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mos

mos，是mosFET的縮寫。mosFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,mosFET）。

FPGA可配置端口電路的設計

可配置端口電路是FPGA芯片與外圍電路連接關鍵的樞紐，它有諸多功能：芯片與芯片在數(shù)據(jù)上的傳遞(包括對輸入信號的采集和輸出信號輸出)，電壓之間的轉換，對外圍芯片的驅動，完成對芯片的測試功能以及對芯片電路保護等。本文采用了自頂向下和自下向上的設計方法，依據(jù)可配置端口電路能實現(xiàn)的功能和工作原理，運用Cadence的設計軟件，結合華潤上華0.5μm的工藝庫，設計了一款性能、時序、功耗在整體上不亞于xilinx4006e[8]的端口電路。主要研究以下幾個方面的內容： 1.基于端口電路信號寄存器的采集和輸出方式，本論文設計的端口電路可以通過配置將它設置成單沿或者雙沿的觸發(fā)方式[7]，并完成了Verilog XL和Hspiee的功能和時序仿真，且建立時間小于5ns和保持時間在0ns左右。和xilinx4006e[8]相比較滿足設計的要求。 2.基于TAP Controller的工作原理及它對16種狀態(tài)機轉換的控制，對16種狀態(tài)機的轉換完成了行為級描述和實現(xiàn)了捕獲、移位、輸出、更新等主要功能仿真。 3.基于邊界掃描電路是對觸發(fā)器級聯(lián)的構架這一特點，設計了一款邊界掃描電路，并運用Verilog XL和Hspiee對它進行了功能和時序的仿真。達到對芯片電路測試設計的要求。 4.對于端口電路來講，有時需要將從CLB中的輸出數(shù)據(jù)實現(xiàn)異或、同或、與以及或的功能，為此本文采用二次函數(shù)輸出的電路結構來實現(xiàn)以上的功能，并運用Verilog XL和Hspiee對它進行了功能和時序的仿真。滿足設計要求。 5.對于0.5μm的工藝而言，輸入端口的電壓通常是3.3V和5V，為此根據(jù)設置不同的上、下mos管尺寸來調整電路的中點電壓，將端口電路設計成3.3V和5V兼容的電路，通過仿真性能上已完全達到這一要求。此外，在輸入端口處加上擴散電阻R和電容C組成噪聲濾波電路，這個電路能有效地抑制加到輸入端上的白噪聲型噪聲電壓[2]。 6.在噪聲和延時不影響電路正常工作的范圍內，具有三態(tài)控制和驅動大負載的功能。通過對管子尺寸的大小設置和驅動大小的仿真表明：在實現(xiàn)TTL高電平輸出時，最大的驅動電流達到170mA，而對應的xilinx4006e的TTL高電平最大驅動電流為140mA[8]；同樣，在實現(xiàn)Cmos高電平最大驅動電流達到200mA,而xilinx4006e的Cmos驅動電流達到170[8]mA。 7.與xilinx4006e端口電路相比，在延時和面積以及功耗略大的情況下，本論文研究設計的端口電路增加了雙沿觸發(fā)、將輸出數(shù)據(jù)實現(xiàn)二次函數(shù)的輸出方式、通過添加譯碼器將配置端口的數(shù)目減少的新的功能，且驅動能力更加強大。

