摘要：建立了數(shù)字控制DC/DC開關(guān)電源閉環(huán)系統(tǒng)的s域小信號(hào)模型，采用數(shù)字重設(shè)計(jì)法針對(duì)給定的系統(tǒng)季數(shù)設(shè)計(jì)了數(shù)字補(bǔ)償器。應(yīng)用SISO Design Tool仿真平臺(tái)，在伯德圖分析和根軌連法的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了連續(xù)城的模擬補(bǔ)償器，并進(jìn)行了離散化處理。在建立系統(tǒng)s城模型時(shí)引入了模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)字脈寬調(diào)制發(fā)生器產(chǎn)生的延遲效應(yīng)，使補(bǔ)償器的設(shè)計(jì)考慮了采樣速率對(duì)系統(tǒng)的影響，改善了傳統(tǒng)離散設(shè)計(jì)的誤蓋?；诮套种卦O(shè)計(jì)法構(gòu)建的數(shù)字補(bǔ)償器實(shí)現(xiàn)了對(duì)脈寬調(diào)制信號(hào)的可編程精確控制，保證了變換器閉環(huán)工作良好的動(dòng)態(tài)特性。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)的數(shù)字補(bǔ)償器的性能。關(guān)鍵詞：數(shù)字控制系統(tǒng)；模數(shù)轉(zhuǎn)換；數(shù)字重設(shè)計(jì)法；數(shù)字補(bǔ)償器；數(shù)字脈寬調(diào)制1引言傳統(tǒng)的開關(guān)電源采用模擬控制技術(shù)，使用比較器、誤差放大器和模擬電源管理芯片等元器件來調(diào)整電源輸出電壓，存在著控制電路復(fù)雜、元器件數(shù)量多以及控制電路成型后很難修改等缺點(diǎn)，不利于開關(guān)電源的集成化和小型化。近年來隨著微電子學(xué)的迅速發(fā)展，電源的控制也已經(jīng)由模擬控制、模數(shù)混合控制，進(jìn)入到數(shù)字控制階段”，具有可編程性、設(shè)計(jì)可延續(xù)性、元件數(shù)量減少、先進(jìn)的校正能力等優(yōu)點(diǎn)。以往由于DSP等控制芯片的高成本，數(shù)字控制多用于大功率AC/DC變換器、PFC功率因數(shù)校正等場(chǎng)合”，而對(duì)于DC/DC高頻開關(guān)電源只是實(shí)現(xiàn)了一些數(shù)字化的簡(jiǎn)單應(yīng)用，如采用MCU提供保護(hù)、監(jiān)控和通信功能。隨著數(shù)字控制芯片成本的降低，數(shù)字控制也逐漸應(yīng)用于DC/DC直流變換器，直接參與電源的反饋回路控制，實(shí)現(xiàn)了信號(hào)采樣補(bǔ)償和PWM調(diào)節(jié)的數(shù)字化。數(shù)字PID補(bǔ)償器的設(shè)計(jì)非常關(guān)鍵，直接決定了電源的輸出精度、動(dòng)態(tài)響應(yīng)等指標(biāo)。近年來對(duì)DC/DC開關(guān)電源的數(shù)字補(bǔ)償器的建模研究已有很多論述]，主要基于數(shù)字重設(shè)計(jì)法和直接數(shù)字設(shè)計(jì)法。數(shù)字重設(shè)計(jì)是在傳統(tǒng)模擬電源研究方法的基礎(chǔ)上，首先將數(shù)字電源簡(jiǎn)化為一個(gè)連續(xù)的線性系統(tǒng)，忽略了采樣保持器效應(yīng)后設(shè)計(jì)模擬補(bǔ)償器，然后采用雙線性近似（Tustin）、匹配零極點(diǎn)（MPZ）等方法對(duì)其離散化得到數(shù)字補(bǔ)償器。直接數(shù)字設(shè)計(jì)是直接建立零階保持器和被控對(duì)象的離散模型，再構(gòu)建包括離散補(bǔ)償器的反饋系統(tǒng)。數(shù)字重設(shè)計(jì)和直接數(shù)字設(shè)計(jì)法在高采樣速率下設(shè)計(jì)的數(shù)字補(bǔ)償器性能差別不是很大，只是在低采樣速率下直接數(shù)字設(shè)計(jì)更加精確。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 環(huán)路補(bǔ)償
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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在現(xiàn)代信息戰(zhàn)中，隨著電子對(duì)抗技術(shù)和裝備的不斷發(fā)展，戰(zhàn)場(chǎng)的電磁環(huán)境更加惡劣，通信的電子戰(zhàn)日益激烈。這就限制了無線電通信在某些特殊的戰(zhàn)術(shù)背景下的應(yīng)用。為了保證通信鏈路的安全順暢，研究各種適用于軍事通信的抗干擾、抗偵收、抗測(cè)向技術(shù)和尋求適應(yīng)于這些特定的環(huán)境下新的通信方式就顯得十分必要。超聲波語音通信就是在這樣的背景下提出來的。