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氮化鎵<b>功率器件</b>

  • 第三代半導體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)

    作者:何亮,劉揚論文摘要:氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ,非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ,具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ,其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) (p 型 柵 )和 共 源 共 柵 級 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ,并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點 ,業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實用 化 ,仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。

    標簽: 第三代半導體 GaN 功率開關(guān)器件

    上傳時間: 2021-12-08

    上傳用戶:XuVshu

  • IGBT驅(qū)動電路模塊化設計.rar

     近年來,igbt功率器件在電機控制、開關(guān)電源和變流設備等領(lǐng)域的應用已經(jīng)非常廣泛。igbt的驅(qū)動包括專門的驅(qū)動電路,以及過流保護電路等。本文設計參考了三菱、西門康等公司生產(chǎn)的igbt驅(qū)動模塊,加入了接口選擇模塊、功能選擇模塊、電源模塊、功率補充模塊等,實現(xiàn)了整個驅(qū)動電路的模塊化設計。單個模塊可以驅(qū)動一個橋臂的上下兩個igbt。可以通過方波控制或者spwm控制[1]等控制方式,驅(qū)動單相或者三相逆變器。

    標簽: IGBT 驅(qū)動電路 模塊化設計

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:遠遠ssad

  • 誼邦電子-半導體測試專家-IGBT測試-功率器件測試-分立器件全參數(shù)測試

    西安誼邦電子 公司引進美國的先進半導體測試技術(shù),在此基礎上研制生產(chǎn)了YB6000系列半導體分立器件測試系統(tǒng),該測試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術(shù)特點,各項技術(shù)指標均達到國際領(lǐng)先水平。其雄厚的技術(shù)實力,多年的開發(fā)產(chǎn)品經(jīng)驗和獨特嚴謹?shù)脑O計方案使誼邦電子YB系列測試系統(tǒng)性能更加超群,品質(zhì)更為可靠穩(wěn)定。誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及高端集成電路測試、半導體分立器件測試和各種客戶產(chǎn)品測試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應用于軍工、汽車、飛機、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 西安誼邦憑借較強的技術(shù)實力和完善的科學管理,能夠給用戶提供完善的售前售后技術(shù)支持。科技創(chuàng)新、服務無限,是我們工作的宗旨。

