SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文
SiC襯底X波段GaNMMIC的研究博士論文...
SiC技術資料
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查看全部28個資源 ?論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的檢測性能
論文仿真原型程序,仿真四種（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的檢測性能，繪制誤比特率～信噪比曲線。 發端初始化=============================================================== 發射天線數tx,...
SiC雙脈沖測試板資料
Cree公司生產的SiC MOSFET器件，型號C2M00802012D，在應用器件前需要進行雙脈沖實驗，實驗中用到的主電路原理圖（包括PCB文件），驅動和測試原理介紹提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交廠制作，不需修改。...
SiC MOSFET為什么會使用4引腳封裝
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列產品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的溝槽柵極結構，進一步降低了導通電阻；同時通過采用單獨設置柵極驅動器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開關特性，使開關損耗可以降低35%左右。此次，針對SiCMOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果...
SiC功率半導體器件發展歷程 優勢和發展前景講解
該文檔為SiC功率半導體器件發展歷程、優勢和發展前景概述文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………...
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