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risc-v

risc-v(發(fā)音為“risk-five”)是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集(RISC)原則的開源指令集架構(gòu)(ISA)。
  • DC_DC變換器的PWA模型及預(yù)測(cè)控制

    利用v自步離散法,得到變換器輸入控制變量與狀態(tài)變量之間的直接映射關(guān)系,基于混雜系統(tǒng)理論分析系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)方程,建立其分段仿射模型。在此模型的基礎(chǔ)上,結(jié)合非線性預(yù)測(cè)控制算法,通過(guò)模型預(yù)測(cè)系統(tǒng)的輸出,利用反饋校正誤差,給出二次型性能指標(biāo)的優(yōu)化計(jì)算方法,并由此設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)控制器。最后,以Buck功率變換器為研究對(duì)象,通過(guò)與峰值電流控制算法的仿真結(jié)果進(jìn)行比較,驗(yàn)證模型的正確性以及控制器設(shè)計(jì)的有效性。

    標(biāo)簽: DC_DC PWA 變換器 模型

    上傳時(shí)間: 2013-10-30

    上傳用戶:teddysha

  • 基于Howland電流源的精密壓控電流源

    計(jì)一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源,論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉(zhuǎn)換電路作為核心,Howland電流源做為誤差補(bǔ)償電路,進(jìn)一步提高了電流源的精度,使絕對(duì)誤差仿真值達(dá)到nA級(jí),實(shí)際電路測(cè)量值絕對(duì)誤差達(dá)到?滋A級(jí),得到高精度的壓控電流源。仿真和實(shí)驗(yàn)測(cè)試均證明該方案是可行的。

    標(biāo)簽: Howland 電流源 壓控 精密

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:sklzzy

  • 一種新型機(jī)載防浪涌電壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)

    設(shè)計(jì)了一種新型的機(jī)載過(guò)壓保護(hù)電路。該電路以芯片LT4356和APL502L為主要器件,簡(jiǎn)單可靠,能夠滿足防80 V/50 ms浪涌電壓要求。介紹了該防浪涌電壓保護(hù)電路主要特點(diǎn)和參數(shù)設(shè)計(jì),并對(duì)該電路進(jìn)行了仿真分析。相應(yīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該電路是一種可靠有效的機(jī)載過(guò)壓保護(hù)電路。

    標(biāo)簽: 機(jī)載 保護(hù) 防浪涌 電壓

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

    上傳用戶:edward_0608

  • 基于STM32F103VC的家用型光伏逆變系統(tǒng)的研究

    為了推進(jìn)光伏發(fā)電技術(shù)應(yīng)用到居民家居生活中,提出了一套適用于家用小功率電器工作的光伏逆變系統(tǒng)。系統(tǒng)采用意法半導(dǎo)體公司的STM32F103VC作為控制系統(tǒng)的核心,運(yùn)用軟件方式產(chǎn)生SPWM波。逆變主拓?fù)浠芈凡捎脙杉?jí)全橋變換器,中間環(huán)節(jié)配合高頻變壓器升壓。與傳統(tǒng)的逆變器設(shè)計(jì)思路不同,前級(jí)全橋變換器采用SPWM波控制實(shí)現(xiàn)逆變?nèi)〈酝愣}寬PWM控制,后級(jí)變換器作為頻率50 Hz翻轉(zhuǎn)開關(guān)來(lái)重構(gòu)正弦波。該系統(tǒng)可將太陽(yáng)能電池板輸出的12 V電壓轉(zhuǎn)換為適用于家用電器工作的220 V/50 Hz交流電。

    標(biāo)簽: F103 STM 103 32F

    上傳時(shí)間: 2013-11-17

    上傳用戶:lingfei

  • 一種無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

    電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn),運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO,電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí),最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標(biāo)簽: LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶:wangjin2945

  • IR2110驅(qū)動(dòng)芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

     IR2110是IR公司的橋式驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,它采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù),大大簡(jiǎn)化了邏輯電路對(duì)功率器件的控制要求,同時(shí)提高了驅(qū)動(dòng)電路的可靠性[1]。對(duì)于我設(shè)計(jì)的含有ZCS環(huán)節(jié)的單相光伏逆變電路中有6個(gè)IGBT,只需要3片芯片即可驅(qū)動(dòng),通過(guò)dsp2812控制實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)和逆變的功能,同時(shí)只需要提供3.3 V,12 V的基準(zhǔn)電壓即可工作,在工程上大大減少了控制變壓器體積和電源數(shù)目,降低了產(chǎn)品成本,提高了系統(tǒng)可靠性。

    標(biāo)簽: 2110 IR 驅(qū)動(dòng)芯片 光伏逆變電路

    上傳時(shí)間: 2014-01-05

    上傳用戶:tom_man2008

  • 基于RISC單片機(jī)設(shè)計(jì)的移動(dòng)電源

    介紹目前使用單片機(jī)進(jìn)行移動(dòng)電源輸出控制,電量顯示。內(nèi)有流程圖,項(xiàng)目規(guī)劃。

    標(biāo)簽: RISC 單片機(jī)設(shè)計(jì) 移動(dòng)電源

    上傳時(shí)間: 2013-10-15

    上傳用戶:集美慧

  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

  • 程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與試驗(yàn)

    為降低大功率開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)功率器件的選擇、開關(guān)頻率和功率密度的提高所面臨的困難,改善單電源供電的可靠性,設(shè)計(jì)并制作程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。系統(tǒng)由2個(gè)額定輸出功率為16 W的8 V DC/DC模塊構(gòu)成的程控開關(guān)電源并聯(lián)供電系統(tǒng)。以STM32F103微控制器為核心芯片,通過(guò)程序控制內(nèi)部DAC調(diào)節(jié)PWM主控芯片UC3845的反饋端電壓,使DC/DC模塊輸出電壓產(chǎn)生微小變動(dòng),進(jìn)而可調(diào)整DC/DC模塊的輸出電流并實(shí)時(shí)分配各DC/DC模塊的輸出電流,軟件采用PI算法。試驗(yàn)表明,系統(tǒng)滿載效率高于80.23%,電流分配誤差最大為1.54%;電源輸出在1 s內(nèi)快速達(dá)到穩(wěn)態(tài);系統(tǒng)以4.5 A為閾值實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)和自恢復(fù)功能。

    標(biāo)簽: 程控開關(guān)電源 并聯(lián)供電系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-15

    上傳用戶:王慶才

  • 一種無(wú)片外電容LDO的瞬態(tài)增強(qiáng)電路設(shè)計(jì)

    利用RC高通電路的思想,針對(duì)LDO提出了一種新的瞬態(tài)增強(qiáng)電路結(jié)構(gòu)。該電路設(shè)計(jì)有效地加快了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度,而且瞬態(tài)增強(qiáng)電路工作的過(guò)程中,系統(tǒng)的功耗并沒有增加。此LDO芯片設(shè)計(jì)采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信號(hào)工藝。仿真結(jié)果表明:整個(gè)LDO是靜態(tài)電流為3.2 μA;相位裕度保持在90.19°以上;在電源電壓為1.8 V,輸出電壓為1.3 V的情況下,當(dāng)負(fù)載電流在10 ns內(nèi)由100 mA降到50 mA時(shí),其建立時(shí)間由原來(lái)的和28 μs減少到8 μs;而在負(fù)載電流為100 mA的條件下,電源電壓在10 ns內(nèi),由1.8 V跳變到2.3 V時(shí),輸出電壓的建立時(shí)間由47 μs降低為15 μs。

    標(biāo)簽: LDO 無(wú)片外電容 瞬態(tài) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-12-20

    上傳用戶:niumeng16

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