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偏轉(zhuǎn)(zhuǎn)

  • MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR,不在噪底中迷失

    用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè),分別是:SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無(wú)雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

    標(biāo)簽: THD SINAD ENOB SFDR

    上傳時(shí)間: 2014-01-22

    上傳用戶:魚哥哥你好

  • iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧

    iSensor IMU快速入門指南和偏置優(yōu)化技巧

    標(biāo)簽: iSensor IMU 快速入門

    上傳時(shí)間: 2014-12-23

    上傳用戶:小草123

  • 基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

    標(biāo)簽: MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2014-08-01

    上傳用戶:1109003457

  • 用于圖像分類的有偏特征采樣方法

    為了模擬圖像分類任務(wù)中待分類目標(biāo)的可能分布,使特征采樣點(diǎn)盡可能集中于目標(biāo)區(qū)域,基于Yang的有偏采樣算法提出了一種改進(jìn)的有偏采樣算法。原算法將目標(biāo)基于區(qū)域特征出現(xiàn)的概率和顯著圖結(jié)合起來(lái),計(jì)算用于特征采樣的概率分布圖,使用硬編碼方式對(duì)區(qū)域特征進(jìn)行編碼,導(dǎo)致量化誤差較大。改進(jìn)的算法使用局部約束性編碼代替硬編碼,并且使用更為精確的后驗(yàn)概率計(jì)算方式以及空間金字塔框架,改善了算法性能。在PASCAL VOC 2007和2010兩個(gè)數(shù)據(jù)集上進(jìn)行實(shí)驗(yàn),平均精度比隨機(jī)選取的特征采樣方法能夠提高約0.5%,驗(yàn)證了算法的有效性。

    標(biāo)簽: 圖像分類 特征采樣

    上傳時(shí)間: 2013-10-24

    上傳用戶:wawjj

  • 采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

    計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路,廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ),用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器,并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行,運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

    標(biāo)簽: 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

    上傳用戶:gtzj

  • p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

    在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

    標(biāo)簽: p-n 隧道 擊穿 模型研究

    上傳時(shí)間: 2013-10-31

    上傳用戶:summery

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級(jí)放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應(yīng),在放大器領(lǐng)域有很多的應(yīng)用。本文提出一種COMS工藝下簡(jiǎn)單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應(yīng)用于任意電流密度。根據(jù)飽和電壓和共源共柵級(jí)電流密度的定義,本文提出器件寬長(zhǎng)比與輸出電壓擺幅的關(guān)系,并設(shè)計(jì)一種高擺幅的共源共柵級(jí)偏置電路。

    標(biāo)簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時(shí)間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

  • 磁芯電感器的諧波失真分析

    磁芯電感器的諧波失真分析 摘  要:簡(jiǎn)述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB,從而降低總諧波失真THD的歷史過(guò)程,分析了諸多因數(shù)對(duì)諧波測(cè)量的影響,提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞:比損耗系數(shù), 磁滯常數(shù)ηB ,直流偏置特性DC-Bias,總諧波失真THD  Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033   Abstract:    Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward.  Key words: ratio loss coefficient,hysteresis constant,DC-Bias,THD  近年來(lái),變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家,在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上,進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作,逐步弄清了一些似是而非的問(wèn)題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施,促進(jìn)了質(zhì)量問(wèn)題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。  一、 歷史回顧 總諧波失真(Total harmonic distortion) ,簡(jiǎn)稱THD,并不是什么新的概念,早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17-78“載波用鐵氧體罐形磁心”中,規(guī)定了高μQ材料制作的無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心詳細(xì)的測(cè)試電路和方法。如圖一電路所示,利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測(cè)量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對(duì)比較的實(shí)用方法,專用于無(wú)中心柱配對(duì)罐形磁心的諧波衰耗測(cè)試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測(cè)振蕩器和線路放大器系統(tǒng),其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。  圖中  ZD   —— QF867 型阻容式載頻振蕩器,輸出阻抗 150Ω, Ld47 —— 47KHz 低通濾波器,阻抗 150Ω,阻帶衰耗大于61dB,       Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器,阻抗 150Ω,三次諧波衰耗大于61dB FD   —— 30~50KHz 放大器, 阻抗 150Ω, 增益不小于 43 dB,三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP  —— Qp373 選頻電平表,輸入高阻抗, L ——被測(cè)無(wú)心罐形磁心及線圈, C  ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測(cè)量時(shí),所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝, (線架為一格) , 其空心電感值為 318μH(誤差1%) 被測(cè)磁心配對(duì)安裝好后,先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6~40KHz,  使輸出電平值為+17.4 dB, 即選頻表在 22′端子測(cè)得的主波電平 (P2)為+17.4 dB,然后在33′端子處測(cè)得輸出的三次諧波電平(P3), 則三次諧波衰耗值為:b3(+2)= P2+S+ P3 式中:S 為放大器增益dB 從以往的資料引證, 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測(cè)量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作,其中測(cè)量系統(tǒng)的高、低通濾波器,信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán),阻抗必須匹配,薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成,以保證本身的“潔凈” ,不至于造成對(duì)磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求, 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初,1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠,從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié),出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式,改用真空爐,并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬(wàn)和 100 萬(wàn)的低損耗高穩(wěn)定材料,在此基礎(chǔ)上,還實(shí)現(xiàn)了高μ7000~10000材料的突破,從而大大縮短了與國(guó)外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM(頻率劃分調(diào)制)向PCM(脈沖編碼調(diào)制) 轉(zhuǎn)換時(shí)期, 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬(wàn)為 0.8×10 ,100KHz)的超優(yōu)鐵氧體材料<3>,其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵

    標(biāo)簽: 磁芯 電感器 諧波失真

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

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  • 反激式控制器簡(jiǎn)化了低輸入電壓DCDC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

    LT®3837 從一個(gè) 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓,但可通過(guò)采用一個(gè) VCC 穩(wěn)壓器和 / 或變壓器上的一個(gè)偏壓繞組使該轉(zhuǎn)換器的輸入範(fàn)圍向上擴(kuò)展。

    標(biāo)簽: DCDC 反激式控制器 輸入電壓 轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

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  • N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

     N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu),N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值,只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

    標(biāo)簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

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