    標簽: IGBT 測試 電子 半導體測試

    上傳時間: 2013-10-30

    上傳用戶:yangqian

  • MSP430系列flash型超低功耗16位單片機

    MSP430系列flash型超低功耗16位單片機MSP430系列單片機在超低功耗和功能集成等方面有明顯的特點。該系列單片機自問世以來,頗受用戶關(guān)注。在2000年該系列單片機又出現(xiàn)了幾個FLASH型的成員,它們除了仍然具備適合應用在自動信號采集系統(tǒng)、電池供電便攜式裝置、超長時間連續(xù)工作的設備等領(lǐng)域的特點外,更具有開發(fā)方便、可以現(xiàn)場編程等優(yōu)點。這些技術(shù)特點正是應用工程師特別感興趣的。《MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機》對該系列單片機的FLASH型成員的原理、結(jié)構(gòu)、內(nèi)部各功能模塊及開發(fā)方法與工具作詳細介紹。MSP430系列FLASH型超低功耗16位單片機 目錄  第1章 引 論1.1 MSP430系列單片機1.2 MSP430F11x系列1.3 MSP430F11x1系列1.4 MSP430F13x系列1.5 MSP430F14x系列第2章 結(jié)構(gòu)概述2.1 引 言2.2 CPU2.3 程序存儲器2.4 數(shù)據(jù)存儲器2.5 運行控制2.6 外圍模塊2.7 振蕩器與時鐘發(fā)生器第3章 系統(tǒng)復位、中斷及工作模式3.1 系統(tǒng)復位和初始化3.1.1 引 言3.1.2 系統(tǒng)復位后的設備初始化3.2 中斷系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.3 MSP430 中斷優(yōu)先級3.3.1 中斷操作--復位/NMI3.3.2 中斷操作--振蕩器失效控制3.4 中斷處理 3.4.1 SFR中的中斷控制位3.4.2 中斷向量地址3.4.3 外部中斷3.5 工作模式3.5.1 低功耗模式0、1(LPM0和LPM1)3.5.2 低功耗模式2、3(LPM2和LPM3)3.5.3 低功耗模式4(LPM4)22 3.6 低功耗應用的要點23第4章 存儲空間4.1 引 言4.2 存儲器中的數(shù)據(jù)4.3 片內(nèi)ROM組織4.3.1 ROM 表的處理4.3.2 計算分支跳轉(zhuǎn)和子程序調(diào)用4.4 RAM 和外圍模塊組織4.4.1 RAM4.4.2 外圍模塊--地址定位4.4.3 外圍模塊--SFR4.5 FLASH存儲器4.5.1 FLASH存儲器的組織4.5.2 FALSH存儲器的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)4.5.3 FLASH存儲器的控制寄存器4.5.4 FLASH存儲器的安全鍵值與中斷4.5.5 經(jīng)JTAG接口訪問FLASH存儲器39第5章 16位CPU5.1 CPU寄存器5.1.1 程序計數(shù)器PC5.1.2 系統(tǒng)堆棧指針SP5.1.3 狀態(tài)寄存器SR5.1.4 常數(shù)發(fā)生寄存器CG1和CG25.2 尋址模式5.2.1 寄存器模式5.2.2 變址模式5.2.3 符號模式5.2.4 絕對模式5.2.5 間接模式5.2.6 間接增量模式5.2.7 立即模式5.2.8 指令的時鐘周期與長度5.3 指令組概述5.3.1 雙操作數(shù)指令5.3.2 單操作數(shù)指令5.3.3 條件跳轉(zhuǎn)5.3.4 模擬指令的簡短格式5.3.5 其他指令第6章 硬件乘法器6.1 硬件乘法器6.2 硬件乘法器操作6.2.1 無符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.2 有符號數(shù)相乘(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.3 無符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.2.4 有符號數(shù)乘加(16位×16位、16位×8位、8位×16位、8位×8位)6.3 硬件乘法器寄存器6.4 硬件乘法器的軟件限制6.4.1 尋址模式6.4.2 中斷程序6.4.3 MACS第7章 基礎時鐘模塊7.1 基礎時鐘模塊7.2 LFXT1與XT27.2.1 LFXT1振蕩器7.2.2 XT2振蕩器7.2.3 振蕩器失效檢測7.2.4 XT振蕩器失效時的DCO7.3 DCO振蕩器7.3.1 DCO振蕩器的特性7.3.2 DCO調(diào)整器7.4 時鐘與運行模式7.4.1 由PUC啟動7.4.2 基礎時鐘調(diào)整7.4.3 用于低功耗的基礎時鐘特性7.4.4 選擇晶振產(chǎn)生MCLK7.4.5 時鐘信號的同步7.5 基礎時鐘模塊控制寄存器7.5.1 DCO時鐘頻率控制7.5.2 振蕩器與時鐘控制寄存器7.5.3 SFR控制位第8章 輸入輸出端口8.1 引 言8.2 端口P1、P28.2.1 P1、P2的控制寄存器8.2.2 P1、P2的原理8.2.3 P1、P2的中斷控制功能8.3 端口P3、P4、P5和P68.3.1 端口P3、P4、P5和P6的控制寄存器8.3.2 端口P3、P4、P5和P6的端口邏輯第9章 看門狗定時器WDT9.1 看門狗定時器9.2 WDT寄存器9.3 WDT中斷控制功能9.4 WDT操作第10章 16位定時器Timer_A10.1 引 言10.2 Timer_A的操作10.2.1 定時器模式控制10.2.2 時鐘源選擇和分頻10.2.3 定時器啟動10.3 定時器模式10.3.1 停止模式10.3.2 增計數(shù)模式10.3.3 連續(xù)模式10.3.4 增/減計數(shù)模式10.4 捕獲/比較模塊10.4.1 捕獲模式10.4.2 比較模式10.5 輸出單元10.5.1 輸出模式10.5.2 輸出控制模塊10.5.3 輸出舉例10.6 Timer_A的寄存器10.6.1 Timer_A控制寄存器TACTL10.6.2 Timer_A寄存器TAR10.