標簽： FPGA 可配置端口電路

上傳時間： 2013-06-03

上傳用戶：aa54
硬件工程師手冊

目錄第一章概述 3 第一節(jié) 硬件開發(fā)過程簡介 3 §1.1.1 硬件開發(fā)的基本過程 4 §1.1.2 硬件開發(fā)的規(guī)范化 4 第二節(jié) 硬件工程師職責與基本技能 4 §1.2.1 硬件工程師職責 4 §1.2.1 硬件工程師基本素質與技術 5 第二章硬件開發(fā)規(guī)范化管理 5 第一節(jié) 硬件開發(fā)流程 5 §3.1.1 硬件開發(fā)流程文件介紹 5 §3.2.2 硬件開發(fā)流程詳解 6 第二節(jié) 硬件開發(fā)文檔規(guī)范 9 §2.2.1 硬件開發(fā)文檔規(guī)范文件介紹 9 §2.2.2 硬件開發(fā)文檔編制規(guī)范詳解 10 第三節(jié) 與硬件開發(fā)相關的流程文件介紹 11 §3.3.1 項目立項流程： 11 §3.3.2 項目實施管理流程： 12 §3.3.3 軟件開發(fā)流程： 12 §3.3.4 系統(tǒng)測試工作流程： 12 §3.3.5 中試接口流程 12 §3.3.6 內部驗收流程 13 第三章硬件EMC設計規(guī)范 13 第一節(jié) CAD輔助設計 14 第二節(jié) 可編程器件的使用 19 §3.2.1 FPGA產品性能和技術參數(shù) 19 §3.2.2 FPGA的開發(fā)工具的使用： 22 §3.2.3 EPLD產品性能和技術參數(shù) 23 §3.2.4 MAX + PLUS II開發(fā)工具 26 §3.2.5 VHDL語音 33 第三節(jié) 常用的接口及總線設計 42 §3.3.1 接口標準： 42 §3.3.2 串口設計： 43 §3.3.3 并口設計及總線設計： 44 §3.3.4 RS－232接口總線 44 §3.3.5 RS－422和RS－423標準接口聯(lián)接方法 45 §3.3.6 RS－485標準接口與聯(lián)接方法 45 §3.3.7 20mA電流環(huán)路串行接口與聯(lián)接方法 47 第四節(jié) 單板硬件設計指南 48 §3.4.1 電源濾波： 48 §3.4.2 帶電插拔座： 48 §3.4.3 上下拉電阻： 49 §3.4.4 ID的標準電路 49 §3.4.5 高速時鐘線設計 50 §3.4.6 接口驅動及支持芯片 51 §3.4.7 復位電路 51 §3.4.8 Watchdog電路 52 §3.4.9 單板調試端口設計及常用儀器 53 第五節(jié) 邏輯電平設計與轉換 54 §3.5.1 TTL、ECL、PECL、Cmos標準 54 §3.5.2 TTL、ECL、mos互連與電平轉換 66 第六節(jié) 母板設計指南 67 §3.6.1 公司常用母板簡介 67 §3.6.2 高速傳線理論與設計 70 §3.6.3 總線阻抗匹配、總線驅動與端接 76 §3.6.4 布線策略與電磁干擾 79 第七節(jié) 單板軟件開發(fā) 81 §3.7.1 常用CPU介紹 81 §3.7.2 開發(fā)環(huán)境 82 §3.7.3 單板軟件調試 82 §3.7.4 編程規(guī)范 82 第八節(jié) 硬件整體設計 88 §3.8.1 接地設計 88 §3.8.2 電源設計 91 第九節(jié) 時鐘、同步與時鐘分配 95 §3.9.1 時鐘信號的作用 95 §3.9.2 時鐘原理、性能指標、測試 102 第十節(jié) DSP技術 108 §3.10.1 DSP概述 108 §3.10.2 DSP的特點與應用 109 §3.10.3 TMS320 C54X DSP硬件結構 110 §3.10.4 TMS320C54X的軟件編程 114 第四章常用通信協(xié)議及標準 120 第一節(jié) 國際標準化組織 120 §4.1.1 ISO 120 §4.1.2 CCITT及ITU-T 121 §4.1.3 IEEE 121 §4.1.4 ETSI 121 §4.1.5 ANSI 122 §4.1.6 TIA/EIA 122 §4.1.7 Bellcore 122 第二節(jié) 硬件開發(fā)常用通信標準 122 §4.2.1 ISO開放系統(tǒng)互聯(lián)模型 122 §4.2.2 CCITT G系列建議 123 §4.2.3 I系列標準 125 §4.2.4 V系列標準 125 §4.2.5 TIA/EIA 系列接口標準 128 §4.2.5 CCITT X系列建議 130 參考文獻 132 第五章物料選型與申購 132 第一節(jié) 物料選型的基本原則 132 第二節(jié) IC的選型 134 第三節(jié) 阻容器件的選型 137 第四節(jié) 光器件的選用 141 第五節(jié) 物料申購流程 144 第六節(jié) 接觸供應商須知 145 第七節(jié) MRPII及BOM基礎和使用 146

