在非相參雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)中，頻率合成技術(shù)是其中的關(guān)鍵技術(shù).針對(duì)雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)的要求，介紹了一種用DDS激勵(lì)PLL的X波段頻率合成器的設(shè)計(jì)方案。文中給出了主要的硬件選擇及具體電路設(shè)計(jì)，通過(guò)對(duì)該頻率合成器的相位噪聲和捕獲時(shí)間的分析，及對(duì)樣機(jī)性能的測(cè)試，結(jié)果表明該X波段頻率合成器帶寬為800 MHz、輸出相位噪聲優(yōu)于-80 dBc/Hz@10 kHz、頻率分辨率達(dá)0.1 MHz， 可滿足雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)的要求。測(cè)試表明，該頻率合成器能產(chǎn)生低相噪、高分辨率、高穩(wěn)定度的X波段信號(hào)，具有較好的工程應(yīng)用價(jià)值。
標(biāo)簽： X波段 頻率合成器 設(shè)計(jì)方案
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來(lái)，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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iso u-p-o 系列直流電壓信號(hào)隔離放大器是一種將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號(hào)的混合集成電路。該ic內(nèi)部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號(hào)高效率耦合隔離變換電路等，可以將直流電壓小信號(hào)進(jìn)行隔離放大（u/u）輸出或直接轉(zhuǎn)換為直流電流（u /i）信號(hào)輸出。較大的輸入阻抗（≥1 mω）,較強(qiáng)的帶負(fù)載能力（電流輸出＞650ω,電壓輸出≥2kω）能實(shí)現(xiàn)小信號(hào)遠(yuǎn)程無(wú)失真的傳輸。 ic內(nèi)部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術(shù)隔離措施，使器件能滿足信號(hào)輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業(yè)級(jí)寬溫度、潮濕震動(dòng)等現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境要求。外接滿度校正和零點(diǎn)校正的多圈電位器可實(shí)現(xiàn) 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號(hào)之間的隔離和轉(zhuǎn)換。（精度線性高，隔離電壓3000vdc）
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
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本書內(nèi)容包括三大部分：第1 部分從運(yùn)算放大器的基本概念和理論出發(fā)，重點(diǎn)介紹了運(yùn)算放大器的原理與設(shè)計(jì)，以及在各種電子系統(tǒng)中的應(yīng)用，包括視頻應(yīng)用、RF/IF 子系統(tǒng)(乘法器、調(diào)制器和混頻器)等;第2 部分主要介紹了高速采樣和高速ADC 及其應(yīng)用、高速DAC 及其應(yīng)用、以及DDS 系統(tǒng)與接收機(jī)子系統(tǒng)等;第3 部分介紹了有關(guān)高速硬件設(shè)計(jì)技術(shù)，如仿真、建模、原型、布局、去藕與接地，以及EMI 與RFI設(shè)計(jì)考慮等。 書中內(nèi)容既有完整的理論分析，又有具體的實(shí)際應(yīng)用電路，還包括許多應(yīng)用技巧。特別適合電子電路與系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師、高等院校相關(guān)專業(yè)師生閱讀。
標(biāo)簽： ADI 處理器 高速設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-16
上傳用戶：qitiand
利用鎖相環(huán)(PLL)和YTO相結(jié)合,設(shè)計(jì)出一種頻率合成器。實(shí)現(xiàn)了3～7 GHz的頻率覆蓋和低于0.2 Hz的頻率分辨率。全頻段相噪均在-108 dBc/Hz@10 kHz以下,具有較高的實(shí)用價(jià)值。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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USB接口EMC設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)電路:
標(biāo)簽： USB EMC 接口 設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
上傳時(shí)間： 2014-08-08
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將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)后再進(jìn)行處理,是當(dāng)前信號(hào)處理普遍使用的方法,模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）就是將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的器件,所以計(jì)算其有效轉(zhuǎn)換位數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能評(píng)估就顯得尤為重要。文中結(jié)合項(xiàng)目工程實(shí)踐,討論了ADC有效轉(zhuǎn)換位數(shù)的兩種測(cè)試方法:噪聲測(cè)試法和信噪比測(cè)試法,并對(duì)兩種方法進(jìn)行了仿真與分析。
標(biāo)簽： ADC 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-12-17
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本文敘述了研制的應(yīng)用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構(gòu)成和關(guān)鍵部分的設(shè)計(jì)，包括功率合成網(wǎng)絡(luò)、微帶．波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)；功率合成電路的設(shè)計(jì)，特別是波導(dǎo)魔T的優(yōu)化設(shè)計(jì)。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為：中心頻率14．25GHz，帶寬500MHz，P．1dB輸出功率30W，大信號(hào)增益45dB，帶內(nèi)波動(dòng)小于5dB。
標(biāo)簽： 30W Ku波段 固態(tài)功率 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
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