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx10.6.4 Timer_A中斷向量寄存器10.7 Timer_A的UART應用 第11章 16位定時器Timer_B11.1 引 言11.2 Timer_B的操作11.2.1 定時器長度11.2.2 定時器模式控制11.2.3 時鐘源選擇和分頻11.2.4 定時器啟動11.3 定時器模式11.3.1 停止模式11.3.2 增計數(shù)模式11.3.3 連續(xù)模式11.3.4 增/減計數(shù)模式11.4 捕獲/比較模塊11.4.1 捕獲模式11.4.2 比較模式11.5 輸出單元11.5.1 輸出模式11.5.2 輸出控制模塊11.5.3 輸出舉例11.6 Timer_B的寄存器11.6.1 Timer_B控制寄存器TBCTL11.6.2 Timer_B寄存器TBR11.6.3 捕獲/比較控制寄存器CCTLx11.6.4 Timer_B中斷向量寄存器第12章 USART通信模塊的UART功能12.1 異步模式12.1.1 異步幀格式12.1.2 異步通信的波特率發(fā)生器12.1.3 異步通信格式12.1.4 線路空閑多機模式12.1.5 地址位多機通信格式12.2 中斷和中斷允許12.2.1 USART接收允許12.2.2 USART發(fā)送允許12.2.3 USART接收中斷操作12.2.4 USART發(fā)送中斷操作12.3 控制和狀態(tài)寄存器12.3.1 USART控制寄存器UCTL12.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL12.3.3 接收控制寄存器URCTL12.3.4 波特率選擇和調(diào)整控制寄存器12.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF12.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF12.4 UART模式,低功耗模式應用特性12.4.1 由UART幀啟動接收操作12.4.2 時鐘頻率的充分利用與UART的波特率12.4.3 多處理機模式對節(jié)約MSP430資源的支持12.5 波特率計算 第13章 USART通信模塊的SPI功能13.1 USART同步操作13.1.1 SPI模式中的主模式13.1.2 SPI模式中的從模式13.2 中斷與控制功能 13.2.1 USART接收/發(fā)送允許位及接收操作13.2.2 USART接收/發(fā)送允許位及發(fā)送操作13.2.3 USART接收中斷操作13.2.4 USART發(fā)送中斷操作13.3 控制與狀態(tài)寄存器13.3.1 USART控制寄存器13.3.2 發(fā)送控制寄存器UTCTL13.3.3 接收控制寄存器URCTL13.3.4 波特率選擇和調(diào)制控制寄存器13.3.5 USART接收數(shù)據(jù)緩存URXBUF13.3.6 USART發(fā)送數(shù)據(jù)緩存UTXBUF第14章 比較器Comparator_A14.1 概 述14.2 比較器A原理14.2.1 輸入模擬開關(guān)14.2.2 輸入多路切換14.2.3 比較器14.2.4 輸出濾波器14.2.5 參考電平發(fā)生器14.2.6 比較器A中斷電路14.3 比較器A控制寄存器14.3.1 控制寄存器CACTL114.3.2 控制寄存器CACTL214.3.3 端口禁止寄存器CAPD14.4 比較器A應用14.4.1 模擬信號在數(shù)字端口的輸入14.4.2 比較器A測量電阻元件14.4.3 兩個獨立電阻元件的測量系統(tǒng)14.4.4 比較器A檢測電流或電壓14.4.5 比較器A測量電流或電壓14.4.6 測量比較器A的偏壓14.4.7 比較器A的偏壓補償14.4.8 增加比較器A的回差第15章 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1215.1 概 述15.2 ADC12的工作原理及操作15.2.1 ADC內(nèi)核15.2.2 參考電平15.3 模擬輸入與多路切換15.3.1 模擬多路切換15.3.2 輸入信號15.3.3 熱敏二極管的使用15.4 轉(zhuǎn)換存儲15.5 轉(zhuǎn)換模式15.5.1 單通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.2 序列通道單次轉(zhuǎn)換模式15.5.3 單通道重復轉(zhuǎn)換模式15.5.4 序列通道重復轉(zhuǎn)換模式15.5.5 轉(zhuǎn)換模式之間的切換15.5.6 低功耗15.6 轉(zhuǎn)換時鐘與轉(zhuǎn)換速度15.7 采 樣15.7.1 采樣操作15.7.2 采樣信號輸入選擇15.7.3 采樣模式15.7.4 MSC位的使用15.7.5 采樣時序15.8 ADC12控制寄存器15.8.1 控制寄存器ADC12CTL0和ADC12CTL115.8.2 轉(zhuǎn)換存儲寄存器ADC12MEMx15.8.3 控制寄存器ADC12MCTLx15.8.4 中斷標志寄存器ADC12IFG.x和中斷允許寄存器ADC12IEN.x15.8.5 中斷向量寄存器ADC12IV15.9 ADC12接地與降噪第16章 FLASH型芯片的開發(fā)16.1 開發(fā)系統(tǒng)概述16.1.1 開發(fā)技術(shù)16.1.2 MSP430系列的開發(fā)16.1.3 MSP430F系列的開發(fā)16.2 FLASH型的FET開發(fā)方法16.2.1 MSP430芯片的JTAG接口16.2.2 FLASH型仿真工具16.3 FLASH型的BOOT ROM16.3.1 標準復位過程和進入BSL過程16.3.2 BSL的UART協(xié)議16.3.3 數(shù)據(jù)格式16.3.4 退出BSL16.3.5 保護口令16.3.6 BSL的內(nèi)部設置和資源附錄A 尋址空間附錄B 指令說明B.1 指令匯總B.2 指令格式B.3 不增加ROM開銷的模擬指令B.4 指令說明(字母順序)B.5 用幾條指令模擬的宏指令附錄C MSP430系列單片機參數(shù)表附錄D MSP430系列單片機封裝形式附錄E MSP430系列器件命名

