本書共11章。 第1章簡要介紹了高電壓功率器件的可能應用， 定義了理想功率開關的電特性， 并與典型器件的電特性進行了比較。 第2章和第3章分析了硅基功率晶閘管和碳化硅基功率晶閘管。 第4章討論了硅門極關斷 （GTO） 晶閘管結構。 第5章致力于分析硅基IGBT結構， 以提供對比分析的標準。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的結構。 碳化硅MOSFET 和IGBT的結構設計重點在于保護柵氧化層， 以防止其提前擊穿。 另外， 必須屏蔽基區，以避免擴展擊穿。 這些器件的導通電壓降由溝道電阻和緩沖層設計所決定。 第8章和第9章討論了金屬氧化物半導體控制晶閘（MCT） 結構和基極電阻控制晶閘管 （BRT） 結構， 后者利用MOS柵控制晶閘管的導通和關斷。 第10章介紹了發射極開關晶閘（EST）， 該種結構也利用一種MOS柵結構來控制晶閘管的導通與關斷， 并可利用IGBT加工工藝來制造。 這種器件具有良好的安全工作區。本書最后一章比較了書中討論的所有高壓功率器件結構。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。 本書適合高等院校有關專業用作教材或專業參考書， 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產企業的工程技術人員作為參考書之用。
標簽： 大功率器件
上傳時間： 2021-11-02
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AC220V轉DC(12V15W )電源板AD設計硬件原理圖+PCB文件，2層板設計，大小為100*55mm, ALTIUM設計的原理圖+PCB文件，可以做為你的學習設計參考。主要器件型號如下：Library Component Count : 24Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------2N3904 NPN General Purpose Amplifier2N3906 PNP General Purpose AmplifierBRIDGE1 Diode BridgeCON2 ConnectorCap CapacitorCap Pol1 Polarized Capacitor (Radial)D Zener Zener DiodeDIODE Diode 1N914 High Conductance Fast DiodeECELECTRO2 Electrolytic CapacitorFP103 FUSE-HHeader 2 Header, 2-PinINDUCTOR2 NMOS-2 N-Channel Power MOSFETPC837 OptoisolatorRES2-B Res Varistor Varistor (Voltage-Sensitive Resistor)T TR-2B TRANS1UCC28051 Volt Reg Voltage Regulator
上傳時間： 2021-11-21
上傳用戶：kent
基于DSP設計的數字化大功率電源數字化全橋變換器電源ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件，包括主板和控制板2個硬件，均為4層板設計，ALTIUM設計的硬件工程文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設計參考。主板原理圖器件如下：Library Component Count : 55Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6CWQ09F Schottky Rectifier7416474HC16474LS1647805 7812 7815 7824 ACT45B 共模電感ARRESTER R27030059BAV99 R26010005BRIDGE R26060153CAPCB CD CON4 ConnectorComponent_1_1 D-1N5819 DiodeDEDIO-SMDELECTRO1 R21010742FUSE R27010205HOLHeader 3 Header, 3-PinHeader 6 Header, 6-PinHeader 7 Header, 7-PinIR1150S JQX-115F-I L0 L2 LBAV70 R26010012LM358MOSFET N NMOS-2 R26110100NPN R26080003OPTOISO1 R25030015PNP PNP TransistorR-NTCR20190006 R20190075R21020037 R21020037/工業B/消費C/瓷片電容/4700pF±20%/250Vac/Y2/Y5U/引腳間距7.5mmR26020054 R26020054/工業A/消費C/快恢復二極管/1000V/1A/1.7V/75ns/SMA/US1M-E3-61TR26030048 R26030048/工業A/消費B/肖特基二極管/1A/100V/0.79V/SMA/SS110LR26030097 R26030097/工業B/肖特基二極管/60V/1A/0.70V/SMA/B160R29030691 R29030691/防雷接地座/最大尺寸7.36*7*10/紫銅鍍錫RES R20190099RES2 RES_1Res3 ResistorTL431 TRANS01TRANS7-9 Transformer UCC3804VARISTOR R27030060ZENERu型槽3.5x7
標簽： tms320f28035 dsp 全橋變換器
上傳時間： 2021-12-22
上傳用戶：aben
DS1302 是 DALLAS 公司推出的涓流充電時鐘芯用 內含有一個實時時鐘/日歷和31字節靜態RAM，通過簡單的串行接口與單片機進行通信。實時時鐘/日歷電路提供秒、分、時、日、日期、月、年的信息，每月的天數和閏年的天數可自動調整，時鐘操作可通過AM/PM指示決定采用24或12 小時格式。DS1302 與單片機之間能簡單地采用同步串行的方式進行通信，僅需用到三個口線: (DRES(復位)，(2)I/O(數據線), (B)SCLK(事行時鐘)。時鐘/RAM的讀/寫數據以會個字節或多達31個字節的字符組方式通信。DS1302 工作時功耗很低，保持數據和時鐘信息時功率小于1mW。 DS1302是由DS1202 改進而來，增加了以下的特性:雙電源管腳用于主電源和備份電源供應，Vcc!為可編程涓流充電電源，附加七個字節存儲器。它廣泛應用于電話、傳真、便攜式儀器以及電池供電的儀器儀表等產品領域。
