CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p 型和n 型層中的耗盡區電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起...
CoolMOS技術資料
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Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge co...
CoolMos的原理、結構及制造
對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入E...
新型組合式COOLMOS器件在開關電源中的應用研究
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片，其突出特點是由其組成的開關電源，在市電電網中工作時，無需外加散熱器即可輸出20～50W的輸出功率;且能自動降低空載時的工作頻率，從而降低待機狀態的損耗;...
COOLMOS_原理結構
看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EP...
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