    標簽: flash MSP 430 超低功耗

    上傳時間: 2014-04-28

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  • 1.有三根桿子A,B,C。A桿上有若干碟子 2.每次移動一塊碟子,小的只能疊在大的上面 3.把所有碟子從A桿全部移到C桿上 經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)

    1.有三根桿子A,B,C。A桿上有若干碟子 2.每次移動一塊碟子,小的只能疊在大的上面 3.把所有碟子從A桿全部移到C桿上 經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn),漢諾塔的破解很簡單,就是按照移動規(guī)則向一個方向移動金片: 如3階漢諾塔的移動:A→C,A→B,C→B,A→C,B→A,B→C,A→C 此外,漢諾塔問題也是程序設計中的經(jīng)典遞歸問題

    標簽: 移動 發(fā)現(xiàn)

    上傳時間: 2016-07-25

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  • 溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void)

    溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void) { int a=73,b=85,c=66 { if (a>=90) printf("a=A等級!!\n") else if (a>=80) printf("73分=B等級!!\n") else if (a>=70) printf("73分=C等級!!\n") else if (a>=60) printf("73分=D等級!!\n") else if (a<60) printf("73分=E等級!!\n") } { if (b>=90) printf("b=A等級!!\n") else if (b>=80) printf("85分=B等級!!\n") else if (b>=70) printf("85分=C等級!!\n") else if (b>=60) printf("85分=D等級!!\n") else if (b<60) printf("85分=E等級!!\n") } { if (c>=90) printf("c=A等級!!\n") else if (c>=80) printf("66分=B等級!!\n") else if (c>=70) printf("66分=C等級!!\n") else if (c>=60) printf("66分=D等級!!\n") else if (c<60) printf("66分=E等級!!\n") } system("pause") return 0 }

