利用actel公司的proasic3系列FPGA A3P030,VHDL編程,實(shí)現(xiàn)對(duì)LCD模塊1602C的顯示控制.已經(jīng)調(diào)試通過(guò).已經(jīng)形成模版,可以進(jìn)一步使用開(kāi)發(fā).
標(biāo)簽： proasic3 actel 1602C FPGA
上傳時(shí)間： 2013-08-12
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一種基于FPGA實(shí)現(xiàn)的FFT結(jié)構(gòu)\\r\\n調(diào)從基本元器件開(kāi)始的計(jì)算機(jī)硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),大多設(shè)置在自動(dòng)控制系,形成了與應(yīng)用系統(tǒng)結(jié)合的計(jì)算機(jī)教育。 1966年多處理器平臺(tái)FPGA 學(xué)習(xí)目標(biāo) (1) 理解為什么嵌入式系統(tǒng)使用多處理器 (2) 指出處理器中CPU和硬件邏輯的折衷
標(biāo)簽： FPGA FFT
上傳時(shí)間： 2013-08-20
上傳用戶(hù)：linlin
華為FPGA設(shè)計(jì)流程指南:本部門(mén)所承擔(dān)的FPGA設(shè)計(jì)任務(wù)主要是兩方面的作用：系統(tǒng)的原型實(shí)現(xiàn)和ASIC的原型驗(yàn)證。編寫(xiě)本流程的目的是：在于規(guī)范整個(gè)設(shè)計(jì)流程，實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)的合理性、一致性、高效性。形成風(fēng)格良好和完整的文檔。實(shí)現(xiàn)在FPGA不同廠家之間以及從FPGA到ASIC的順利移植。便于新員工快速掌握本部門(mén)FPGA的設(shè)計(jì)流程。\r\n
標(biāo)簽： FPGA 華為 設(shè)計(jì)流程
上傳時(shí)間： 2013-08-22
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學(xué)習(xí)單片機(jī)、CPLD其實(shí)關(guān)鍵是實(shí)踐，從51入門(mén)是個(gè)好選擇，但不要停留在起點(diǎn)，學(xué)單片機(jī)方法得當(dāng)是瞬間的事！但用好，就不好說(shuō)了，一輩子都要努力隨著產(chǎn)品控制技術(shù)的進(jìn)步，CPLD與單片機(jī)的聯(lián)系越來(lái)越密切，學(xué)會(huì)靈活應(yīng)用cpld已經(jīng)作為我們工程技術(shù)人 員的基本要求，抓緊時(shí)間學(xué)習(xí)吧，面對(duì)復(fù)雜的任務(wù)您就能應(yīng)對(duì)自如，您的未來(lái)將更美好。 我們推薦這款實(shí)驗(yàn)CPLD+51MCU學(xué)習(xí)板，主要特色是集成了具有ISP功能的CPLD和Flash單片機(jī)，可以單獨(dú)完成單片機(jī)和CPLD的實(shí)驗(yàn)，也可以通過(guò)跳線把單片機(jī)和CPLD聯(lián)合起來(lái)形成一個(gè)應(yīng)
標(biāo)簽： CPLD MCU 51 實(shí)驗(yàn)
上傳時(shí)間： 2013-08-31
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在國(guó)內(nèi)Protel軟件一直大受歡迎，從DOS時(shí)代的Protel3.3(Autotrax 1.61)到現(xiàn)在具有EDA Client/Server （客戶(hù)/服務(wù)器）即C/S“框架”體系結(jié)構(gòu)的Protel98，它始終是PCB設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的大眾化工具軟件，成為電子設(shè)計(jì)工作者們的首選。 在規(guī)范化的設(shè)計(jì)管理中，設(shè)計(jì)文件圖樣必須遵守相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，如《電子產(chǎn)品圖樣繪制規(guī)則》、《設(shè)計(jì)文件管理制圖》和《印制板制圖》等，而由于Protel軟件都是英文版，因此無(wú)法直接打印出符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的圖紙，要將圖紙規(guī)范化常用的方式是套打，即先將符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的表和漢字等打在紙上，再將該紙放入打印機(jī)，用Protel軟件將印制板圖打印其上，形成符合標(biāo)準(zhǔn)的文件，但這種做法效率很低，而且圖形常會(huì)打偏，有時(shí)甚至?xí)蚍矗?jīng)筆者試驗(yàn)，找到了一種簡(jiǎn)便的方法，使印制板圖轉(zhuǎn)換為AUTOCAD格式，再在AUTOCAD里一次性打印出符合標(biāo)準(zhǔn)的圖紙。
標(biāo)簽： AUTOCAD PROTEL 文件轉(zhuǎn)換 打印
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶(hù)：Wwill
數(shù)字容性隔離器的應(yīng)用環(huán)境通常包括一些大型電動(dòng)馬達(dá)、發(fā)電機(jī)以及其他產(chǎn)生強(qiáng)電磁場(chǎng)的設(shè)備。暴露在這些磁場(chǎng)中，可引起潛在的數(shù)據(jù)損壞問(wèn)題，因?yàn)殡妱?shì)（EMF，即這些磁場(chǎng)形成的電壓）會(huì)干擾數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸。由于存在這種潛在威脅，因此許多數(shù)字隔離器用戶(hù)都要求隔離器具備高磁場(chǎng)抗擾度 (MFI)。許多數(shù)字隔離器技術(shù)都聲稱(chēng)具有高 MFI，但容性隔離器卻因其設(shè)計(jì)和內(nèi)部結(jié)構(gòu)擁有幾乎無(wú)窮大的MFI。本文將對(duì)其設(shè)計(jì)進(jìn)行詳細(xì)的介紹。
標(biāo)簽： 數(shù)字 隔離器 磁場(chǎng)抗擾度
上傳時(shí)間： 2013-10-26
上傳用戶(hù)：litianchu
單端雙極輸入信號(hào)的推薦電路如圖 1 所示。Vs+ 是放大器的電源；負(fù)電源輸入接地。VIN 為輸入信號(hào)源，其表現(xiàn)為一個(gè)在接地電位（±0 V）附近擺動(dòng)的接地參考信號(hào)，從而形成一個(gè)雙極信號(hào)。RG 和 RF 為放大器的主增益設(shè)置電阻。VOUT+和 VOUT- 為 ADC 的差動(dòng)輸出信號(hào)。它們的相位差為 180o，并且電平轉(zhuǎn)換為VOCM。
標(biāo)簽： ADC 輸入電壓 單電源 差動(dòng)放大器
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶(hù)：15527161163
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
標(biāo)簽： CoolMos 制造
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中使用的電子控制必須能在惡劣的電氣環(huán)境中提供較高的系統(tǒng)性能。電源電路會(huì)在電機(jī)繞組上導(dǎo)致電壓沿激增現(xiàn)象，而這些電壓沿則可以電容耦合進(jìn)低電壓電路之中。電源電路中，電源開(kāi)關(guān)和寄生元件的非理想行為也會(huì)產(chǎn)生感性耦合噪聲。控制電路與電機(jī)和傳感器之間的長(zhǎng)電纜形成多種路徑，可將噪聲耦合到控制反饋信號(hào)中。高性能驅(qū)動(dòng)器需要必須與高噪聲電源電路隔離開(kāi)的高保真反饋控制和信號(hào)。在典型的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，包括隔離柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以便將逆變器、電流和位置反饋信號(hào)驅(qū)動(dòng)到電機(jī)控制器，以及隔離各子系統(tǒng)之間的通信信號(hào)。實(shí)現(xiàn)信號(hào)隔離時(shí)，不得犧牲信號(hào)路徑的帶寬，也不得顯著增加系統(tǒng)成本。光耦合器是跨越隔離柵實(shí)現(xiàn)安全隔離的傳統(tǒng)方法。盡管光耦合器已使用數(shù)十年，其不足也會(huì)影響系統(tǒng)級(jí)性能。
標(biāo)簽： 數(shù)字隔離器 工業(yè)電機(jī) 帶來(lái) 性能
上傳時(shí)間： 2013-11-03
上傳用戶(hù)：jhs541019
