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導(dǎo)盲杖

  • 基于FPGA的紅外圖像非均勻性校正方法

    隨著紅外焦平面陣列的不斷發(fā)展,紅外技術(shù)的應(yīng)用范圍將越來越廣泛。焦平面面陣探測器的一個(gè)最大的缺點(diǎn)是固有的非均勻性。本文首先介紹了紅外熱成像技術(shù)的發(fā)展,討論了紅外焦平面陣列的基本原理和工作方式,分析了紅外非均勻性產(chǎn)生的原因。其次研究了幾種主要的非均勻校正方法以及焦平面陣列元的盲元檢測和補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ瑢t外圖像處理技術(shù)做了研究。 本文研究的探測器是法國ULIS公司的320×240非制冷微測輻射熱計(jì)焦平面陣列探測器。主要研究對其輸出信號進(jìn)行非均勻性校正和圖像增強(qiáng)。最后針對這一課題編寫了基于FPGA的兩點(diǎn)校正、兩點(diǎn)加一點(diǎn)校正、全局非均勻校正算法和紅外圖像直方圖均衡化增強(qiáng)程序,并對三種校正方法做了比較。

    標(biāo)簽: FPGA 紅外圖像 非均勻性校正

    上傳時(shí)間: 2013-08-03

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  • 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)15本

    ·人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與模擬進(jìn)化計(jì)算.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與盲信號處理.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)用教程.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)理論及應(yīng)用.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建造.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)及應(yīng)用.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模型及其應(yīng)用.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)論.pdf人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)——第六代計(jì)算機(jī)的實(shí)現(xiàn).pdf基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的智能診斷.pdf二進(jìn)前項(xiàng)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)----理論及應(yīng)用.pdf電腦人腦化 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò).pdf大腦設(shè)計(jì) 

    標(biāo)簽: 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

    上傳時(shí)間: 2013-04-24

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  • 智能SD卡座規(guī)范

    智能SD卡座規(guī)範(fàn),智能SD卡又名SIMT卡、NFC TF卡、NFC Micro SD卡,可應(yīng)用于近場通訊,移動支付領(lǐng)域,目前由銀聯(lián)主導(dǎo)推行

    標(biāo)簽: SD卡

    上傳時(shí)間: 2013-07-17

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  • 16QAM接收機(jī)解調(diào)芯片的FPGA實(shí)現(xiàn)

    描述了一個(gè)用于微波傳輸設(shè)備的16QAM接收機(jī)解調(diào)芯片的FPGA實(shí)現(xiàn),芯片集成了定時(shí)恢復(fù)、載波恢復(fù)和自適應(yīng)盲判決反饋均衡器(DFE),采用恒模算法(CMA)作為均衡算法。芯片支持高達(dá)25M波特的符號速率,在一片EP1C12Q240C8(ALTERA)上實(shí)現(xiàn),即將用于量產(chǎn)的微波傳輸設(shè)備中。\\r\\n

    標(biāo)簽: FPGA QAM 16 接收機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-08-22

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  • 電位計(jì)訊號轉(zhuǎn)換器

    電位計(jì)訊號轉(zhuǎn)換器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.產(chǎn)品說明 AT系列轉(zhuǎn)換器/分配器主要設(shè)計(jì)使用于一般訊號迴路中之轉(zhuǎn)換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(jì)(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機(jī)種齊全。 此款薄型設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發(fā)電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設(shè)計(jì)了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現(xiàn)場施工及工作狀態(tài)檢視。 2.產(chǎn)品特點(diǎn) 可選擇帶指撥開關(guān)切換,六種常規(guī)輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設(shè)計(jì)了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現(xiàn)場工作狀態(tài)檢視。 規(guī)格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導(dǎo)軌安裝。 依據(jù)CE國際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范設(shè)計(jì)。 3.技術(shù)規(guī)格 用途:信號轉(zhuǎn)換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 輸入范圍:P1:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2:0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精確度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 偵測電壓:1.6V 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應(yīng)時(shí)間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個(gè)別調(diào)整 零點(diǎn)校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個(gè)別調(diào)整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規(guī)格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結(jié)露 溫度系數(shù): ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護(hù)等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質(zhì): ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導(dǎo)軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規(guī)范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規(guī)格:AT-PM1-P1-DN-ADL 電位計(jì)訊號轉(zhuǎn)換器,一組輸出,輸入范圍:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ,輸出一組輸出4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標(biāo)簽: 電位計(jì) 訊號 轉(zhuǎn)換器

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

    上傳用戶:feitian920

  • 印刷電路板的過孔設(shè)置原則

    過孔(via)是多層PCB的重要組成部分之一,鉆孔的費(fèi)用通常占PCB制板費(fèi)用的30%到40%。簡單的說來,PCB上的每一個(gè)孔都可以稱之為過孔。從作用上看,過孔可以分成兩類:一是用作各層間的電氣連接;二是用作器件的固定或定位。如果從工藝制程上來說,這些過孔一般又分為三類,即盲孔(blind via)、埋孔(buried via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷線路板的頂層和底層表面,具有一定深度,用于表層線路和下面的內(nèi)層線路的連接,孔的深度通常不超過一定的比率(孔徑)。埋孔是指位于印刷線路板內(nèi)層的連接孔,它不會延伸到線路板的表面。上述兩類孔都位于線路板的內(nèi)層,層壓前利用通孔成型工藝完成,在過孔形成過程中可能還會重疊做好幾個(gè)內(nèi)層。第三種稱為通孔,這種孔穿過整個(gè)線路板,可用于實(shí)現(xiàn)內(nèi)部互連或作為元件的安裝定位孔。由于通孔在工藝上更易于實(shí)現(xiàn),成本較低,所以絕大部分印刷電路板均使用它,而不用另外兩種過孔。以下所說的過孔,沒有特殊說明的,均作為通孔考慮。

    標(biāo)簽: 印刷電路板 過孔

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

    上傳用戶:chenhr

  • pcb layout design(臺灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí),晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

    經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

    標(biāo)簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時(shí)間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 可替代整合型MOSFET的獨(dú)立元件

    在電源設(shè)計(jì)中,工程人員時(shí)常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題,或者因?yàn)殚l極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大。為解決這些問題,工程人員通常會採用外部驅(qū)動器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動器解決方案,但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗x擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。

    標(biāo)簽: MOSFET 獨(dú)立元件

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:阿譚電器工作室

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