標簽： 硬件工程師

上傳時間： 2013-05-28

上傳用戶：pscsmon
IGBT模塊系列

　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和mos(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有mosFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;mosFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。

標簽： IGBT 模塊

上傳時間： 2013-11-03

上傳用戶：panpanpan
一種帶振幅調節(jié)的晶體振蕩器

設計了一種帶振幅控制的晶體振蕩器，用于32 768 Hz的實時時鐘。振幅調節(jié)環(huán)采用源接地振蕩器形式來得到高的頻率穩(wěn)定性和低的功耗。使用mos管電阻有效的減小了版圖面積。電路在0.35 μm、5 V Cmos工藝上實現(xiàn)，仿真和測試結果都能滿足設計要求。

標簽： 振幅調節(jié) 晶體振蕩器

上傳時間： 2013-11-10

上傳用戶：maricle
mos管工作原理講解

設計了那么多的電路，最基本的你知道么

標簽： mos 工作原理

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：ddddddos
常用全系列場效應管_mos管型號參數(shù)封裝資料

mos管的資料

標簽： mos 場效應管參數(shù) 型號

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：xieguodong1234
LM393中文資料

LM393是雙電壓比較器集成電路。中文資料該電路的特點如下：838電子工作電源電壓范圍寬，單電源、雙電源均可工作，單電源：2～36V，雙電源:±1～±18V；消耗電流小，Icc=0.8mA；lm393是什么輸入失調電壓小，VIO=±2mV；共模輸入電壓范圍寬，Vic=0～Vcc-1.5V；輸出與TTL，DTL，mos，Cmos 等兼容；輸出可以用開路集電極連接“或”門；

標簽： 393 LM

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：lxm
Coolmos導通電阻分析及與VDmos的比較

為了克服傳統(tǒng)功率mos 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2mos ,Coolmos 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于Coolmos 的這種獨特器件結構,使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率mos。本文對Coolmos 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對Coolmos 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向Dmos 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,Coolmos 的導通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

標簽： Coolmos VDmos 導通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：1427796291
模擬電子技術基礎課件

