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siC

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為siC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。

  • siC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文

    siC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文

    標(biāo)簽： GaNMMIC siC 襯底 X波段

    上傳時(shí)間： 2017-04-24

    上傳用戶(hù)：mikesering

  • 論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-siC,MMSE,MMSE-siC） Vblast接收的檢測(cè)性能

    論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-siC,MMSE,MMSE-siC） Vblast接收的檢測(cè)性能，繪制誤比特率～信噪比曲線(xiàn)。 發(fā)端初始化=============================================================== 發(fā)射天線(xiàn)數(shù)tx,接收天線(xiàn)數(shù)rx,發(fā)射矩陣長(zhǎng)度L(幀長(zhǎng))

    標(biāo)簽： MMSE-siC Vblast ZF-siC MMSE

    上傳時(shí)間： 2017-06-22

    上傳用戶(hù)：hwl453472107

  • siC雙脈沖測(cè)試板資料

    Cree公司生產(chǎn)的siC MOSFET器件，型號(hào)C2M00802012D，在應(yīng)用器件前需要進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)中用到的主電路原理圖（包括PCB文件），驅(qū)動(dòng)和測(cè)試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交廠制作，不需修改。

    標(biāo)簽： siC 原理圖 雙脈沖測(cè)試

    上傳時(shí)間： 2015-12-01

    上傳用戶(hù)：mawei_1990

  • siC MOSFET為什么會(huì)使用4引腳封裝

    ROHM最近推出了siCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)siCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會(huì)社的應(yīng)用工程師。關(guān)于siCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導(dǎo)通電阻很低，還通過(guò)采用4引腳封裝使開(kāi)關(guān)損耗降低了35%，對(duì)此我們非常感興趣。此次，想請(qǐng)您以4引腳封裝為重點(diǎn)介紹一下該產(chǎn)品。首先，請(qǐng)您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善siCMOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。包括siCMOSFET在內(nèi)的電源開(kāi)關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線(xiàn)路中。必須盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)元件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來(lái)發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個(gè)引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過(guò)采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和傳導(dǎo)損耗；通過(guò)采用4引腳封裝，進(jìn)一步發(fā)揮出siC本身具有的高速開(kāi)關(guān)性能，并降低開(kāi)關(guān)損耗。那么，我想詳細(xì)了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個(gè)要點(diǎn)。首先，什么是“驅(qū)動(dòng)器源極引腳”？驅(qū)動(dòng)器源極引腳是應(yīng)用了開(kāi)爾文連接原理的源極引腳。開(kāi)爾文連接是通過(guò)電阻測(cè)量中的4個(gè)引腳或四線(xiàn)檢測(cè)方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測(cè)量電壓的線(xiàn)路，以極力消除微小電阻測(cè)量或大電流條件下測(cè)量時(shí)不可忽略的線(xiàn)纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過(guò)使連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路返回線(xiàn)的源極電壓引腳與流過(guò)大電流的電源源極引腳獨(dú)立，來(lái)消除ID對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響。

    標(biāo)簽： siC mosfet 封裝

    上傳時(shí)間： 2021-11-07

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  • siC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程 優(yōu)勢(shì)和發(fā)展前景講解

    該文檔為siC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程、優(yōu)勢(shì)和發(fā)展前景概述文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽： siC 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間： 2021-12-15

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  • siC功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)及發(fā)展前景總結(jié)

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    標(biāo)簽： siC 功率半導(dǎo)體器件

    上傳時(shí)間： 2021-12-18

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  • 基于siC MOSFET的20kW全橋LLC變換器

    基于siC MOSFET的20kW全橋LLC變換器   分享一個(gè)基于siC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 Demo

    標(biāo)簽： siC mosfet LLC變換器

    上傳時(shí)間： 2021-12-21

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  • 半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN siC）材料及器件測(cè)試

    半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、siC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(siC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù)，對(duì)樣品形狀沒(méi)有要求， 且不需要測(cè)量樣品所有尺寸， 但需滿(mǎn)足以下四個(gè)條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個(gè)觸點(diǎn)必須位于樣品的邊緣。

    標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 gan siC

    上傳時(shí)間： 2022-01-03

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  • siC 功率器件?模塊 應(yīng)用筆記

    本應(yīng)用筆記詳細(xì)記載了關(guān)于羅姆的siC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應(yīng)用，siC器件的優(yōu)勢(shì)和使用上的注意點(diǎn)，從初次接觸siC器件到熟知產(chǎn)品的各位，都可以得到應(yīng)用和幫助

    標(biāo)簽： siC 功率器件

    上傳時(shí)間： 2022-02-08

    上傳用戶(hù)：shjgzh

  • siC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解

    該文檔為siC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………

    標(biāo)簽： siC 碳化硅 功率半導(dǎo)體

    上傳時(shí)間： 2022-02-14

    上傳用戶(hù)：bluedrops

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