我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計目標:當客戶使用內(nèi)存條時,8片分立器件不焊接;當使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時,SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家:1、在設(shè)計中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管腳約束文件是否還可更改?若能更改,則必須要滿足什么條件下更改?生成的約束文件中,ADDR,data之間是否能調(diào)換? 2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么?通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進行匹配,哪種匹配方式更好? 3、V4中,pcb layout時,DDR2線路阻抗單端為50歐,差分為100歐?Hyperlynx仿真時,那些參數(shù)必須要達到那些指標DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低頻率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片內(nèi)存顆粒,則物理上兩部分是連在一起的,若實際使用時,只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒,是否會造成信號完成性的影響?若有影響,如何控制? 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時使用,構(gòu)成一個(max:8GB)的DDR2單元?若能,則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的參考電壓0.9V的實際工作電流有多大?工作時候,DDR2芯片是否很燙,一般如何考慮散熱? 8、由于多層板疊層的問題,可能頂層和中間層的銅箔不一樣后,中間的夾層后度不一樣時,也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進疊層?
上傳時間: 2013-10-21
上傳用戶:jjq719719
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標簽: GUIDELINES LAYOUT 320 PCB
上傳時間: 2013-10-10
上傳用戶:manga135
pcb layout時,可以參照這些資料,介紹PCB布線以及畫PCB時的一些常用規(guī)則,畫出一塊優(yōu)質(zhì)的PCB,當然,按照實際需要,也可以自由變通這是一個完整的PCB Layout設(shè)計規(guī)則,文章從元器件的布局到元件排列,再到導(dǎo)線布線,以及線寬及間距這些,還有的是焊盤,都做了詳細的分析以下是詳細內(nèi)容:
標簽: pcb_layout 走線
上傳時間: 2013-11-10
上傳用戶:cx111111
用CY8C24533設(shè)計的電動自行車原理圖,pcb layout.基本產(chǎn)品化的設(shè)計
上傳時間: 2017-02-06
上傳用戶:海陸空653
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上傳時間: 2017-02-17
上傳用戶:JIUSHICHEN
主要介紹如何接地 在pcb layout中 ,能幫助減低地之間的串擾。
標簽: 良好的接地
上傳時間: 2021-07-31
上傳用戶:浮鶴
ALIENTEK STM32H750核心板底板 PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術(shù)手冊:集成封裝庫:3.5TFTLCD封裝庫.IntLibATK-4.3' TFTLCD電容觸摸屏模塊_V1.2.IntLibATK-4342 4.3寸RGB屏模塊封裝庫.IntLibATK-7016&7084 7寸RGB屏模塊封裝庫.IntLibATK-NEO-6M-V2.3.IntLibATK-OV2640攝像頭模塊.IntLibATK-OV5640攝像頭模塊封裝庫.IntLibATK-SIM900A GSM模塊封裝庫.IntLibMP3模塊封裝庫.IntLibOLED模塊封裝庫.IntLibSTM32H750核心板封裝庫STM32H750核心板封裝庫.IntLibSTM32F750&H750底板封裝庫STM32F750&H750底板封裝庫.IntLib主要器件手冊列表:3710FXXX037XXFX01.pdf3710MXXX046XXFX01.pdfAMS1117.pdfAP3216C.pdfAT24C02中文數(shù)據(jù)手冊.pdfAT8574_8574A_DS001V1.2.pdfCH340.pdfDHT11.pdfDS1820.pdfDS18B20.pdfES8388-DS.pdfES8388應(yīng)用電路設(shè)計及PCB-LAYOUT注意事項.pdfET2046.pdfGT811.pdfGT9147數(shù)據(jù)手冊.pdfGT9147編程指南.pdfH27U4G8F2E(替代MT29F4G08).pdfICM20608 ProductSpec-V1.pdfICM20608 Register Map.pdfLAN8720A.pdfMD8002.pdfMP2144.pdfMP2359 AN.pdfMP2359.pdfMP3302_r0.98.pdfMT29F4G08ABADAWP.pdfnRF24L01P(新版無線模塊控制IC).PDFOTT2001A IIC協(xié)議指導(dǎo).pdfOTT2001A_V02.pdfOV2640.pdfOV2640_DS(1.6).pdfOV5640_CSP3_DS_2.01_Ruisipusheng.pdfOV7670.pdfOV7670_英文.pdfPAM3101DAB28.pdfPCF8574.pdfPCF8574中文手冊.pdfRT9193.pdfSMBJ3.3-440_series.pdfSMBJ5.0ca.pdfSN74LVC1G00.pdfSP3232.pdfSP3485.pdfSTM32H750XBH6.pdfTJA1050.pdfW25Q256.pdfW25Q64JV.pdfW9825G6KH.pdfXPT2046.pdf
上傳時間: 2021-12-15
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The PW4556 series of devices are highly integrated Li-Ion and Li-Pol linear chargers targetedat small capacity battery for portable applications. It is a complete constant-current/ constantvoltage linear charger. No external sense resistor is needed, and no blocking diode is required dueto the internal MOSFET architecture. It can deliver up to 300mA of charge current (using a goodthermal pcb layout) with a final float voltage accuracy of ±1%. The charge voltage is fixed at 4.2V or4.35V, and the charge current can be programmed externally with a single resistor. The chargerfunction has high accuracy current and voltage regulation loops and charge termination
標簽: pw4556
上傳時間: 2022-02-11
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The GL823K integrates a high speed 8051 microprocessor and a high efficiency hardware engine for the best data transfer performance between USB and flash card interfaces. Its pin assignment design fits to card sockets to provide easier pcb layout. Inside the chip, it integrates 5V to 3.3V regulator, 3.3V to 1.8V regulator and power MOSFETs and it enables the function of on-chip clock source (OCCS) which means no external 12MHz XTAL is needed and that effectively reduces the total BOM cost.
上傳時間: 2022-04-27
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順芯CODEC應(yīng)用電路設(shè)計及PCBLAYOUT注意事項
上傳時間: 2022-07-19
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