第二部分:DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖(Unbuffered)內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178
目前比較流行的內存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討,本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動態內存,其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進,所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數據傳輸率,但是其時鐘頻率沒有增加,只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標簽:
DRAM
內存模塊
設計技術
上傳時間:
2013-10-18
上傳用戶:宋桃子