上傳時間： 2022-01-06
上傳用戶：zhanglei193
PCB聯盟網-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產業的動態和技術，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發展與制造 1、原子結構：原子是由高度密集的質子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發現了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應用于工業已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產品的使 用中退出； 3、半導體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、硒，半導體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結），當結上為正向偏壓時可以導通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結組合成一個器件，導致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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本應用筆記詳細記載了關于羅姆的SiC 器件的特性及使用方法。從分立器件到模塊，面向各種應用，SiC器件的優勢和使用上的注意點，從初次接觸SiC器件到熟知產品的各位，都可以得到應用和幫助
上傳時間： 2022-02-08
上傳用戶：shjgzh
該問題由某客戶提出，發生在STM32F103VDT6 器件上。據其工程師講述：在其產品中，需要使用STM32 的 ADC 對多路模擬信號進行同步采樣。在具體的實現上，采用了 ADC 常規通道的掃描模式來完成這一功能。然而，在調試中過程中發現一個奇怪的現象：當將各路模擬信號的電平設置成相同時，ADC 對各路模擬信號的轉換結果相同，用 A 來表示。改變其中一路模擬信號的電平，并保持其各路模擬信號的電平不變，則 ADC 對該路信號的轉換結果變為 B。然而，此時與其在掃描次序上相鄰的下一路模擬信號的轉換結果也發生
標簽： adc
上傳時間： 2022-02-21
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STM32 F1系列 MCU ATIUM AD集成庫 原理圖庫 PCB 3D封裝庫文件,STM32F1XXXXX全系列原理圖+PCB封裝庫文件，共209個器件型號，CSV text has been written to file : STM32 F1.csvLibrary Component Count : 209Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------STM32F100C4T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C4T7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C6T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C6T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100C6T7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C8T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100C8T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100CBT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100CBT7B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +105癈 Temperature, 48-Pin LQFP, TraySTM32F100R4H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R4T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R4T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 16 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100R6H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R6T6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R6T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R6T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 32 kB Flash, 4 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, Tape and ReelSTM32F100R8H6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100R8T6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100R8T6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 