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  • 嵌入式ARM系統(tǒng)原理與實例開發(fā)

    ·作  者: 楊宗德 編著出 版 社: 北京大學(xué)出版社出版時間: 2007-9-1 字  數(shù): 351000 版  次: 1 頁  數(shù): 233 印刷時間: 2007/09/01 紙  張: 膠版紙 I S B N : 9787301125304 包  裝: 平裝 內(nèi)容簡介本書是一本介紹ARM處理器原理與底層程序開發(fā)實例的教材,涉及嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、嵌入式處理器及操作系統(tǒng)基本概念、ARM處理器原理及應(yīng)

    標(biāo)簽: ARM 嵌入式 系統(tǒng)原理

    上傳時間: 2013-06-19

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  • 電動機(jī)控制電路選用與258實例

    ·作    者: 袁任光 I S B N: 7111144716 頁    數(shù): 676 開    本: 32開 重    量: 460克 封面形式: 簡裝本 出 版 社: 機(jī)械工業(yè)出版社   本社特價書  出版日期: 2004-7-1 定    價: 30元

    標(biāo)簽: 258 電動機(jī) 控制電路

    上傳時間: 2013-07-05

    上傳用戶:LouieWu

  • 變頻器原理與應(yīng)用教程

    ·作    者: 三菱電機(jī)株式會社 I S B N: 7118019917 頁    數(shù): 176 開    本: 大16開 封面形式: 簡裝本 出 版 社: 國防工業(yè)出版社   本社特價書  出版日期: 2001-7-1 定    價: 40元 變頻器原理與應(yīng)用教程 內(nèi)容簡介本書

    標(biāo)簽: 變頻器原理 應(yīng)用教程

    上傳時間: 2013-08-01

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  • matlab教程

    M AT L A B是一個可視化的計算程序,被廣泛地使用于從個人計算機(jī)到超級計算機(jī)范圍內(nèi) 的各種計算機(jī)上。 M AT L A B包括命令控制、可編程,有上百個預(yù)先定義好的命令和函數(shù)。這些函數(shù)能通過 用戶自定義函數(shù)進(jìn)一步擴(kuò)展。 M AT L A B有許多強(qiáng)有力的命令。例如, M AT L A B能夠用一個單一的命令求解線性系統(tǒng), 能完成大量的高級矩陣處理。 M AT L A B有強(qiáng)有力的二維、三維圖形工具。 M AT L A B能與其他程序一起使用。例如, M AT L A B的圖形功能,可以在一個 F O RT R A N 程序中完成可視化計

    標(biāo)簽: matlab 教程

    上傳時間: 2013-04-24

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  • CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

    標(biāo)簽: CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

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  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過程,分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來,變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實用方法,專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測無心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時,所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測磁心配對安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項很精細(xì)的工作,其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時間: 2014-12-24

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  • 單片機(jī)幾種軟件濾波程序示例

    假定從8位AD中讀取數(shù)據(jù)(如果是更高位的AD可定義數(shù)據(jù)類型為int),子程序為get_ad(); 1、限幅濾波法(又稱程序判斷濾波法)     A、方法:         根據(jù)經(jīng)驗判斷,確定兩次采樣允許的最大偏差值(設(shè)為A)         每次檢測到新值時判斷:         如果本次值與上次值之差<=A,則本次值有效         如果本次值與上次值之差>A,則本次值無效,放棄本次值,用上次值代替本次值     B、優(yōu)點:         能有效克服因偶然因素引起的脈沖干擾     C、缺點         無法抑制那種周期性的干擾         平滑度差 /*  A值可根據(jù)實際情況調(diào)整     value為有效值,new_value為當(dāng)前采樣值      濾波程序返回有效的實際值  */ #define A 10 char value; char filter() {    char  new_value;    new_value = get_ad();    if ( ( new_value - value > A ) || ( value - new_value > A )       return value;    return new_value;          } 2、中位值濾波法     A、方法:         連續(xù)采樣N次(N取奇數(shù))         把N次采樣值按大小排列         取中間值為本次有效值     B、優(yōu)點:         能有效克服因偶然因素引起的波動干擾         對溫度、液位的變化緩慢的被測參數(shù)有良好的濾波效果     C、缺點:         對流量、速度等快速變化的參數(shù)不宜 /*  N值可根據(jù)實際情況調(diào)整     排序采用冒泡法*/

    標(biāo)簽: 單片機(jī) 軟件濾波 程序

    上傳時間: 2014-12-26

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  • PIC單片機(jī)的組成習(xí)題解答

    解答部分 PIC單片機(jī)指令的執(zhí)行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結(jié)構(gòu)的原則,充分利用了計算機(jī)系統(tǒng)在程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器之間地址空間的相互獨(dú)立性,取指過程和執(zhí)行指令過程可以流水線操作同時進(jìn)行。因此,當(dāng)PIC時鐘頻率為4MHZ時,執(zhí)行一條非轉(zhuǎn)移類指令需要4個系統(tǒng)時鐘周期,即1us,但其指令執(zhí)行的真實時間應(yīng)為2us(在執(zhí)行n—1條指令時取第n條指令,然后執(zhí)行第n條指令)。所以選項B正確.