近年來(lái)，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化： 一個(gè)是數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上（稱(chēng)為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。 數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對(duì)噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢(shì)。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號(hào)，需要模擬信號(hào)處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號(hào)放大，很高頻率和寬頻帶信號(hào)的實(shí)時(shí)處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。 片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高，對(duì)模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。 作為研究生課程的教材，本書(shū)內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展，同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問(wèn)題，重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書(shū)共7章，大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識(shí)。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對(duì)模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡(jiǎn)單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過(guò)程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)，讀者可以通過(guò)對(duì)該章所介紹的相關(guān)背景知識(shí)的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來(lái)逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對(duì)數(shù)域電路，它們?cè)谔岣吖ぷ黝l率、降低電源電壓、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開(kāi)拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號(hào)載體的電路不同，這是一種以電流作為信號(hào)載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號(hào)載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開(kāi)關(guān)電容與開(kāi)關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類(lèi)似于數(shù)字電路，處理的是時(shí)間離散信號(hào)，又類(lèi)似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號(hào)，它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù)，解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對(duì)數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類(lèi)電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實(shí)現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號(hào)和信號(hào)處理聯(lián)系密切，有助于在信號(hào)和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類(lèi)型，包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對(duì)數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號(hào)，射頻前端電路的性能對(duì)整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。 〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書(shū)是在為研究生開(kāi)設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫(xiě)，第6章由王志華編寫(xiě)，第5章由李永明和董在望編寫(xiě)，第2、3章由董在望編寫(xiě)，李國(guó)林參加了部分章節(jié)的校核工作。 本書(shū)可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書(shū)，也可作為本科教學(xué)參考書(shū)或選修課教材和供相關(guān)專(zhuān)業(yè)的工程技術(shù)人員參考。 清華大學(xué)出版社多位編輯為本書(shū)的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。 限于編者水平，難免有錯(cuò)誤和疏漏之處，歡迎批評(píng)指正。 目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號(hào)模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.3兩級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開(kāi)關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源 思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對(duì)頻率特性的影響 思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開(kāi)關(guān)電容電路和開(kāi)關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開(kāi)關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開(kāi)關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開(kāi)關(guān)電容電路 3.2.1開(kāi)關(guān)電容單元電路 3.2.2開(kāi)關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開(kāi)關(guān)電流電路 3.3.1開(kāi)關(guān)電流單元電路 3.3.2開(kāi)關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響 思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類(lèi) 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類(lèi)型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過(guò)采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器 思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對(duì)數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對(duì)數(shù)域電路基本單元 5.3.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開(kāi)關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開(kāi)關(guān)電流電路的方法 思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號(hào) 6.2.2復(fù)數(shù)信號(hào)處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無(wú)源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器 思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡(jiǎn)介 7.1.1單晶生長(zhǎng)與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無(wú)源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題
標(biāo)簽： 模擬集成電路
上傳時(shí)間： 2013-11-13
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