ISE_IP核創建教程及DDR3_ip核使用注意事項
上傳時間： 2015-01-01
上傳用戶：wangyi39
支持40 GbE、100 GbE和Interlaken的高密度硬核MLD/PCS模塊，從而提高系統集成度。 寬帶數據緩沖，提供1,600-Mbps外部存儲器接口。 數據包處理和流量管理功能的高效實現。 更高的系統性能，同時保持功耗和成本預算不變。
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：liansi
NiosII軟核處理器是Altera公司開發，基于FPGA操作平臺使用的一款高速處理器，為了適應高速運動圖像采集，提出了一種基于NiosII軟核處理的步進電機接口設計，使用verilog HDL語言完成該接口設計，最后通過QuartusII軟件，給出了實驗仿真結果。
上傳時間： 2015-01-02
上傳用戶：妄想演繹師
書上永遠學不到的接插件知識（附電路圖詳解）
上傳時間： 2013-12-19
上傳用戶：lliuhhui
以Altera公司的Quartus Ⅱ 7.2作為開發工具，研究了基于FPGA的DDS IP核設計，并給出基于Signal Tap II嵌入式邏輯分析儀的仿真測試結果。將設計的DDS IP核封裝成為SOPC Builder自定義的組件，結合32位嵌入式CPU軟核Nios II，構成可編程片上系統（SOPC），利用極少的硬件資源實現了可重構信號源。該系統基本功能都在FPGA芯片內完成，利用 SOPC技術，在一片 FPGA 芯片上實現了整個信號源的硬件開發平臺，達到既簡化電路設計、又提高系統穩定性和可靠性的目的。
上傳時間： 2013-12-22
上傳用戶：forzalife
FPGA 設計不再像過去一樣只是作為“膠連邏輯 (Gluelogic)”了，由于其復雜度逐年增加，通常還會集成極富挑戰性的 IP 核，如 PCI Express® 核等。新型設計中的復雜模塊即便不作任何改變也會在滿足 QoR(qualityof-result) 要求方面遇到一些困難。保留這些模塊的時序非常耗時，既讓人感到頭疼，往往還徒勞無功。設計保存流程可以幫助客戶解決這一難題，既可以讓他們滿足設計中關鍵模塊的時序要求，又能在今后重用實現的結果，從而顯著減少時序收斂過程中的運行次數。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：invtnewer
第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討，本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)?，F在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態內存，其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數據傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上傳時間： 2013-10-18
上傳用戶：宋桃子
半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2013-11-04
上傳用戶：372825274
新代數控系統OpenCNC_PLC發展工具操作手冊V2.5。
標簽： OpenCNC_PLC 2.5 數控系統 操作
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：shanxiliuxu
出租汽車計價器使用誤差檢定測量不確定度的評定
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：giraffe