    標(biāo)簽: PIC 單片機(jī)

    上傳時間: 2013-12-10

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  • PIC 單片機(jī)的組成習(xí)題解答

    PIC 單片機(jī)的組成習(xí)題解答 解答部分1. PIC 單片機(jī)指令的執(zhí)行過程遵循著一種全新哈佛總線體系結(jié)構(gòu)的原則,充分利用了計算機(jī)系統(tǒng)在程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器之間地址空間的相互獨(dú)立性,取指過程和執(zhí)行指令過程可以流水線操作同時進(jìn)行。因此,當(dāng)PIC 時鐘頻率為4MHZ時,執(zhí)行一條非轉(zhuǎn)移類指令需要4 個系統(tǒng)時鐘周期,即1us,但其指令執(zhí)行的真實時間應(yīng)為2us(在執(zhí)行n—1 條指令時取第n 條指令,然后執(zhí)行第n 條指令)。所以選項B 正確2. 端口RE 共有3 個引腳RE0~RE2,它們除了用做普通I/O 引腳和第5~7 路模擬信號輸入引腳外,還依次分別承擔(dān)并行口讀出/寫入/片選控制端引腳。A. 對。讀出/寫入(REO~RE1)。B.錯。同步串行的相關(guān)引腳與端口C 有關(guān)。C.錯。通用異步/同步串行的相關(guān)引腳與端口C有關(guān)。D. 錯。CCP模塊的相關(guān)引腳也是與端口C有關(guān)。所以選項A正確。3. 上電延時電路能提供一個固定的72ms 上電延時,從而使VDD有足夠的時間上繁榮昌盛到單片機(jī)合適的工作電壓。所以選項B 正確。

    標(biāo)簽: PIC 單片機(jī)

