第二部分:DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計.............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號設(shè)計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設(shè)計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設(shè)計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號線的設(shè)計...................................................................................1664.5 電源,參考電壓VREF 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設(shè)計案例分析.................................................................................178
目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計技術(shù)就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時鐘頻率沒有增加,只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽:
DRAM
內(nèi)存模塊
設(shè)計技術(shù)
上傳時間:
2014-01-13
上傳用戶:euroford