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高壓<b>放大器</b>

  • 基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設計

    低噪聲放大器是接收機中最重要的模塊之一,文中采用了低噪聲、較高關聯增益、PHEMT技術設計的ATF-35176晶體管,設計了一種應用于5.5~6.5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益,該電路采用三級級聯放大結構形式,并通過ADS軟件對電路的增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進行了研究設計,最終得到LNA在該頻段內增益大于32.8 dB,噪聲小于1.5 dB,輸入輸出駐波比小于2,達到設計指標。

    標簽: ADS C波段 低噪聲放大器 仿真設計

    上傳時間: 2013-11-15

    上傳用戶:brilliantchen

  • 2~4 GHz波段低噪聲放大器的仿真設計

    利用pHEMT工藝設計了一個2~4 GHz寬帶微波單片低噪聲放大器電路。本設計中采用了具有低噪聲、較高關聯增益、pHEMT技術設計的ATF-54143晶體管,電路采用二級級聯放大的結構形式,利用微帶電路實現輸入輸出和級間匹配,通過ADS軟件提供的功能模塊和優化環境對電路增益、噪聲系數、駐波比、穩定系數等特性進行了研究設計,最終使得該LNA在2~4 GHz波段內增益大于20 dB,噪聲小于1.2 dB,輸出電壓駐波比小于2,達到了設計指標的要求。

    標簽: GHz 波段 低噪聲放大器 仿真設計

    上傳時間: 2014-07-03

    上傳用戶:遠遠ssad

  • 具有壓縮和噪聲門的低噪聲模擬MEMS麥克風和前置放大器

    本電路用于實現模擬MEMS麥克風與麥克風前置放大器的接口,如圖1所示。ADMP504由一個MEMS麥克風元件和一個輸出放大器組成。ADI公司的MEMS麥克風具有高信噪比(SNR)和平坦的寬帶頻率響應,堪稱高性能、低功耗應用的絕佳選擇。

    標簽: MEMS 低噪聲 模擬 前置放大器

    上傳時間: 2014-01-16

    上傳用戶:13736136189

  • Arduino學習筆記A10_Arduino數碼管骰子實驗

    電路連接 由于數碼管品種多樣,還有共陰共陽的,下面我們使用一個數碼管段碼生成器(在文章結尾) 去解決不同數碼管的問題: 本例作者利用手頭現有的一位不知品牌的共陽數碼管:型號D5611 A/B,在Eagle 找了一個 類似的型號SA56-11,引腳功能一樣可以直接代換。所以下面電路圖使用SA56-11 做引腳說明。 注意: 1. 將數碼管的a~g 段,分別接到Arduino 的D0~D6 上面。如果你手上的數碼管未知的話,可以通過通電測量它哪個引腳對應哪個字段,然后找出a~g 即可。 2. 分清共陰還是共陽。共陰的話,接220Ω電阻到電源負極;共陽的話,接220Ω電阻到電源+5v。 3. 220Ω電阻視數碼管實際工作亮度與手頭現有原件而定,不一定需要準確。 4. 按下按鈕即停。   源代碼 由于我是按照段碼生成器默認接法接的,所以不用修改段碼生成器了,直接在段碼生成器選擇共陽極,再按“自動”生成數組就搞定。   下面是源代碼,由于偷懶不用寫循環,使用了部分AVR 語句。 PORTD 這個是AVR 的端口輸出控制語句,8 位對應D7~D0,PORTD=00001001 就是D3 和D0 是高電平。 PORTD = a;就是找出相應的段碼輸出到D7~D0。 DDRD 這個是AVR 語句中控制引腳作為輸出/輸入的語句。DDRD = 0xFF;就是D0~D7 全部 作為輸出腳了。 ARDUINO CODECOPY /* Arduino 單數碼管骰子 Ansifa 2011-12-28 */ //定義段碼表,表中十個元素由LED 段碼生成器生成,選擇了共陽極。 inta[10] = {0xC0, 0xF9, 0xA4, 0xB0, 0x99, 0x92, 0x82, 0xF8, 0x80, 0x90}; voidsetup() { DDRD = 0xFF; //AVR 定義PortD 的低七位全部用作輸出使用。即0xFF=B11111111對 應D7~D0 pinMode(12, INPUT); //D12用來做骰子暫停的開關 } voidloop() { for(int i = 0; i < 10; i++) { //將段碼輸出PortD 的低7位,即Arduino 的引腳D0~D6,這樣需要取出PORTD 最高位,即 D7的狀態,與段碼相加,之后再輸出。 PORTD = a[i]; delay(50); //延時50ms while(digitalRead(12)) {} //如果D12引腳高電平,則在此死循環,暫停LED 跑 動 } }      

