suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu
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gan技術(shù)資料
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?? gan全部資料 (12個(gè))
GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC
GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronic...
第三代半導(dǎo)體GaN功率開關(guān)器件的發(fā)展現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)
作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 ...
硅基GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)總結(jié)
該文檔為硅基GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………...
基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)總結(jié)
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半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN SiC）材料及器件測(cè)試
半導(dǎo)體云講堂——寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）材料及器件測(cè)試寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0eV及以上的半導(dǎo)體材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化鎵(GaN)、 金剛石等材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材...
硅基GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)
該文檔為硅基GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………...
基于GaN器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)
本文主要是基于氮化鋅（GaN）器件射頻功率放大電路的設(shè)計(jì)，在s波段頻率范圍內(nèi)，應(yīng)用CREE公司的氮化稼（GaN）高電子遷移速率品體管（CGH40010和CGH40045）進(jìn)行的寬帶功率放大電路設(shè)計(jì).主...
GaN基LED材料特性研究及芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主...
EMC封裝材料
松下2015年最新研究的適用于SiC，GaN等大功率器件的封裝材料介紹...