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上傳時間： 2013-09-19
上傳用戶：奔跑的雪糕
功率合成器是大功率固態高功放的重要組成器件。應用散射參數原理對功率合成器的合成效率進行了研究，對一路或者幾路功率合成器輸入失效時的合成效率進行了分析，并在某型大功率固態高功放功率合成器中進行了驗證。
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：nem567397
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實際應用證明，該電路驅動能力及保護功能效果良好。
上傳時間： 2014-01-25
上傳用戶：hz07104032
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列，這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：playboys0
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
摘要:根據嵌入式系統電源的實際需求，以FSD200小功率單片開關電源集成電路為核心，結合可調式精密穩壓器TL431和線性光耦PC817等外圍器件，設計并實現了適合嵌入式系統使用的多路小功率開關電源。關鍵詞:嵌入式系統；FSD200；開關電源
上傳時間： 2013-12-07
上傳用戶：黑漆漆
提出了采用兩段式同軸波紋慢波結構實現雙頻高功率微波輸出的相對論返波振蕩器， 推導了該結構的TM0n模式色散方程，數值求解了兩段式同軸波紋慢波結構TM0n模色散曲線，分析了該器件X波段雙頻高功率微波輸出的產生機理， 分析中考慮了電子注在慢波結構第二段工作效率不變和下降時的雙頻工作點情況，并運用2.5 維全電磁粒子模擬程序驗證了雙頻微波信號的可靠性。關鍵詞高功率微波；雙頻；X 波段；相對論返波振蕩器 當前， 應用于高功率微波效應的微波器件只有一個主頻率，已有的實驗結果表明，在現有條件下，單頻高功率微波用于攻擊敵方的電子系統所需的功率遠遠大于單只高功率微波源所能產生的功率，即破壞閾值很高[1]。但是，如果用兩個或多個頻率相近的高功率微波波束產生拍頻后用于攻擊電子系統，那么所需的功率密度將大大減小，即效應閾值大大下降， 采用這種方式將有可能在現有的技術下使高功率微波實用化[2]，但是雙頻及多頻高功率微波源器件的研究目前是十分前沿的課題，處于剛起步階段，在國內外極少有報道[2～4]，因而，用單個微波源器件產生穩定輸出的雙頻甚至多頻高功率微波具有重要的實際應用價值和學術價值，是高功率微波領域又一個新興的研究方向， 在高功率微波武器和新體制雷達等方面將有良好的應用前景。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：kxyw404582151
摘要: 本文介紹了L ED 顯示屏常規型驅動電路的設計方式及其存在的缺陷, 提出了簡單的L ED 顯示屏恒流驅動方式及電路的實現。關鍵詞:L ED 顯示屏 動態掃描 驅動電路中圖分類號: TN 873+ . 93 文獻標識碼:A 文章編號: 1005- 9490(2001) 03- 0252- 051 引 言 L ED 顯示屏是80 年代后期在全球迅速發展起來的新型信息顯示媒體, 它利用發光二極管構成的點陣模塊或像素單元, 組成大面積顯示屏幕, 以其可靠性高、使用壽命、環境適應能力強、性能價格比高、使用成本低等特點, 在信息顯示領域已經得到了非常廣泛的應用[ 1 ]。L ED 顯示屏主要包括發光二極管構成的陣列、驅動電路、控制系統及傳輸接口和相應的應用軟件等, 其中驅動電路設計的好壞, 對L ED 顯示屏的顯示效果、制作成本及系統的運行性能起著很重要的作用。所以, 設計一種既能滿足控制驅動的要求, 同時使用器件少、成本低的控制驅動電路是很有必要的。本文就常規型驅動電路的設計作些分析并提出恒流驅動電路的設計方式。2 L ED 顯示屏常規驅動電路的設計 L ED 顯示屏驅動電路的設計, 與所用控制系統相配合, 通常分為動態掃描型驅動及靜態鎖存型驅動二大類。以下就動態掃描型驅動電路的設計為例為進行分析:動態掃描型驅動方式是指顯示屏上的4 行、8 行、16 行等n 行發光二極管共用一組列驅動寄存器, 通過行驅動管的分時工作, 使得每行L ED 的點亮時間占總時間的1ön , 只要每行的刷新速率大于50 Hz, 利用人眼的視覺暫留效應, 人們就可以看到一幅完整的文字或畫面[ 2 ]。常規型驅動電路的設計一般是用串入并出的通用集成電路芯片如74HC595 或MC14094 等作為列數據鎖存, 以8050 等小功率N PN 三極管為列驅動, 而以達林頓三極管如T IP127 等作為行掃描管, 其電路如圖1 所示。
上傳時間： 2014-02-19
上傳用戶：lingzhichao
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