    標簽: Arduino 10 數碼管 實驗

    上傳時間: 2013-10-15

    上傳用戶:baitouyu

  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優于傳統功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數量級。

    標簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • 4-20mA,0-10V電流~電壓模擬信號光電隔離放大器

    iso u-p-o 系列直流電壓信號隔離放大器是一種將電壓信號轉換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號的混合集成電路。該ic內部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號高效率耦合隔離變換電路等,可以將直流電壓小信號進行隔離放大(u/u)輸出或直接轉換為直流電流(u /i)信號輸出。較大的輸入阻抗(≥1 mω),較強的帶負載能力(電流輸出>650ω,電壓輸出≥2kω)能實現小信號遠程無失真的傳輸。 ic內部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術隔離措施,使器件能滿足信號輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業級寬溫度、潮濕震動等現場環境要求。外接滿度校正和零點校正的多圈電位器可實現 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號之間的隔離和轉換。(精度線性高,隔離電壓3000vdc)

    標簽: 20 10 mA 電流

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:392210346

  • 帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

    設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構,利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12~14 bit精度,100 MS/s采樣頻率的高速流水線(Pipelined)ADC的運放。設計基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝,在Cadence環境下對電路進行Spectre仿真。仿真結果表明,在2.5 V單電源電壓下驅動2 pF負載時,運放的直流增益可達到124 dB,單位增益帶寬720 MHz,轉換速率高達885 V/μs,達到0.1%的穩定精度的建立時間只需4 ns,共模抑制比153 dB。

    標簽: CMOS 增益提高 運算 放大器設計

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:jiiszha

  • 基于鎖相放大器的試驗機采集系統

    基于STM32、STM8處理器,設計完成了萬能試驗機的多個功能模塊。為了提高小信號的采集精度與速度,用多處理器設計了一種混合式的鎖相放大器,并運用數字處理進行進一步處理,具有很高的性價比。在位移信號采集中,運用STM8S實現了低成本的設計。實驗表明,本系統在速度與精度上滿足萬能試驗機要求,總體性價比高。

    標簽: 鎖相放大器 試驗機 采集系統

    上傳時間: 2013-12-26

    上傳用戶:lili123

  • 快響應低漂移微電流放大器的設計

    介紹了基于AD549高精度快響應低漂移微電流放大器的工作原理、電路設計和制造工藝、詞試技術,該微電流放大器是核反應堆反應性測量的關鍵部件之一,其低噪聲、快響應與低漂移技術是精確測量反應性重要因數之一。

    標簽: 低漂移 微電流放大器

    上傳時間: 2013-10-25

    上傳用戶:boyaboy

  • CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路

    共源共柵級放大器可提供較高的輸出阻抗和減少米勒效應,在放大器領域有很多的應用。本文提出一種COMS工藝下簡單的高擺幅共源共柵偏置電路,且能應用于任意電流密度。根據飽和電壓和共源共柵級電流密度的定義,本文提出器件寬長比與輸出電壓擺幅的關系,并設計一種高擺幅的共源共柵級偏置電路。

    標簽: CMOS 工藝 共源共柵 偏置電路

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:debuchangshi

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