本文首先概略的介紹了AM調(diào)制、采樣定理、直接數(shù)字頻率合成等相關(guān)的基礎(chǔ)理論；接著結(jié)合課題的具體要求，提出了基于DDS的基本原理，依托FPGA與單片機(jī)相結(jié)合的硬件平臺(tái)來實(shí)現(xiàn)AM數(shù)字調(diào)幅的方案。設(shè)計(jì)中將軟件無線電的思想滲透其中，將原來運(yùn)用模擬器件構(gòu)建的電路都通過軟件編程的方法來實(shí)現(xiàn)，增加了系統(tǒng)的靈活性。其次，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的硬、軟件設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)的敘述；系統(tǒng)的硬件電路由AM調(diào)制電路和功放電路組成，其中，M調(diào)制電路包括模擬部分、數(shù)字部分、電源部分，它主要完成語音信號(hào)與載波信號(hào)的數(shù)字調(diào)幅功能；功放電路是單獨(dú)的一塊電路板，它主要對(duì)調(diào)幅信號(hào)進(jìn)行功率放大以驅(qū)動(dòng)換能器，從而以超聲波的形式將信息發(fā)出。而且，還詳細(xì)分析了各部分硬件電路的設(shè)計(jì)和工作過程，并給出了相應(yīng)的電路圖。系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)包括有兩個(gè)方面內(nèi)容，一方面是單片機(jī)的軟件設(shè)計(jì)，它主要利用IAR Embeded Workbench開發(fā)環(huán)境，完成系統(tǒng)的界面顯示及各種調(diào)幅參數(shù)的設(shè)置；另一方面是FPGA軟件的設(shè)計(jì)，它主要利用Quartusll開發(fā)軟件，采用VHDL和QuartusII內(nèi)嵌的圖表編輯器的原理圖式圖形輸入法混合編程的方式，編寫了各模塊單元，在FPGA內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了調(diào)幅功能。最后，對(duì)調(diào)制系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果表明系統(tǒng)工作性能穩(wěn)定，基本上達(dá)到了預(yù)期的設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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SI4463收發(fā)器性能如下：頻率范圍= 119-1050 MHz接收靈敏度= -126 dBm調(diào)制（G）FSK，4（G）FSK，（G）MSK OOK最大輸出功率+20 dBm（Si4464 / 63）低有功功耗10/13 mA RX18 mA TX + 10 dBm（Si4460）超低功耗模式30 nA關(guān)機(jī)，50 nA待機(jī)數(shù)據(jù)速率= 100 bps至1 Mbps快速的喚醒和跳躍時(shí)間電源= 1.8至3.6 V優(yōu)異的選擇性能60 dB相鄰?fù)ǖ? MHz時(shí)75 dB阻塞天線分集和T / R開關(guān)控制高可配置的數(shù)據(jù)包處理程序TX和RX 64字節(jié)FIFO自動(dòng)頻率控制（AFC）自動(dòng)增益控制（AGC）低BOM低電量檢測(cè)器溫度感應(yīng)器20引腳QFN封裝IEEE 802.15.4g兼容
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車、燃料電池汽車為代表的新能源汽車是實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排目標(biāo)的重要行業(yè)之一。IGBT模塊作為新能源汽車的核心，其發(fā)展受到廣泛關(guān)注.IGBT模塊發(fā)展的關(guān)鍵在于改善封裝方式。本文指出了日前的封裝材料在電動(dòng)汽車逆變器大功率IGBT模塊的封裝過程中存在的缺陷，引入了新型連接材料納米銀焊膏。為了驗(yàn)證納米銀焊膏的連接性能，以確定其能否應(yīng)用在所需的1GBT模塊的制作過程中，本文首先設(shè)計(jì)了單個(gè)模擬芯片的燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn)，通過微x射線斷層掃描儀、剪切實(shí)驗(yàn)、1描電鏡等檢測(cè)手段，對(duì)燒結(jié)后的連接層進(jìn)行了全方位的檢測(cè)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)雖然連接層沒有發(fā)現(xiàn)明顯的缺陷，但是剪切強(qiáng)度較低，經(jīng)過分析猜想可能是磁控濺射鍍層的質(zhì)量并不十分可靠，因此又設(shè)計(jì)用真芯片和小塊鍍銀銅板的燒結(jié)連接實(shí)驗(yàn)，連接傳況良好，剪切實(shí)驗(yàn)的過程中，發(fā)現(xiàn)是芯片先出現(xiàn)破損，這證明了連接的質(zhì)量是可靠的。因此可以將納米銀焊膏應(yīng)用在IGBT模塊的制作中。本文重點(diǎn)介紹了整個(gè)IGBT模塊的制作方法。采用和之前單個(gè)芯片燒結(jié)相類似的操作過程，完成整個(gè)模塊的燒結(jié)。燒結(jié)完成后通過微 射線斷層掃描儀對(duì)燒結(jié)的質(zhì)量進(jìn)行了檢測(cè)，通過檢測(cè)發(fā)現(xiàn)連接層質(zhì)量良好。模塊燒結(jié)連接之后，更做出最終成型的IGBT模塊，還需要經(jīng)過外殼設(shè)計(jì)與制造、打線、灌度、組裝等工T藝，從而得到最終的成品，并通過晶體管特性測(cè)試儀對(duì)模塊的基本電性能進(jìn)行了檢測(cè)。
