基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結
該文檔為基于GaN器件射頻功率放大電路的設計總結文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………...
GaN器件技術資料
?? 資源總數：3883
?? 源代碼：2615
?? GaN器件熱門資料
查看全部3883個資源 ?基于GaN器件射頻功率放大電路的設計
本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設計，在s波段頻率范圍內，應用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進行的寬帶功率放大電路設計.主要工作有以下幾個方面：首先，設計功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內，對中間級和末級...
第三代半導體GaN功率開關器件的發展現狀及面臨的挑戰
作者：何亮，劉揚論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關 器 件 是 目 前 的 ...
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN SiC）材料及器件測試
半導體云講堂——寬禁帶半導體（GaN、SiC）材料及器件測試寬禁帶半導體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料。四探針技術要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測量技術，對...
GaN基LED材料特性研究及芯片結構設計
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖...
?? GaN器件資料分類