siC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文
標簽： GaNMMIC siC 襯底 X波段
上傳時間： 2017-04-24
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論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-siC,MMSE,MMSE-siC） Vblast接收的檢測性能，繪制誤比特率～信噪比曲線。 發(fā)端初始化=============================================================== 發(fā)射天線數(shù)tx,接收天線數(shù)rx,發(fā)射矩陣長度L(幀長)
標簽： MMSE-siC Vblast ZF-siC MMSE
上傳時間： 2017-06-22
上傳用戶：hwl453472107
Cree公司生產(chǎn)的siC MOSFET器件，型號C2M00802012D，在應用器件前需要進行雙脈沖實驗，實驗中用到的主電路原理圖（包括PCB文件），驅(qū)動和測試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交廠制作，不需修改。
標簽： siC 原理圖 雙脈沖測試
上傳時間： 2015-12-01
上傳用戶：mawei_1990
ROHM最近推出了siCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設(shè)置柵極驅(qū)動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關(guān)特性，使開關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對siCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了ROHM株式會社的應用工程師。關(guān)于siCMOSFET的SCT3xxxxR系列，除了導通電阻很低，還通過采用4引腳封裝使開關(guān)損耗降低了35%，對此我們非常感興趣。此次，想請您以4引腳封裝為重點介紹一下該產(chǎn)品。首先，請您大致講一下4引腳封裝具體是怎樣的封裝，采用這種封裝的背景和目的是什么。首先，采用4引腳封裝是為了改善siCMOSFET的開關(guān)損耗。包括siCMOSFET在內(nèi)的電源開關(guān)用MOSFET和IGBT，被作為開關(guān)元件廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。必須盡可能地降低這種開關(guān)元件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導損耗，但不同的應用，其降低損耗的方法也不盡相同。作為其中的一種手法，近年來發(fā)布了一種4引腳的新型封裝，即在MOSFET的源極、漏極、柵極三個引腳之外，另外設(shè)置了驅(qū)動器源極引腳。此次的SCT3xxxxR系列，旨在通過采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)更低的導通電阻和傳導損耗；通過采用4引腳封裝，進一步發(fā)揮出siC本身具有的高速開關(guān)性能，并降低開關(guān)損耗。那么，我想詳細了解一下剛剛您的概述中出現(xiàn)的幾個要點。首先，什么是“驅(qū)動器源極引腳”？驅(qū)動器源極引腳是應用了開爾文連接原理的源極引腳。開爾文連接是通過電阻測量中的4個引腳或四線檢測方式，在電流路徑基礎(chǔ)上加上兩條測量電壓的線路，以極力消除微小電阻測量或大電流條件下測量時不可忽略的線纜電阻和接觸電阻的影響的方法，是一種廣為人知的方法。這種4引腳封裝僅限源極，通過使連接柵極驅(qū)動電路返回線的源極電壓引腳與流過大電流的電源源極引腳獨立，來消除ID對柵極驅(qū)動電路的影響。
標簽： siC mosfet 封裝
上傳時間： 2021-11-07
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該文檔為siC功率半導體器件發(fā)展歷程、優(yōu)勢和發(fā)展前景概述文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： siC 功率半導體器件
上傳時間： 2021-12-15
該文檔為siC功率半導體器件的優(yōu)勢及發(fā)展前景總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時間： 2021-12-18
基于siC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 分享一個基于siC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 Demo
標簽： siC mosfet LLC變換器
上傳時間： 2021-12-21
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、siC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(siC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術(shù)，對樣品形狀沒有要求， 且不需要測量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。
標簽： 半導體 gan siC
上傳時間： 2022-01-03
本應用筆記詳細記載了關(guān)于羅姆的siC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應用，siC器件的優(yōu)勢和使用上的注意點，從初次接觸siC器件到熟知產(chǎn)品的各位，都可以得到應用和幫助
標簽： siC 功率器件
上傳時間： 2022-02-08
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該文檔為siC-碳化硅-功率半導體的介紹講解文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
標簽： siC 碳化硅 功率半導體
上傳時間： 2022-02-14
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