標(biāo)簽： 電動(dòng)汽車 逆變器 igbt模塊 封裝
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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在一般較低性能的三相電壓源逆變器中， 各種與電流相關(guān)的性能控制， 通過檢測(cè)直流母線上流入逆變橋的直流電流即可，如變頻器中的自動(dòng)轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償、轉(zhuǎn)差率補(bǔ)償?shù)?。同時(shí)， 這一檢測(cè)結(jié)果也可以用來完成對(duì)逆變單元中IGBT 實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)等功能。因此在這種逆變器中， 對(duì)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的要求相對(duì)比較簡(jiǎn)單， 成本也比較低。這種類型的驅(qū)動(dòng)芯片主要有東芝公司生產(chǎn)的TLP250，夏普公司生產(chǎn)的PC923等等。這里主要針對(duì)TLP250 做一介紹。TLP250 包含一個(gè)GaAlAs 光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測(cè)器， 8腳雙列封裝結(jié)構(gòu)。適合于IGBT 或電力MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路。圖2為TLP250 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖， 表1 給出了其工作時(shí)的真值表。TLP250 的典型特征如下：1） 輸入閾值電流（ IF） ： 5 mA（ 最大） ；2） 電源電流（ ICC） ： 11 mA（ 最大） ；3） 電源電壓（ VCC） ： 10～ 35 V；4） 輸出電流（ IO） ： ± 0.5 A（ 最?。?；5） 開關(guān)時(shí)間（ tPLH /tPHL ） ： 0.5 μ（ s 最 大 ） ；6） 隔離電壓： 2500 Vpms（最小）。表2 給出了TLP250 的開關(guān)特性，表3 給出了TLP250 的推薦工作條件。注： 使 用 TLP250 時(shí) 應(yīng) 在 管 腳 8和 5 間 連 接 一 個(gè) 0.1 μ的 F 陶 瓷 電 容 來穩(wěn)定高增益線性放大器的工作， 提供的旁路作用失效會(huì)損壞開關(guān)性能， 電容和光耦之間的引線長(zhǎng)度不應(yīng)超過1 cm。圖3 和圖4 給出了TLP250 的兩種典型的應(yīng)用電路。
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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本文首先介紹了衛(wèi)星導(dǎo)航接收機(jī)的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)。接著對(duì)比分析了現(xiàn)如今主流的接收機(jī)技術(shù)：超外差式、零中頻式、低中頻式及數(shù)字中頻式結(jié)構(gòu)，介紹了各結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并對(duì)比了相互之間的優(yōu)缺點(diǎn)，然后根據(jù)B1導(dǎo)航信號(hào)的特征參數(shù)要求，確定本文接收機(jī)所采用低中頻結(jié)構(gòu)的技術(shù)指標(biāo)。結(jié)合選擇的芯片參數(shù)搭建系統(tǒng)仿真模型，利用系統(tǒng)仿真軟件ADS對(duì)接收機(jī)前端鏈路進(jìn)行行為級(jí)仿真，驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案的可行性，分模塊設(shè)計(jì)了接收機(jī)前端系統(tǒng)的各功能電路，主要有多級(jí)低噪聲放大器、選頻濾波電路、本振電路、混頻器電路以及系統(tǒng)自動(dòng)增益控制電路。