    標簽: include stdlib stdio gt

    上傳時間: 2014-11-10

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  • 溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void)

    溫度華氏轉(zhuǎn)變攝氏 #include <stdio.h> #include <stdlib.h> enum x {A,B,C,D,E} int main(void) { int a=73,b=85,c=66 { if (a>=90) printf("a=A等級!!\n") else if (a>=80) printf("73分=B等級!!\n") else if (a>=70) printf("73分=C等級!!\n") else if (a>=60) printf("73分=D等級!!\n") else if (a<60) printf("73分=E等級!!\n") } { if (b>=90) printf("b=A等級!!\n") else if (b>=80) printf("85分=B等級!!\n") else if (b>=70) printf("85分=C等級!!\n") else if (b>=60) printf("85分=D等級!!\n") else if (b<60) printf("85分=E等級!!\n") } { if (c>=90) printf("c=A等級!!\n") else if (c>=80) printf("66分=B等級!!\n") else if (c>=70) printf("66分=C等級!!\n") else if (c>=60) printf("66分=D等級!!\n") else if (c<60) printf("66分=E等級!!\n") } system("pause") return 0 }

    標簽: include stdlib stdio gt

    上傳時間: 2013-12-12

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  • 給定兩個集合A、B

    給定兩個集合A、B,集合內(nèi)的任一元素x滿足1 ≤ x ≤ 109,并且每個集合的元素個數(shù)不大于105。我們希望求出A、B之間的關(guān)系。 任 務 :給定兩個集合的描述,判斷它們滿足下列關(guān)系的哪一種: A是B的一個真子集,輸出“A is a proper subset of B” B是A的一個真子集,輸出“B is a proper subset of A” A和B是同一個集合,輸出“A equals B” A和B的交集為空,輸出“A and B are disjoint” 上述情況都不是,輸出“I m confused!”

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    上傳時間: 2017-03-15

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  • 功率半導體器件———原理 特性和可靠性

    本書介紹了功率半導體器件的原理、 結(jié)構(gòu)、 特性和可靠性技術(shù), 器件部分涵蓋了當前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導體器件, 包括二極管、 晶閘管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外, 還包含了制造工藝、 測試技術(shù)和損壞機理分析。 就其內(nèi)容的全面性和結(jié)構(gòu)的完整性來說, 在同類專業(yè)書籍中是不多見的。本書內(nèi)容新穎, 緊跟時代發(fā)展, 除了介紹經(jīng)典的功率二極管、 晶閘管外, 還重點介紹了MOSFET、 IGBT 等現(xiàn)代功率器件, 頗為難得的是收入了近年來有關(guān)功率半導體器件的最新的成果。 本書是一本精心編著, 并根據(jù)作者多年教學經(jīng)驗和工程實踐不斷補充更新的好書, 相信它的翻譯出版, 必將有助于我國電力電子事業(yè)的發(fā)展。本書的讀者對象包括在校學生、 功率器件設計制造和電力電子應用領(lǐng)域的工程技術(shù)人員及其他相關(guān)專業(yè)人員。 本書適合高等院校有關(guān)專業(yè)用作教材或?qū)I(yè)參考書, 亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生產(chǎn)企業(yè)的工程技術(shù)人員作為參考書之用。

    標簽: 功率半導體器件

    上傳時間: 2021-11-07

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  • 半導體云講堂——寬禁帶半導體(GaN SiC)材料及器件測試

    半導體云講堂——寬禁帶半導體(GaN、SiC)材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀, 范德堡法為更通用的四探針測量技術(shù),對樣品形狀沒有要求, 且不需要測量樣品所有尺寸, 但需滿足以下四個條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個觸點必須位于樣品的邊緣。

    標簽: 半導體 gan sic

    上傳時間: 2022-01-03

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