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車輛檢測(cè)通

  • 窄帶帶通濾波器設(shè)計(jì)實(shí)例

    為了解決聲表面波濾波器插損太大,造成有用信號(hào)衰減嚴(yán)重,彌補(bǔ)插損又會(huì)引起底部噪聲抬高的問題。該文設(shè)計(jì)了一種用LC集總元件實(shí)現(xiàn)的窄帶帶通濾波器,其特點(diǎn)是插入損耗小,成本低,帶外衰減大,較好解決了因聲表面波濾波器插損大而引起的一系列問題,不會(huì)引起通道底部噪聲的抬高。仿真結(jié)果證明了該設(shè)計(jì)方案的可行性。

    標(biāo)簽: 窄帶 帶通濾波器 設(shè)計(jì)實(shí)例

    上傳時(shí)間: 2013-11-18

    上傳用戶:13517191407

  • CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

    標(biāo)簽: CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻

    上傳時(shí)間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 低通濾波器設(shè)計(jì)

    低通濾波器設(shè)計(jì)

    標(biāo)簽: 低通 濾波器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶:lyson

  • 低通濾波器設(shè)計(jì)

    用MATLAB編寫低通濾波器

    標(biāo)簽: 低通 濾波器設(shè)計(jì)

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

    上傳用戶:lijinchuan

  • 平行耦合微帶線帶通濾波器的設(shè)計(jì)

    平行耦合微帶線帶通濾波器在微波電路系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用。為了提高帶通濾波器性能,縮短設(shè)計(jì)周期,采用奇偶模原理分析與ADS(Advanced Design System)仿真相結(jié)合的方法,設(shè)計(jì)出一個(gè)中心頻率為2.5 GHz,相對(duì)帶寬為10%的平行耦合微帶線帶通濾波器。進(jìn)一步優(yōu)化參數(shù),得到電路版圖。最終結(jié)果證明,這種方法具有設(shè)計(jì)周期短、可靠性高的特點(diǎn),且各項(xiàng)參數(shù)滿足設(shè)計(jì)要求。

    標(biāo)簽: 平行耦合 帶通濾波器 微帶線

    上傳時(shí)間: 2013-10-12

    上傳用戶:jrsoft

  • 二階有源低通濾波電路分析

    設(shè)計(jì)一種壓控電壓源型二階有源低通濾波電路,并利用Multisim10仿真軟件對(duì)電路的頻率特性、特征參量等進(jìn)行了仿真分析,仿真結(jié)果與理論設(shè)計(jì)一致,為有源濾波器的電路設(shè)計(jì)提供了EDA手段和依據(jù)。

    標(biāo)簽: 二階 有源低通濾波 電路分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶:名爵少年

  • 通孔插裝PCB的可制造性設(shè)計(jì)

    對(duì)于電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)師尤其是線路板設(shè)計(jì)人員來說,產(chǎn)品的可制造性設(shè)計(jì)(Design For Manufacture,簡稱DFM)是一個(gè)必須要考慮的因素,如果線路板設(shè)計(jì)不符合可制造性設(shè)計(jì)要求,將大大降低產(chǎn)品的生產(chǎn)效率,嚴(yán)重的情況下甚至?xí)?dǎo)致所設(shè)計(jì)的產(chǎn)品根本無法制造出來。目前通孔插裝技術(shù)(Through Hole Technology,簡稱THT)仍然在使用,DFM在提高通孔插裝制造的效率和可靠性方面可以起到很大作用,DFM方法能有助于通孔插裝制造商降低缺陷并保持競(jìng)爭(zhēng)力。本文介紹一些和通孔插裝有關(guān)的DFM方法,這些原則從本質(zhì)上來講具有普遍性,但不一定在任何情況下都適用,不過,對(duì)于與通孔插裝技術(shù)打交道的PCB設(shè)計(jì)人員和工程師來說相信還是有一定的幫助。1、排版與布局在設(shè)計(jì)階段排版得當(dāng)可避免很多制造過程中的麻煩。(1)用大的板子可以節(jié)約材料,但由于翹曲和重量原因,在生產(chǎn)中運(yùn)輸會(huì)比較困難,它需要用特殊的夾具進(jìn)行固定,因此應(yīng)盡量避免使用大于23cm×30cm的板面。最好是將所有板子的尺寸控制在兩三種之內(nèi),這樣有助于在產(chǎn)品更換時(shí)縮短調(diào)整導(dǎo)軌、重新擺放條形碼閱讀器位置等所導(dǎo)致的停機(jī)時(shí)間,而且板面尺寸種類少還可以減少波峰焊溫度曲線的數(shù)量。(2)在一個(gè)板子里包含不同種拼板是一個(gè)不錯(cuò)的設(shè)計(jì)方法,但只有那些最終做到一個(gè)產(chǎn)品里并具有相同生產(chǎn)工藝要求的板才能這樣設(shè)計(jì)。(3)在板子的周圍應(yīng)提供一些邊框,尤其在板邊緣有元件時(shí),大多數(shù)自動(dòng)裝配設(shè)備要求板邊至少要預(yù)留5mm的區(qū)域。(4)盡量在板子的頂面(元件面)進(jìn)行布線,線路板底面(焊接面)容易受到損壞。不要在靠近板子邊緣的地方布線,因?yàn)樯a(chǎn)過程中都是通過板邊進(jìn)行抓持,邊上的線路會(huì)被波峰焊設(shè)備的卡爪或邊框傳送器損壞。(5)對(duì)于具有較多引腳數(shù)的器件(如接線座或扁平電纜),應(yīng)使用橢圓形焊盤而不是圓形,以防止波峰焊時(shí)出現(xiàn)錫橋(圖1)。

    標(biāo)簽: PCB 通孔插裝 可制造性

    上傳時(shí)間: 2013-11-07

    上傳用戶:refent

  • pcb layout design(臺(tái)灣硬件工程師15年經(jīng)驗(yàn)

    PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:單、雙層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setup􀃆pads􀃆stacks

    標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:pei5

  • 磁環(huán)電感及飽和磁通計(jì)算

    對(duì)磁環(huán)電感及其飽和磁通進(jìn)行計(jì)算。

    標(biāo)簽: 磁環(huán)電感 磁通計(jì)算

    上傳時(shí)間: 2013-10-13

    上傳用戶:wangw7689

  • 全橋變換器中磁通不平衡的抑制_高春軒

    全橋變換器中磁通不平衡的抑制。

    標(biāo)簽: 全橋變換器 不平衡 磁通

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

    上傳用戶:nunnzhy

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