針對(duì)衛(wèi)星導(dǎo)航信號(hào)接收機(jī)前端必須具備高靈敏度、強(qiáng)選擇性以及一定動(dòng)態(tài)范圍的特點(diǎn)，需要平衡設(shè)計(jì)低噪聲放大器噪聲性能與單級(jí)增益，以及折中接收機(jī)前端鏡像頻率抑制性能與信道的選擇性。利用仿真軟件輔助設(shè)計(jì)了電路原理圖與印刷電路板版圖，對(duì)其PCB貼片后進(jìn)行測(cè)試與調(diào)試。最后將調(diào)試好的模塊級(jí)聯(lián)成系統(tǒng)，測(cè)試射頻前端系統(tǒng)的性能并加以冊(cè)NWL.Clogin.com最終實(shí)現(xiàn)的接收機(jī)射頻前端5V電壓供電，接收信號(hào)中心頻率1561.098MHz，鏈路最大增益為122dB，系統(tǒng)噪聲小于2dB.中頻信號(hào)中心頻率46.1MHz，帶寬為4.3MHz，紋波在1.5dB內(nèi)，帶外抑制與鏡像抑制都大于30dB，端口駐波比小于2.0，測(cè)試結(jié)果基本滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。
標(biāo)簽： 北斗二代導(dǎo)航系統(tǒng) 接收機(jī) 射頻前端
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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摘要：對(duì)幾種三相逆變器中常用的IGBT驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行了詳細(xì)的分析，對(duì)TLP250，EXB系列和M579系列進(jìn)行了深入的討論，給出了它們的電氣特性參數(shù)和內(nèi)部功能方框圖，還給出了它們的典型應(yīng)用電路。討論了它們的使用要點(diǎn)及注意事項(xiàng)，對(duì)每種驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了IGBT的驅(qū)動(dòng)實(shí)驗(yàn)，通過有關(guān)的波形驗(yàn)證了它們的特點(diǎn)，最后得出結(jié)論：IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的發(fā)展趨勢(shì)是集過流保護(hù)、驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大功能、能夠外接電源且具有很強(qiáng)抗干擾能力等于一體的復(fù)合型電路。關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極晶體管：集成電路；過流保護(hù)1前言電力電子變換技術(shù)的發(fā)展，使得各種各樣的電力電子器件得到了迅速的發(fā)展.20世紀(jì)80年代，為了給高電壓應(yīng)用環(huán)境提供一種高輸入阻抗的器件，有人提出了絕緣門極雙極型品體管（IGBT）[1].在IGBT中，用一個(gè)MoS門極區(qū)來控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的電流傳輸，這藏產(chǎn)生了一種具有功率MOSFET的高輸入阻抗與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相結(jié)合的非常誘人的器件，它具有控制功率小、開關(guān)速度快和電流處理能力大、飽和壓降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的電源、逆變器、不間斷電源（UPS）和交流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，它是日前最為常見的一種器件。
標(biāo)簽： 三相逆變器 igbt 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2022-06-21
上傳用戶：jiabin
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Analog to Digital Converter，ADC）作為模擬與數(shù)字接口電路的關(guān)鍵模塊，對(duì)性能的要求越來越高。為了滿足這些要求，模數(shù)轉(zhuǎn)換器正朝著低功耗、高分辨率和高速度方向快速發(fā)展。在磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取通道、測(cè)試設(shè)備、纖維光接收器前端和日期通信鏈路等高性能系統(tǒng)中，高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器是最重要的結(jié)構(gòu)單元。因此，對(duì)模數(shù)轉(zhuǎn)換器的性能，尤其是速度的要求與日俱增，甚至是決定系統(tǒng)性能的關(guān)鍵因素。在分析各種結(jié)構(gòu)的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的基礎(chǔ)上，本文設(shè)計(jì)了一個(gè)分辨率為6位，采樣時(shí)鐘為1GS/s的超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器。