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n型針

U型插針圖紙

四方針，方針，U型針，門形針,n型針，扁針，插針，拱形插針，弧形彎針，弧形插針

標(biāo)簽： 四方針方針 U型針門形針 n型針 扁針插針拱形插針弧形彎針弧形插針

上傳時(shí)間： 2016-08-12

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彎針 U型針軸針尖針

彎針 U型針軸針尖針圓針磨尖鋼針規(guī)格圖紙型號(hào)

標(biāo)簽： 彎針 U型針軸針尖針磨尖鋼針折彎針插針跳線轉(zhuǎn)角彎針車針

上傳時(shí)間： 2016-08-05

上傳用戶：sztfjm
磨尖鋼針規(guī)格圖

磨尖銅針,磨尖銅彎針,可加工成尖頭彎針,U型成,N型,S鉤針

標(biāo)簽： 磨尖鋼針尖頭鋼針尖角針轉(zhuǎn)角針彈簧針銅針軸針刺針磨尖銅針圓規(guī)針

上傳時(shí)間： 2016-01-09

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分析了MATLAB/Simulink 中DSP Builder 模塊庫(kù)在FPGA 設(shè)計(jì)中優(yōu)點(diǎn)

分析了MATLAB/Simulink 中DSP Builder 模塊庫(kù)在FPGA 設(shè)計(jì)中優(yōu)點(diǎn)，\\r\\n然后結(jié)合FSK 信號(hào)的產(chǎn)生原理，給出了如何利用DSP Builder 模塊庫(kù)建立FSK 信號(hào)發(fā)生器模\\r\\n型，以及對(duì)FSK 信號(hào)發(fā)生器模型進(jìn)行算法級(jí)仿真和生成VHDL 語(yǔ)言的方法，并在modelsim\\r\\n中對(duì)FSK 信號(hào)發(fā)生器進(jìn)行RTL 級(jí)仿真，最后介紹了在FPGA 芯片中實(shí)現(xiàn)FSK 信號(hào)發(fā)生器的設(shè)\\r\\n計(jì)方法。

標(biāo)簽： Simulink Builder MATLAB FPGA

上傳時(shí)間： 2013-08-20

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CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻分

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標(biāo)簽： CoolMos 制造

上傳時(shí)間： 2013-11-11

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HVIC-DS-001G FD2501 Datasheet_V1.2(中文版發(fā)布20150818)

FD2501 是一個(gè)高電壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT。內(nèi)置欠壓保護(hù)功能，防止功率管在過(guò)的電壓下工作。

標(biāo)簽： Datasheet_V 20150818 HVIC-DS 2501 001 1.2 FD 發(fā)布

上傳時(shí)間： 2019-01-29

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C-N解偏微分方程的程序。解的是定步長(zhǎng)的拋物型偏微分方程： du/dx - a * d2u/dx2 = 0 在程序中可以更改 a 的值以實(shí)現(xiàn)不同系數(shù)的解。在循環(huán)中改變 a 的值以實(shí)現(xiàn)變系數(shù)

C-N解偏微分方程的程序。解的是定步長(zhǎng)的拋物型偏微分方程： du/dx - a * d2u/dx2 = 0 在程序中可以更改 a 的值以實(shí)現(xiàn)不同系數(shù)的解。在循環(huán)中改變 a 的值以實(shí)現(xiàn)變系數(shù). 該說(shuō)明在壓縮包是也有

標(biāo)簽： dx C-N 偏微分方程程序

上傳時(shí)間： 2014-01-26

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C語(yǔ)言利用Levinson遞推演算法求解n階Toeplitz型的聯(lián)立方程式

C語(yǔ)言利用Levinson遞推演算法求解n階Toeplitz型的聯(lián)立方程式

標(biāo)簽： Levinson Toeplitz C語(yǔ)言算法

上傳時(shí)間： 2013-12-19

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約瑟夫問(wèn)題編號(hào)為1,2,3,…,n的n個(gè)人按順序針?lè)较驀粡垐A桌旁

約瑟夫問(wèn)題編號(hào)為1,2,3,…,n的n個(gè)人按順序針?lè)较驀粡垐A桌旁，每個(gè)人手中持有一個(gè)密碼（正整數(shù)）。首先輸入一個(gè)正整數(shù)作為報(bào)數(shù)上限值m，然后，從第一個(gè)人開(kāi)始按順序針?lè)较蜃?開(kāi)始順序報(bào)數(shù)，報(bào)到m的人離開(kāi)桌子，并將他手中的密碼作為新的m值，從順序針?lè)较虻南乱粋€(gè)就坐在桌旁的人開(kāi)始重新從1報(bào)數(shù)，如此下去，直至所有人全部離開(kāi)桌旁為止。

標(biāo)簽： 方向

上傳時(shí)間： 2017-08-03

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