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開(kāi)關(guān)(guān)功率器件

protel的常用器件庫(kù)

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標(biāo)簽： protel 常用器件

上傳時(shí)間： 2013-09-19

上傳用戶：奔跑的雪糕
大功率固態(tài)高功放功率合成失效分析

功率合成器是大功率固態(tài)高功放的重要組成器件。應(yīng)用散射參數(shù)原理對(duì)功率合成器的合成效率進(jìn)行了研究，對(duì)一路或者幾路功率合成器輸入失效時(shí)的合成效率進(jìn)行了分析，并在某型大功率固態(tài)高功放功率合成器中進(jìn)行了驗(yàn)證。

標(biāo)簽： 大功率功率合成高功放

上傳時(shí)間： 2013-10-08

上傳用戶：nem567397
CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻分

上傳時(shí)間： 2013-10-21

上傳用戶：1427796291
功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案

分析了對(duì)功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測(cè)功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)際應(yīng)用證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。

標(biāo)簽： MOSFET 功率驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案

上傳時(shí)間： 2014-01-25

上傳用戶：hz07104032
p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
高電壓降壓型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高功率LED

凌力爾特公司提供了一個(gè)規(guī)模龐大且不斷成長(zhǎng)的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動(dòng)高功率 LED 而設(shè)計(jì)的。

標(biāo)簽： LED 高電壓降壓型轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)高功率

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：playboys0
N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
嵌入式系統(tǒng)中小功率開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

摘要:根據(jù)嵌入式系統(tǒng)電源的實(shí)際需求，以FSD200小功率單片開(kāi)關(guān)電源集成電路為核心，結(jié)合可調(diào)式精密穩(wěn)壓器TL431和線性光耦PC817等外圍器件，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了適合嵌入式系統(tǒng)使用的多路小功率開(kāi)關(guān)電源。關(guān)鍵詞:嵌入式系統(tǒng)；FSD200；開(kāi)關(guān)電源

標(biāo)簽： 嵌入式系統(tǒng) 小功率開(kāi)關(guān)電源

上傳時(shí)間： 2013-12-07

上傳用戶：黑漆漆
X波段雙頻高功率返波振蕩器的數(shù)值研究

提出了采用兩段式同軸波紋慢波結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙頻高功率微波輸出的相對(duì)論返波振蕩器，推導(dǎo)了該結(jié)構(gòu)的TM0n模式色散方程，數(shù)值求解了兩段式同軸波紋慢波結(jié)構(gòu)TM0n模色散曲線，分析了該器件X波段雙頻高功率微波輸出的產(chǎn)生機(jī)理，分析中考慮了電子注在慢波結(jié)構(gòu)第二段工作效率不變和下降時(shí)的雙頻工作點(diǎn)情況，并運(yùn)用2.5 維全電磁粒子模擬程序驗(yàn)證了雙頻微波信號(hào)的可靠性。關(guān)鍵詞高功率微波；雙頻；X 波段；相對(duì)論返波振蕩器當(dāng)前，應(yīng)用于高功率微波效應(yīng)的微波器件只有一個(gè)主頻率，已有的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在現(xiàn)有條件下，單頻高功率微波用于攻擊敵方的電子系統(tǒng)所需的功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單只高功率微波源所能產(chǎn)生的功率，即破壞閾值很高[1]。但是，如果用兩個(gè)或多個(gè)頻率相近的高功率微波波束產(chǎn)生拍頻后用于攻擊電子系統(tǒng)，那么所需的功率密度將大大減小，即效應(yīng)閾值大大下降，采用這種方式將有可能在現(xiàn)有的技術(shù)下使高功率微波實(shí)用化[2]，但是雙頻及多頻高功率微波源器件的研究目前是十分前沿的課題，處于剛起步階段，在國(guó)內(nèi)外極少有報(bào)道[2～4]，因而，用單個(gè)微波源器件產(chǎn)生穩(wěn)定輸出的雙頻甚至多頻高功率微波具有重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值和學(xué)術(shù)價(jià)值，是高功率微波領(lǐng)域又一個(gè)新興的研究方向，在高功率微波武器和新體制雷達(dá)等方面將有良好的應(yīng)用前景。

標(biāo)簽： X波段雙頻高功率返波振蕩

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：kxyw404582151
LED顯示屏恒流驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

摘要: 本文介紹了L ED 顯示屏常規(guī)型驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方式及其存在的缺陷, 提出了簡(jiǎn)單的L ED 顯示屏恒流驅(qū)動(dòng)方式及電路的實(shí)現(xiàn)。關(guān)鍵詞:L ED 顯示屏　動(dòng)態(tài)掃描　驅(qū)動(dòng)電路中圖分類號(hào): TN 873+ . 93　　　文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 　　　文章編號(hào): 1005- 9490(2001) 03- 0252- 051　引　言　　L ED 顯示屏是80 年代后期在全球迅速發(fā)展起來(lái)的新型信息顯示媒體, 它利用發(fā)光二極管構(gòu)成的點(diǎn)陣模塊或像素單元, 組成大面積顯示屏幕, 以其可靠性高、使用壽命、環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)、性能價(jià)格比高、使用成本低等特點(diǎn), 在信息顯示領(lǐng)域已經(jīng)得到了非常廣泛的應(yīng)用[ 1 ]。L ED 顯示屏主要包括發(fā)光二極管構(gòu)成的陣列、驅(qū)動(dòng)電路、控制系統(tǒng)及傳輸接口和相應(yīng)的應(yīng)用軟件等, 其中驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的好壞, 對(duì)L ED 顯示屏的顯示效果、制作成本及系統(tǒng)的運(yùn)行性能起著很重要的作用。所以, 設(shè)計(jì)一種既能滿足控制驅(qū)動(dòng)的要求, 同時(shí)使用器件少、成本低的控制驅(qū)動(dòng)電路是很有必要的。本文就常規(guī)型驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)作些分析并提出恒流驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方式。2　L ED 顯示屏常規(guī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)　　L ED 顯示屏驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì), 與所用控制系統(tǒng)相配合, 通常分為動(dòng)態(tài)掃描型驅(qū)動(dòng)及靜態(tài)鎖存型驅(qū)動(dòng)二大類。以下就動(dòng)態(tài)掃描型驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)為例為進(jìn)行分析:動(dòng)態(tài)掃描型驅(qū)動(dòng)方式是指顯示屏上的4 行、8 行、16 行等n 行發(fā)光二極管共用一組列驅(qū)動(dòng)寄存器, 通過(guò)行驅(qū)動(dòng)管的分時(shí)工作, 使得每行L ED 的點(diǎn)亮?xí)r間占總時(shí)間的1ön , 只要每行的刷新速率大于50 Hz, 利用人眼的視覺(jué)暫留效應(yīng), 人們就可以看到一幅完整的文字或畫面[ 2 ]。常規(guī)型驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)一般是用串入并出的通用集成電路芯片如74HC595 或MC14094 等作為列數(shù)據(jù)鎖存, 以8050 等小功率N PN 三極管為列驅(qū)動(dòng), 而以達(dá)林頓三極管如T IP127 等作為行掃描管, 其電路如圖1 所示。

標(biāo)簽： LED 顯示屏恒流驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-02-19

上傳用戶：lingzhichao