電機(jī)控制器、輔助動(dòng)力系統(tǒng)，電動(dòng)空調(diào)中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應(yīng)用于電機(jī)控制器中，由于電動(dòng)汽車電機(jī)控制器工作環(huán)境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)等寄生參數(shù)的直接影響到驅(qū)動(dòng)電路的可靠性1電機(jī)控制器在使用過(guò)程中，在過(guò)流、短路和過(guò)壓的情況下要對(duì)1GBT實(shí)行比較完善的保護(hù)。過(guò)流會(huì)引起電機(jī)控制器的溫度上升，可通過(guò)溫度傳感器來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，并由相應(yīng)的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)保護(hù)；過(guò)壓一般發(fā)生在IGBT關(guān)斷時(shí)，較大的di/dt會(huì)在寄生電感上產(chǎn)生了較高的電壓，可通過(guò)采用緩沖電路來(lái)鉗制，或者適當(dāng)降低開(kāi)關(guān)速率。短路故障發(fā)生后瞬時(shí)就會(huì)產(chǎn)生極大的電流，很快就會(huì)損壞1GBT，主控制板的過(guò)流保護(hù)根本來(lái)不及，必須由硬件電路控制驅(qū)動(dòng)電路瞬間加以保護(hù)。因此驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)過(guò)程中，保護(hù)功能設(shè)計(jì)得是否完善，對(duì)系統(tǒng)的安全運(yùn)行尤其重要。
標(biāo)簽： 新能源汽車 電機(jī)控制器 igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-22
上傳用戶：XuVshu
IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合器件，它具有開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)功率小和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)壓降小、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn).IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場(chǎng)合，已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文在介紹了1GBT結(jié)構(gòu)、工作特性的基礎(chǔ)上，針對(duì)風(fēng)電變流器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)和岸電電源的實(shí)際應(yīng)用，選擇了各自的IGBT模塊。然后對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了深入地研究，詳細(xì)地說(shuō)明了IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)的一些特殊要求及應(yīng)該滿足的條件。接著對(duì)三種典型的驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行了分析，同時(shí)分別針對(duì)風(fēng)電變流器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)和岸電電源，設(shè)計(jì)了三菱的M57962AL和Concept的2SD315A驅(qū)動(dòng)模塊的外圍驅(qū)動(dòng)電路。對(duì)于大功率的設(shè)備，電路中經(jīng)常會(huì)遇到過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫的問(wèn)題，因此必要的保護(hù)措施是必不可少的。針對(duì)上述問(wèn)題，本文分析了出現(xiàn)各種狀況的原因，并給出了各自的解決方案：采用分散式和集中式過(guò)流保護(hù)相結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)；采用緩存吸收電路及采樣檢測(cè)電路以防止過(guò)電壓的出現(xiàn)；通過(guò)選擇正確的散熱器及利用鉑電阻的特性來(lái)實(shí)施檢測(cè)溫度，從而使電路能夠更好地可靠運(yùn)行。同時(shí)，為了滿足今后1.5MW風(fēng)電變流器和試驗(yàn)電源等更大功率設(shè)備的需求，在性價(jià)比上更傾向于采用IGBT模塊串、并聯(lián)的方式來(lái)取代高耐壓、大電流的單管1GBT.本文就同一橋臂的IGBT串聯(lián)不均壓，并聯(lián)不均流的問(wèn)題進(jìn)行了闡述，并給出了相應(yīng)的解決方案。最后針對(duì)上述的不平衡情形，采用PSpice對(duì)其進(jìn)行仿真模擬，并通過(guò)加入均壓、均流電路后的仿真結(jié)果，有效地說(shuō)明了電路的可行性。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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怎樣判斷IGBT MOS管的好壞？怎么檢測(cè)它的引腳？IGBT1、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ 擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)， 若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大， 則判斷此極為柵極（G ）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量， 若測(cè)得阻值為無(wú)窮大， 調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C）；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。2、判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ 擋，用黑表筆接IGBT 的集電極（C），紅表筆接IGBT 的發(fā)射極（ E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G）和集電極（C），這時(shí)IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G）和發(fā)射極（ E），這時(shí)IGBT 被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT 是好的。3、注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ 擋，因R×1KΩ 擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ P-MOSFET ）的好壞。現(xiàn)在經(jīng)常要檢測(cè)MOS 管了，轉(zhuǎn)幾篇MOS 管的檢測(cè)方法，以備隨時(shí)觀摩！用萬(wàn)用表檢測(cè)MOS 開(kāi)關(guān)管好壞的方法一、MOS 開(kāi)關(guān)管針腳判斷：在電腦上， MOS 管都是N 溝道增強(qiáng)型的MOSFET 開(kāi)關(guān)管， 大部分都采用TO－220F 封裝，其針腳判斷方法是：將針腳向下，印有型號(hào)的面向自己，左邊的是柵極，中間是漏極，右邊是源極。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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《振蕩電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用》是2004年科學(xué)出版社出版的圖書，作者是稻葉保，譯者是何希才。本書中重點(diǎn)介紹了放大電路和振蕩電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用。《振蕩電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一。《振蕩電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用》主要介紹振蕩電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用，內(nèi)容包括基本振蕩電路、RC方波振蕩電路的設(shè)計(jì)、RC正弦波振蕩電路的設(shè)計(jì)、高頻LC振蕩電路的設(shè)計(jì)、陶瓷與晶體振蕩電路的設(shè)計(jì)，以及函數(shù)發(fā)生器的設(shè)計(jì)、電壓控制振蕩電路的設(shè)計(jì)、PLL頻率合成器的設(shè)計(jì)、數(shù)字頻率合成器的設(shè)計(jì)，等等。
標(biāo)簽： 振蕩電路
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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進(jìn)年來(lái)，脈沖功率裝置的使用愈來(lái)愈廣泛。由于高功率脈沖電變換器源能夠?yàn)槊}沖功率裝置的負(fù)載提供能量，是構(gòu)成脈沖功率裝置的主體。本文采用LT3751為核心，采用電容、電感儲(chǔ)能、并通過(guò)電力電子器件配合脈沖變壓器設(shè)計(jì)了反激式功率變換器電路，并通過(guò)基于LTspice進(jìn)行電路瞬態(tài)分析，以得到最佳的電路模型。LTspice IV是一款高性能Spice Il仿真器、電路圖捕獲和波形觀測(cè)器，并為簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的仿真提供了改進(jìn)和模型。凌力爾特（LINEAR）對(duì)Spice所做的改進(jìn)使得開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的仿真速度極快，較之標(biāo)準(zhǔn)的Spice仿真器有了大幅度的提高，并且LTspice IV帶有80%的凌力爾特開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的Spice和Macro Model（宏模型），200多種運(yùn)算放大器模型以及電阻器、晶體管和MOSFET模型，使得我們?cè)谶M(jìn)行電路設(shè)計(jì)仿真，特別是開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)與仿真時(shí)更加輕松。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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