摘要本文介紹了一種用CPLD設計GPS數(shù)字通道相關器中C／A碼產(chǎn)生囂的方法，詳細分析了設計原理并給出了相應的仿真結果．這種設計方法已在我們研制的GPS，GLONASS兼容機中得到實際應用。
上傳時間： 2013-09-01
上傳用戶：wangdean1101
Building a RISC System in an FPGA
上傳時間： 2013-09-04
上傳用戶：朗朗乾坤
gerber-to-protel is a pdf file ,which is used for convert bmp to pcb.
標簽： gerber-to-protel file is
上傳時間： 2013-09-18
上傳用戶：liuxinyu2016
protel_lib-PIC16 is a protel lib file.
標簽： protel_lib-PIC protel file lib
上傳時間： 2013-09-18
上傳用戶：hn891122
Many CAD users dismiss schematic capture as a necessary evil in the process of creating\r\nPCB layout but we have always disputed this point of view. With PCB layout now offering\r\nautomation of both component placement and track routing, getting the des
標簽： schematic necessary creating dismiss
上傳時間： 2013-09-25
上傳用戶：baiom
ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：13162218709
常用D/A轉換器和A/D轉換器介紹 下面我們介紹一下其它常用D/A轉換器和 A/D 轉換器，便于同學們設計時使用。 1. DAC0808 圖 1 所示為權電流型 D/A 轉換器 DAC0808 的電路結構框圖。用 DAC0808 這類器件構 成的 D/A轉換器，需要外接運算放大器和產(chǎn)生基準電流用的電阻。DAC0808 構成的典型應用電路如圖2 所示。
標簽： 轉換器
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：zhenyushaw
為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
上傳時間： 2013-10-21
上傳用戶：1427796291
isoad系列產(chǎn)品實現(xiàn)傳感器和主機之間的信號安全隔離和高精度數(shù)字采集與傳輸，廣泛應用于rs-232/485總線工業(yè)自動化控制系統(tǒng)，4-20ma / 0-10v信號測量、監(jiān)視和控制，小信號的測量以及工業(yè)現(xiàn)場信號隔離及長線傳輸?shù)冗h程監(jiān)控場合。通過軟件的配置，可接入多種傳感器類型，包括電流輸出型、電壓輸出型、以及熱電偶等等。 產(chǎn)品內部包括電源隔離，信號隔離、線性化，a/d轉換和rs-485串行通信等模塊。每個串口最多可接256只iso ad系列模塊，通訊方式采用ascii 碼字符通訊協(xié)議或modbus rtu通訊協(xié)議，其指令集兼容于adam模塊，波特率可由用戶設置，能與其他廠家的控制模塊掛在同一rs-485總線上，便于主機編程。 isoad系列產(chǎn)品是基于單片機的智能監(jiān)測和控制系統(tǒng)，所有用戶設定的校準值，地址，波特率，數(shù)據(jù)格式，校驗和狀態(tài)等配置信息都儲存在非易失性存儲器eeprom里。 isoad系列產(chǎn)品按工業(yè)標準設計、制造，信號輸入 / 輸出之間隔離，可承受3000vdc隔離電壓，抗干擾能力強，可靠性高。工作溫度范圍- 45℃～+80℃。
上傳時間： 2013-11-23
上傳用戶：comer1123
對于常規(guī)VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區(qū)主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區(qū)域一側，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
