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n型針

U型插針圖紙

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標簽： 四方針方針 U型針門形針 n型針 扁針插針拱形插針弧形彎針弧形插針

上傳時間： 2016-08-12

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彎針 U型針軸針尖針

彎針 U型針軸針尖針圓針磨尖鋼針規(guī)格圖紙型號

標簽： 彎針 U型針軸針尖針磨尖鋼針折彎針插針跳線轉角彎針車針

上傳時間： 2016-08-05

上傳用戶：sztfjm
磨尖鋼針規(guī)格圖

磨尖銅針,磨尖銅彎針,可加工成尖頭彎針,U型成,N型,S鉤針

標簽： 磨尖鋼針尖頭鋼針尖角針轉角針彈簧針銅針軸針刺針磨尖銅針圓規(guī)針

上傳時間： 2016-01-09

上傳用戶：1234lucy
分析了MATLAB/Simulink 中DSP Builder 模塊庫在FPGA 設計中優(yōu)點

分析了MATLAB/Simulink 中DSP Builder 模塊庫在FPGA 設計中優(yōu)點，\\r\\n然后結合FSK 信號的產(chǎn)生原理，給出了如何利用DSP Builder 模塊庫建立FSK 信號發(fā)生器模\\r\\n型，以及對FSK 信號發(fā)生器模型進行算法級仿真和生成VHDL 語言的方法，并在modelsim\\r\\n中對FSK 信號發(fā)生器進行RTL 級仿真，最后介紹了在FPGA 芯片中實現(xiàn)FSK 信號發(fā)生器的設\\r\\n計方法。

標簽： Simulink Builder MATLAB FPGA

上傳時間： 2013-08-20

上傳用戶：herog3
CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

標簽： CoolMOS VDMOS 導通電阻分

上傳時間： 2013-10-21

上傳用戶：1427796291
CoolMos的原理、結構及制造

對于常規(guī)VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區(qū)主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區(qū)域一側，耗盡區(qū)擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區(qū)域，這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標簽： CoolMos 制造

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：小眼睛LSL
HVIC-DS-001G FD2501 Datasheet_V1.2(中文版發(fā)布20150818)

FD2501 是一個高電壓、高速柵極驅動器，能夠驅動N型功率MOSFET和IGBT。內(nèi)置欠壓保護功能，防止功率管在過的電壓下工作。

標簽： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 發(fā)布

上傳時間： 2019-01-29

上傳用戶：風梭@6
C-N解偏微分方程的程序。解的是定步長的拋物型偏微分方程： du/dx - a * d2u/dx2 = 0 在程序中可以更改 a 的值以實現(xiàn)不同系數(shù)的解。在循環(huán)中改變 a 的值以實現(xiàn)變系數(shù)

C-N解偏微分方程的程序。解的是定步長的拋物型偏微分方程： du/dx - a * d2u/dx2 = 0 在程序中可以更改 a 的值以實現(xiàn)不同系數(shù)的解。在循環(huán)中改變 a 的值以實現(xiàn)變系數(shù). 該說明在壓縮包是也有

標簽： dx C-N 偏微分方程程序

上傳時間： 2014-01-26

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C語言利用Levinson遞推演算法求解n階Toeplitz型的聯(lián)立方程式

C語言利用Levinson遞推演算法求解n階Toeplitz型的聯(lián)立方程式

標簽： Levinson Toeplitz C語言算法

上傳時間： 2013-12-19

上傳用戶：磊子226
約瑟夫問題編號為1,2,3,…,n的n個人按順序針方向圍坐一張圓桌旁

約瑟夫問題編號為1,2,3,…,n的n個人按順序針方向圍坐一張圓桌旁，每個人手中持有一個密碼（正整數(shù)）。首先輸入一個正整數(shù)作為報數(shù)上限值m，然后，從第一個人開始按順序針方向自1開始順序報數(shù)，報到m的人離開桌子，并將他手中的密碼作為新的m值，從順序針方向的下一個就坐在桌旁的人開始重新從1報數(shù)，如此下去，直至所有人全部離開桌旁為止。

標簽： 方向

上傳時間： 2017-08-03

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