SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文
SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文...
sic技術(shù)資料
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?? sic全部資料 (28個(gè))
論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的檢測性能
論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的檢測性能，繪制誤比特率～信噪比曲線。 發(fā)端初始化=========================...
SiC雙脈沖測試板資料
Cree公司生產(chǎn)的SiC MOSFET器件，型號C2M00802012D，在應(yīng)用器件前需要進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)中用到的主電路原理圖（包括PCB文件），驅(qū)動(dòng)和測試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是G...
SiC MOSFET為什么會(huì)使用4引腳封裝
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改...
SiC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程 優(yōu)勢和發(fā)展前景講解
該文檔為SiC功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷程、優(yōu)勢和發(fā)展前景概述文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………...
SiC功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢及發(fā)展前景總結(jié)
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基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器
基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 分享一個(gè)基于SiC MOSFET的20kW全橋LLC變換器 Demo...
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN SiC）材料及器件測試
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材...
SiC 功率器件?模塊 應(yīng)用筆記
本應(yīng)用筆記詳細(xì)記載了關(guān)于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應(yīng)用，SiC器件的優(yōu)勢和使用上的注意點(diǎn)，從初次接觸SiC器件到熟知產(chǎn)品的各位，都可以得到應(yīng)用和幫助...
SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解
該文檔為SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………...