本文是關于在印刷電路板 (PCB) 開發階段使用數字輸入/輸出緩沖信息規范(IBIS) 模擬模型的系列文章之第 3 部分（共三部分）。“第 1 部分”討論了 IBIS仿真模型的基本組成，以及它們在 SPICE 環境中產生的過程1。“第 2 部分”討論了 IBIS 模型有效性驗證。2 在設計階段，我們會碰到許多信號完整性問題，而 IBIS 模型為這些問題帶來了一種簡單的解決方案。本文即“第 3 部分”，將介紹如何使用一個 IBIS 模型來提取一些重要的變量，用于信號完整性計算和確定 PCB 設計解決方案。請注意，該提取值是 IBIS 模型不可或缺的組成部分。
上傳時間： 2013-10-15
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隨著對IEEE1641標準研究的逐漸深入，信號的構建成為了研究重點。對信號模型進行同步和門控控制，可以影響到TSF（測試信號框架）模型的輸出，從而達到控制信號的目的，使測試需求更加完善以及測試過程更加精確。
上傳時間： 2014-01-01
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1) 全數字化設計，交流采樣，人機界面采用大屏幕點陣圖形128X64 LCD中文液晶顯示器。 2) 可實時顯示A、B、C各相功率因數、電壓、電流、有功功率、無功功率、電壓總諧波畸變率、電流總諧波畸變率、電壓3、5、7、9、11、13次諧波畸變率、電流3、5、7、9、 11、13次諧波畸變率頻率、頻率、電容輸出顯示及投切狀態、報警等信息。 3) 設置參數中文提示，數字輸入。 4) 電容器控制方案支持三相補償、分相補償、混合補償方案，可通過菜單操作進行設置。 5) 電容器投切控制程序支持等容/編碼（1：2、 1：2：3、 1：2：4：8…）等投切方式。 6) 具有手動補償/自動補償兩種工作方式。 7) 提供電平控制輸出接口（+12V），動態響應優于20MS。 8) 取樣物理量為無功功率，具有諧波測量及保護功能。 9) 控制器具有RS-485通訊接口，MODBUS標準現場總線協議，方便接入低壓配電系統。
上傳時間： 2013-11-09
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電路連接 由于數碼管品種多樣，還有共陰共陽的，下面我們使用一個數碼管段碼生成器（在文章結尾） 去解決不同數碼管的問題： 本例作者利用手頭現有的一位不知品牌的共陽數碼管：型號D5611 A/B，在Eagle 找了一個 類似的型號SA56-11，引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意： 1. 將數碼管的a~g 段，分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數碼管未知的話，可以通過通電測量它哪個引腳對應哪個字段，然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話，接220Ω電阻到電源負極；共陽的話，接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數碼管實際工作亮度與手頭現有原件而定，不一定需要準確。 4. 按下按鈕即停。 源代碼 由于我是按照段碼生成器默認接法接的，所以不用修改段碼生成器了，直接在段碼生成器選擇共陽極，再按“自動”生成數組就搞定。 下面是源代碼，由于偷懶不用寫循環，使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個是AVR 的端口輸出控制語句，8 位對應D7~D0，PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表，表中十個元素由LED 段碼生成器生成，選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對 應D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位，即Arduino 的引腳D0~D6，這樣需要取出PORTD 最高位，即 D7的狀態，與段碼相加，之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平，則在此死循環,暫停LED 跑 動 } }
上傳時間： 2013-10-15
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? 計算方法： 1) A值（相位）的計算：根據設置的相位值D（單位為度，0度-360度可設置），由公式A=D/360，得出A值，按四舍五入的方法得出相位A的最終值； 2) B偏移量值的計算：按B=512*(1/2VPP-VDC+20)/5； 3) C峰峰值的計算：按C=VPP/20V*4095；
上傳時間： 2013-11-18
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文中設計研制了一種新型的基于仿射變換模型的實時圖像跟蹤系統。本跟蹤系統已經通過實踐檢驗，能夠穩定的、準確的、快速的跟蹤目標。并且系統有很大的升級潛力，除了能夠滿足仿射變換跟蹤的要求之外，還能適用于其他的一些算法，構成魯棒性更強的圖像跟蹤系統。實踐證明該跟蹤系統性能優于經典的相關跟蹤系統。
上傳時間： 2013-10-12
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目前，被廣泛使用的經典邊緣檢測算子有Sobel算子，Prewitt算子，Roberts算子，Log算子，Canny算子等等。這些算子的核心思想是圖像的邊緣點是相對應于圖像灰度值梯度的局部極大值點。然而，當圖像中含有噪聲時這些算子對噪聲都比較敏感，使得將噪聲作為邊緣點。由于噪聲的干擾，不能檢測出真正的邊緣。一個擁有良好屬性的的邊緣檢測算法是每個研究者的追求。利用小波交換的特點，設計了三次B樣條平滑濾波算子。通過利用這個算子，對利用小波變換來檢測圖像的邊緣進行了一定的研究和理解。
上傳時間： 2013-10-13
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為了提高圖像去噪效果，提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先將待去噪圖像進行循環平移，使用Contourlet域HMT模型對平移后的圖像進行降噪處理，然后將降噪后的圖像進行循環反平移，最后將不同循環平移量下的降噪圖像進行平均處理，以減少去噪后圖像的失真。實驗結果表明，該方法不僅可以提高降噪后圖像峰值信噪比，而且可以提高降噪后圖像的視覺效果。
標簽： Contourlet Spinning Cycle HMT
上傳時間： 2014-12-23
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為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
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主要介紹場效應管H參數的模型
上傳時間： 2014-01-09
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