64 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100RBH6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, TraySTM32F100RBH6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin TFBGA, Tape and ReelSTM32F100RBT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RBT6BTR STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 128 kB Flash, 8 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, Tape and ReelSTM32F100RCT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 256 kB Flash, 24 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RDT6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 384 kB Flash, 32 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RDT6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 384 kB Flash, 32 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RET6 STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 512 kB Flash, 32 kB Internal RAM, -40 to +85癈 Temperature, 64-Pin LQFP, TraySTM32F100RET6B STM32 ARM-based 32-bit MCU Value Line with 512 kB Flash, 32 kB Internal RAM, Internal Code B, -40 to +85癈 Temperature, 64-
上傳時間： 2022-04-30
上傳用戶：jiabin
本文件包括了一系列應力測試失效機理、 最低應力測試認證要求的定義及集成電路認證的參考測試條件。 這些測試能夠模擬跌落半導體器件和封裝失效， 目的是能夠相對于一般條件加速跌落失效。 這組測試應該是有區別的使用，每個認證方案應檢查以下： a、任何潛在新的和獨特的失效機理；b、任何應用中無顯現但測試或條件可能會導致失效的情況；c、任何相反地會降低加速失效的極端條件和應用 。使用本文件并不是要解除 IC 供應商對自己內部認證項目的責任性， 其中的使用者被定義為所有按照規格書使用其認證器件的客戶， 客戶有責任去證實確認所有的認證數據與本文件相一致。 供應商對由其規格書里所陳述的器件溫度等級的使用是非常值得提倡的。 此規格的目的是要確定一種器件在應用中能夠通過應力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質和可靠性。 如果成功完成根據本文件各要點需要的測試結果， 那么將允許供應商聲稱他們的零件通過了 AEC Q100認證。供應商可以與客戶協商，可以在樣品尺寸和條件的認證上比文件要求的要放寬些， 但是只有完成要求實現的時候才能認為零件通過了 AEC Q100認證。
上傳時間： 2022-05-08
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摘要：隨薦電力電子設備、交直流電弧爐和電氣化鐵道等非線性、沖擊性負荷的大量接入電網，引起了電網無功功率不足、電壓波動與閃變、三相供電不平衡以及電壓電流波形畸變等其它一系列電能質景問題，并嚴重威脅著電力系繞的安全穩定運行。首先，本文介紹了無功功率的基本概念，介紹了無功功率對電力系統的影響以及無功補償的作用，并詳盡的閘述了國內外無功補償裝置的歷史以及現狀。其次，本文詳細分析了靜止無功補償器（SVC）和靜止無功發生器（SVC）的基本結構，控制方法和工作原理，以及各自優特點。并且闡述了它們的工作特性。再次，本文著重進行了對SVG型靜止無功補償器提高系統電壓的理論研究。利用MATLAB/SIMLINK仿真軟件對SVG工作方式及利用SVG動態提高系統電壓的原理進行仿真研究。并對仿真結果進行了全面外析VRe，本完成了（利t功補t控制器的設計，該控a器a系統硬件上采用了由STC生產的STCIOFO8X單片機作為主控制器。采用ATT7022作為電能檢測芯片，實現電網參數的精確深樣與計算，在系統軟件上采用品剛管控制投切電容器，實現了電容器的快速，無弧的投切。采用全中文液品顯示界面實時顯示系統運行狀況.關；無，SVG，svc，STC10FO8X隨著現代電力電子技術的飛速發展，大量大功率、非線性負荷的接入電網中，使得電網供電質量受到了嚴重的威脅。特別是一些像電弧爐、軋機、整流橋等非線性和沖擊性負荷的大量使用是導致電能質量惡化的最主要來源，造成了一系列嚴重的影響理想狀態的電力供應要求頻率為50Hz，電壓幅值穩定在額定值的標準正弦波形。在三相電網供電系統中，A，B.C三相電壓電流的幅值大小相等、相位差依次落后120度。但當電力用戶的各種用電裝置接入電力系統后，電力供應由理想的電力供應變成了電壓電流偏離這種狀態的非理想狀態。電網中的許多用電負荷都具有低功率因數、非線性、不平衡性和沖擊性的特征，這些特征嚴重地危害著電網的電力供應，可表現在：電壓值跌落或浪涌、各次諧波含量大、電壓波形發生閃變、電壓電流波形失真等，這樣便出現了電能質量問題。實際電網中的電能質量問題主要表現如下：
上傳時間： 2022-06-17
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