學習模擬電子的基礎，主要是二極管、三極管、mos管的基礎知識，對理解這些非常的有幫助，不看后悔吧

標簽： 模擬電子技術基礎

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：maizezhen
高等模擬集成電路

近年來，隨著集成電路工藝技術的進步，電子系統(tǒng)的構成發(fā)生了兩個重要的變化：一個是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個是整個電子系統(tǒng)可以集成在一個芯片上（稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。數(shù)字電路不僅具有遠遠超過模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設計周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強等優(yōu)點，因而大多數(shù)復雜系統(tǒng)以數(shù)字信號處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因為我們接觸到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號，需要模擬信號處理和數(shù)據(jù)轉換電路，如果這些電路性能不夠高，將會影響整個系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號放大，很高頻率和寬頻帶信號的實時處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著mos器件的線寬不斷減小，使mos器件的性能不斷提高，mos數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進了mos模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應電子系統(tǒng)功能的不斷擴展和性能的不斷提高，對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴大線性工作范圍和提高性能指標的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進了新電路技術的發(fā)展。作為研究生課程的教材，本書內容是在本科相關課程基礎上的深化和擴展，同時涉及實際設計中需要考慮的一些問題，重點介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術。全書共7章，大致可分為三個部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為mos模擬集成電路基礎，比較全面地介紹mos器件的工作原理和特性以及由mos器件構成的基本單元電路，為學習本教材其他內容提供必要的知識。由于版圖設計與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡單介紹制造mos模擬集成電路的Cmos工藝過程和版圖設計技術，讀者可以通過對該章所介紹的相關背景知識的了解，更深入地理解mos器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實現(xiàn)性設計。第二部分為新電路技術，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來逐步獲得廣泛應用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路，它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴大線性工作范圍和提高性能指標的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號載體的電路不同，這是一種以電流作為信號載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號載體不同，不僅電路性能不同而且電路結構也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點和開關電容與開關電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路，處理的是時間離散信號，又類似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號，它比模擬電路具有穩(wěn)定準確的時間常數(shù)，解決了模擬電路實際應用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結合其在濾波器中的應用介紹，這類電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關鍵組成部分，并且與信號和信號處理聯(lián)系密切，有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉換電路的技術指標和高精度與高速度轉換電路的構成、工作原理、特點和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設計方法和主要類型，包括連續(xù)時間濾波器、對數(shù)域濾波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術指標、結構和典型電路。因為載波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號，射頻前端電路的性能對整個通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫，第6章由王志華編寫，第5章由李永明和董在望編寫，第2、3章由董在望編寫，李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。本書可作為信息與通信工程和電子科學與技術學科相關課程的研究生教材或教學參考書，也可作為本科教學參考書或選修課教材和供相關專業(yè)的工程技術人員參考。清華大學出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。限于編者水平，難免有錯誤和疏漏之處，歡迎批評指正。目錄 1.1mos器件基礎及器件模型 1.1.1結構及工作原理 1.1.2襯底調制效應 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區(qū)效應 1.1.5短溝效應 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的mos器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負載放大電路 1.4運算放大器 1.4.1運算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級運算放大器 1.4.3兩級運算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運算放大器的頻率補償 1.5模擬開關 1.5.1導通電阻 1.5.2電荷注入與時鐘饋通 1.6帶隙基準電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與Cmos工藝兼容的帶隙基準電壓源思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應 2.5.1mosFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關電容電路和開關電流電路的基本分析方法 3.1.1開關電容電路的時域分析 3.1.2開關電流電路的時域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關電容電路 3.2.1開關電容單元電路 3.2.2開關電容電路的特點 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關電流電路 3.3.1開關電流單元電路 3.3.2開關電流電路的特點 3.3.3非理想因素的影響思考題 4A/D轉換器與D/A轉換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉換 4.1.2A/D與D/A轉換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉換器的性能指標 4.1.4A/D與D/A轉換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉換器 4.2.1全并行結構A/D轉換器 4.2.2兩步結構A/D轉換器 4.2.3插值與折疊結構A/D轉換器 4.2.4流水線結構A/D轉換器 4.2.5交織結構A/D轉換器 4.3高精度A/D轉換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉換器 4.4D/A轉換器 4.4.1電阻型D/A轉換器 4.4.2電流型D/A轉換器 4.4.3電容型D/A轉換器思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設計的逼近方法 5.2連續(xù)時間濾波器 5.2.1連續(xù)時間濾波器的設計方法 5.2.2跨導電容（GmC）連續(xù)時間濾波器 5.2.3連續(xù)時間濾波器的片上自動調節(jié)電路 5.3對數(shù)域濾波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域濾波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設計方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關電容電路轉換為開關電流電路的方法思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復數(shù)信號處理 6.2.3收信器前端結構 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結構 6.4收發(fā)器的技術指標 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動態(tài)范圍 6.5射頻電路設計 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器思考題 7Cmos集成電路制造工藝及版圖設計 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴散及離子注入 7.1.5化學氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2Cmos工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵Cmos工藝流程 7.2.2Cmos集成電路中的無源元件 7.2.3Cmos集成電路中的寄生效應 7.3版圖設計 7.3.1硅柵Cmos集成電路的版圖構成 7.3.2版圖設計規(guī)則 7.3.3Cmos版圖設計技術思考題

標簽： 模擬集成電路

上傳時間： 2013-11-13

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