該文檔為基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
上傳時(shí)間： 2021-12-23
上傳用戶：XuVshu
本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計(jì).主要工作有以下幾個(gè)方面：首先，設(shè)計(jì)功放匹配電路。在2.7GHz~3.5GHz頻帶范圍內(nèi)，對(duì)中間級(jí)和末級(jí)功放晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性分析并設(shè)置其靜態(tài)工作點(diǎn)，繼而進(jìn)行寬帶阻抗匹配電路的設(shè)計(jì)。本文采用雙分支平衡漸變線拓?fù)潆娐方Y(jié)構(gòu)，使用ADS軟件對(duì)其進(jìn)行仿真優(yōu)化，設(shè)計(jì)出滿足指標(biāo)要求的匹配電路。具體指標(biāo)如下：通帶寬度為800MHz，在通帶范圍內(nèi)的增益dB（S（2，1）>）10dB、駐波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB輸出功率壓縮點(diǎn)分別大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，設(shè)計(jì)功放偏置電源電路。電路要求是負(fù)電壓控制正電壓并帶有過(guò)流保護(hù)功能，借助Orcad模擬電路仿真軟件，設(shè)計(jì)出滿足要求的電源電路。最后，分別運(yùn)用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制圖軟件，繪制了功率放大電路和偏置電源電路的印制電路板，并通過(guò)對(duì)硬件電路的調(diào)試，最終使得整體電路滿足了設(shè)計(jì)性能的要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的 市場(chǎng)前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開(kāi) 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu) (C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié) 構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用 化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽： 第三代半導(dǎo)體 GaN 功率開(kāi)關(guān)器件
上傳時(shí)間： 2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料被稱為第三代半導(dǎo)體材料。四探針技術(shù)要求樣品為薄膜樣品或塊狀， 范德堡法為更通用的四探針測(cè)量技術(shù)，對(duì)樣品形狀沒(méi)有要求， 且不需要測(cè)量樣品所有尺寸， 但需滿足以下四個(gè)條件? 樣品必須具有均勻厚度的扁平形狀。? 樣品不能有任何隔離的孔。? 樣品必須是均質(zhì)和各向同性的。? 所有四個(gè)觸點(diǎn)必須位于樣品的邊緣。
上傳時(shí)間： 2022-01-03
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開(kāi)了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來(lái)大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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壓電器件
標(biāo)簽： 壓電器件
上傳時(shí)間： 2013-06-23
上傳用戶：eeworm
現(xiàn)代光電器件技術(shù)及應(yīng)用
標(biāo)簽： 光電器件
上傳時(shí)間： 2013-08-01
上傳用戶：eeworm
激光器件原理與設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 激光器件
上傳時(shí)間： 2013-06-27
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ALTERA可編程邏輯器件及其應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-04-15
上傳用戶：eeworm
常用器件選型表
上傳時(shí)間： 2013-06-01
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