本設(shè)計(jì)采用的是最適合應(yīng)用于超高速A/D轉(zhuǎn)換器的全并行結(jié)構(gòu)，整個(gè)結(jié)構(gòu)是由分壓電阻階梯，電壓比較器，數(shù)字編碼電路三部分組成。在電路設(shè)計(jì)過程中，主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行分析和改進(jìn)：采用了無采樣/保持電路的全并行結(jié)構(gòu)；在預(yù)放大電路中，使用交叉耦合對(duì)晶體管作為負(fù)載來降低輸入電容和增加放大電路的帶寬，從而提高比較器的比較速度和信噪比；在比較器的輸出端采用時(shí)鐘控制的自偏置差分放大器作為輸出緩沖級(jí)，使得比較輸出結(jié)果能快速轉(zhuǎn)換為數(shù)字電平，以此來提高ADC的轉(zhuǎn)換速度；在編碼電路上，先將比較器輸出的溫度計(jì)碼轉(zhuǎn)換成格雷碼，再把格雷碼轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制碼，這樣進(jìn)一步提高ADC的轉(zhuǎn)換速度和減少誤碼率。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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Tickless Idle Mode（FreeRTOS下的實(shí)現(xiàn)）一前言目前，越來越多的嵌入式產(chǎn)品在開發(fā)中使用RTOS作為軟件平臺(tái)，同時(shí)，開發(fā)中對(duì)低功耗的要求也越來越高，這篇文檔會(huì)討論一下如何在RTOS中處理微控制器的低功耗特性。應(yīng)用中使用的RTOS一般采用基于時(shí)間片輪轉(zhuǎn)的搶占式任務(wù)調(diào)度機(jī)制，一般的低功耗設(shè)計(jì)思路如下：1，當(dāng)ldle任務(wù)運(yùn)行時(shí)，進(jìn)入低功耗模式：2，在適當(dāng)?shù)臈l件下，通過中斷或者外部事件喚醒MCU.但是，從第二點(diǎn)可以看出，每次當(dāng)OS系統(tǒng)定時(shí)器產(chǎn)生中斷時(shí)，也會(huì)將MCU從低功耗模式中喚醒，而頻繁的進(jìn)入低功耗模式/從低功耗模式中喚醒會(huì)使得MCU無法進(jìn)入深度睡眠，對(duì)低功耗設(shè)計(jì)而言也是不合理的。在FreeRTOS中給出了一種低功耗設(shè)計(jì)模式-Tickless Idle Mode，這個(gè)方法可以讓MCU更長(zhǎng)時(shí)間的處于低功耗模式。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
上傳用戶：qingfengchizhu
本論文以西安電子科技大學(xué)電路CAD所的科研項(xiàng)目“電源管理類集成電路關(guān)鍵技術(shù)理論研究與設(shè)計(jì)”為背景，設(shè)計(jì)了一款高性能降壓型DC-DC和LDO雙路輸出控制器XD8912.論文首先對(duì)電源管理技術(shù)的現(xiàn)狀以及發(fā)展趨勢(shì)作了介紹；隨后分析了線性穩(wěn)壓器及開關(guān)穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，并對(duì)電壓模降壓型PWM DC-DC的原理及其環(huán)路穩(wěn)定性做了深入的研究；最后詳細(xì)介紹了XD8912的設(shè)計(jì)過程，包括芯片性能系統(tǒng)規(guī)劃、特性分析、電路實(shí)現(xiàn)以及仿真驗(yàn)證。XD8912不僅集成了大電流、高效率的電壓模降壓型PWM控制器，而且也集成了小電流、低噪聲的線性穩(wěn)壓控制器，可以為高性能顯卡、主板等設(shè)備供電。芯片采用同步整流技術(shù)，避免了肖特基二極管的使用，大大提高了芯片的工作效率。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了微調(diào)電路提高了電壓基準(zhǔn)的精度。設(shè)計(jì)了內(nèi)部頻率補(bǔ)償電路取代芯片外部的補(bǔ)償電容，有效提高了芯片的集成度。另外，芯片還集成了完備的保護(hù)電路，包括過溫保護(hù)、欠壓保護(hù)、過流保護(hù)等.文中對(duì)XD8912的系統(tǒng)及主要功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并基于0.6um BCD工藝，利用Viewdraw，Hspice等EDA軟件，完成了電路的設(shè)計(jì)和前仿真驗(yàn)證仿真結(jié)果表明，電路功能和性能指標(biāo)均已達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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