    上傳時間: 2013-11-09

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  • at91rm9200啟動過程教程

    at91rm9200啟動過程教程 系統(tǒng)上電,檢測BMS,選擇系統(tǒng)的啟動方式,如果BMS為高電平,則系統(tǒng)從片內(nèi)ROM啟動。AT91RM9200的ROM上電后被映射到了0x0和0x100000處,在這兩個地址處都可以訪問到ROM。由于9200的ROM中固化了一個BOOTLOAER程序。所以PC從0X0處開始執(zhí)行這個BOOTLOAER(準(zhǔn)確的說應(yīng)該是一級BOOTLOADER)。這個BOOTLOER依次完成以下步驟: 1、PLL SETUP,設(shè)置PLLB產(chǎn)生48M時鐘頻率提供給USB DEVICE。同時DEBUG USART也被初始化為48M的時鐘頻率; 2、相應(yīng)模式下的堆棧設(shè)置; 3、檢測主時鐘源(Main oscillator); 4、中斷控制器(AIC)的設(shè)置; 5、C 變量的初始化; 6、跳到主函數(shù)。 完成以上步驟后,我們可以認(rèn)為BOOT過程結(jié)束,接下來的就是LOADER的過程,或者也可以認(rèn)為是裝載二級BOOTLOER。AT91RM9200按照DATAFLASH、EEPROM、連接在外部總線上的8位并行FLASH的順序依次來找合法的BOOT程序。所謂合法的指的是在這些存儲設(shè)備的開始地址處連續(xù)的存放的32個字節(jié),也就是8條指令必須是跳轉(zhuǎn)指令或者裝載PC的指令,其實這樣規(guī)定就是把這8條指令當(dāng)作是異常向量表來處理。必須注意的是第6條指令要包含將要裝載的映像的大小。關(guān)于如何計算和寫這條指令可以參考用戶手冊。一旦合法的映像找到之后,則BOOT程序會把找到的映像搬到SRAM中去,所以映像的大小是非常有限的,不能超過16K-3K的大小。當(dāng)BOOT程序完成了把合法的映像搬到SRAM的任務(wù)以后,接下來就進(jìn)行存儲器的REMAP,經(jīng)過REMAP之后,SRAM從映設(shè)前的0X200000地址處被映設(shè)到了0X0地址并且程序從0X0處開始執(zhí)行。而ROM這時只能在0X100000這個地址處看到了。至此9200就算完成了一種形式的啟動過程。如果BOOT程序在以上所列的幾種存儲設(shè)備中找到合法的映像,則自動初始化DEBUG USART口和USB DEVICE口以準(zhǔn)備從外部載入映像。對DEBUG口的初始化包括設(shè)置參數(shù)115200 8 N 1以及運(yùn)行XMODEM協(xié)議。對USB DEVICE進(jìn)行初始化以及運(yùn)行DFU協(xié)議?,F(xiàn)在用戶可以從外部(假定為PC平臺)載入你的映像了。在PC平臺下,以WIN2000為例,你可以用超級終端來完成這個功能,但是還是要注意你的映像的大小不能超過13K。一旦正確從外部裝載了映像,接下來的過程就是和前面一樣重映設(shè)然后執(zhí)行映像了。我們上面講了BMS為高電平,AT91RM9200選擇從片內(nèi)的ROM啟動的一個過程。如果BMS為低電平,則AT91RM9200會從片外的FLASH啟動,這時片外的FLASH的起始地址就是0X0了,接下來的過程和片內(nèi)啟動的過程是一樣的,只不過這時就需要自己寫啟動代碼了,至于怎么寫,大致的內(nèi)容和ROM的BOOT差不多,不同的硬件設(shè)計可能有不一樣的地方,但基本的都是一樣的。由于片外FLASH可以設(shè)計的大,所以這里編寫的BOOTLOADER可以一步到位,也就是說不用像片內(nèi)啟動可能需要BOOT好幾級了,目前AT91RM9200上使用較多的bootloer是u-boot,這是一個開放源代碼的軟件,用戶可以自由下載并根據(jù)自己的應(yīng)用配置??偟恼f來,筆者以為AT91RM9200的啟動過程比較簡單,ATMEL的服務(wù)也不錯,不但提供了片內(nèi)啟動的功能,還提供了UBOOT可供下載。筆者寫了一個BOOTLODER從片外的FLASHA啟動,效果還可以。 uboot結(jié)構(gòu)與使用uboot是一個龐大的公開源碼的軟件。他支持一些系列的arm體系,包含常見的外設(shè)的驅(qū)動,是一個功能強(qiáng)大的板極支持包。其代碼可以 http://sourceforge.net/projects/u-boot下載 在9200上,為了啟動uboot,還有兩個boot軟件包,分別是loader和boot。分別完成從sram和flash中的一級boot。其源碼可以從atmel的官方網(wǎng)站下載。 我們知道,當(dāng)9200系統(tǒng)上電后,如果bms為高電平,則系統(tǒng)從片內(nèi)rom啟動,這時rom中固化的boot程序初始化了debug口并向其發(fā)送'c',這時我們打開超級終端會看到ccccc...。這說明系統(tǒng)已經(jīng)啟動,同時xmodem協(xié)議已經(jīng)啟動,用戶可以通過超級終端下載用戶的bootloader。作為第一步,我們下載loader.bin.loader.bin將被下載到片內(nèi)的sram中。這個loder完成的功能主要是初始化時鐘,sdram和xmodem協(xié)議,為下載和啟動uboot做準(zhǔn)備。當(dāng)下載了loader.bin后,超級終端會繼續(xù)打印:ccccc....。這時我們就可以下在uboot了。uboot將被下載到sdram中的一個地址后并把pc指針調(diào)到此處開始執(zhí)行uboot。接著我們就可以在終端上看到uboot的shell啟動了,提示符uboot>,用戶可以uboot>help 看到命令列表和大概的功能。uboot的命令包含了對內(nèi)存、flash、網(wǎng)絡(luò)、系統(tǒng)啟動等一些命令。 如果系統(tǒng)上電時bms為低電平,則系統(tǒng)從片外的flash啟動。為了從片外的flash啟動uboot,我們必須把boot.bin放到0x0地址出,使得從flash啟動后首先執(zhí)行boot.bin,而要少些boot.bin,就要先完成上面我們講的那些步驟,首先開始從片內(nèi)rom啟動uboot。然后再利用uboot的功能完成把boot.bin和uboot.gz燒寫到flash中的目的,假如我們已經(jīng)啟動了uboot,可以這樣操作: uboot>protect off all uboot>erase all uboot>loadb 20000000 uboot>cp.b 20000000 10000000 5fff uboot>loadb 21000000 uboot>cp.b 210000000 10010000 ffff 然后系統(tǒng)復(fù)位,就可以看到系統(tǒng)先啟動boot,然后解壓縮uboot.gz,然后啟動uboot。注意,這里uboot必須壓縮成.gz文件,否則會出錯。 怎么編譯這三個源碼包呢,首先要建立一個arm的交叉編譯環(huán)境,關(guān)于如何建立,此處不予說明。建立好了以后,分別解壓源碼包,然后修改Makefile中的編譯器項目,正確填寫你的編譯器的所在路徑。 對loader和boot,直接make。對uboot,第一步:make_at91rm9200dk,第二步:make。這樣就會在當(dāng)前目錄下分別生成*.bin文件,對于uboot.bin,我們還要壓縮成.gz文件。 也許有的人對loader和boot搞不清楚為什么要兩個,有什么區(qū)別嗎?首先有區(qū)別,boot主要完成從flash中啟動uboot的功能,他要對uboot的壓縮文件進(jìn)行解壓,除此之外,他和loader并無大的區(qū)別,你可以把boot理解為在loader的基礎(chǔ)上加入了解壓縮.gz的功能而已。所以這兩個并無多大的本質(zhì)不同,只是他們的使命不同而已。 特別說名的是這三個軟件包都是開放源碼的,所以用戶可以根據(jù)自己的系統(tǒng)的情況修改和配置以及裁減,打造屬于自己系統(tǒng)的bootloder。

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    上傳時間: 2013-10-27

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