對基于BCB的圓片級封裝工藝進行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發展趨勢，是MEMS加速度計產業化的關鍵。選用3000系列BCB材料進行MEMS傳感器的粘結鍵合工藝試驗，解決了圓片級封裝問題，在低溫250 ℃和適當壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實現了加速度計的圓片級封裝，并對相關的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數進行了優化。
標簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：JasonC
用于定量表示ADC動態性能的常用指標有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數)、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態 范圍)
標簽： THD SINAD ENOB SFDR
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：魚哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能?；诩捎嫈灯鞯腘進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
ICL8038 單片函數發生器
標簽： 8038 ICL 函數發生器
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：wushengwu
在PADS中鍋仔片的制作方法
標簽： PADS
上傳時間： 2013-11-18
上傳用戶：michael20
電路如果存在不穩定性因素，就有可能出現振蕩。本文對比分析了傳統LDO和無片電容LDO的零極點，運用電流緩沖器頻率補償設計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補償不僅可減小片上補償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進行了仿真驗證。本文無片外電容LDO的片上補償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz
標簽： LDO 無片外電容 穩定性分析
上傳時間： 2014-12-24
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關電源芯片，測試板加芯片資料
標簽： 4016 XL 高效率 大電流
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