CX8505是一款單芯片同步降壓穩(wěn)壓器，在輸入電壓范圍內(nèi)可以持續(xù)提供3A的負(fù)載電流，具有軟啟動，低壓保護(hù)，過流保護(hù)、過溫保護(hù)等功能，待機(jī)模式下僅為0.03毫安 最具高性價比的車載充電器方案
上傳時間： 2013-11-22
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許多電信和計算應(yīng)用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
上傳時間： 2013-12-30
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LT®8610 和 LT8611 是 42V、2.5A 同步降壓型穩(wěn)壓器，可滿足汽車、工業(yè)和通信應(yīng)用嚴(yán)格的高輸入電壓及低輸出電壓要求。為盡量減少外部組件并壓縮解決方案尺寸，上管和下管電源開關(guān)集成在一種同步穩(wěn)壓器拓?fù)渲校藘?nèi)部補償功能電路。即使在調(diào)節(jié)輸出的過程中，穩(wěn)壓器從輸入電源消耗的靜態(tài)電流也僅為 2.5μA。
上傳時間： 2014-12-24
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TPS43600_高效同步四開關(guān)降壓升壓型DCDC控制器
標(biāo)簽： 43600 DCDC TPS 開關(guān)
上傳時間： 2014-12-24
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N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
G5177為致新科技為移動電源領(lǐng)域量身打造的2A輸出同步升壓IC,效率高達(dá)90%以上，價格便宜，周邊電子元件少，省肖特基和關(guān)斷MOS,整體成本大大降低，是移動電源和移動電源+WIFI方案的首選。 我們還有1A同步升壓產(chǎn)品可以P2P選擇。
標(biāo)簽： IC-FOR G5177 MID 同步升壓
上傳時間： 2013-10-12
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基于TPS54610的同步降壓DC_DC電源設(shè)計
標(biāo)簽： 54610 DC_DC TPS 同步降壓
上傳時間： 2013-11-11
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永磁同步電機(jī)FOC算法的流三相電流重構(gòu)算法。
標(biāo)簽： FOC 永磁同步電機(jī) 三相電流 算法
上傳時間： 2013-10-15
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文中提出了一種應(yīng)用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙（MS-EBG）結(jié)構(gòu),其單位晶格由折線縫隙組合與正方形貼片橋接構(gòu)成,以抑制同步開關(guān)噪聲。結(jié)果表明,抑制深度為-30 dB時,與傳統(tǒng)L-bridged EBG結(jié)構(gòu)比較,新EBG結(jié)構(gòu)的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6～5.9 GHz的同步開關(guān)噪聲。
標(biāo)簽： 同步開關(guān)噪聲 電磁 帶隙結(jié)構(gòu)
上傳時間： 2013-11-07
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高的工作電壓高達(dá)100V N雙N溝道MOSFET同步驅(qū)動 The D810DCDC is a synchronous step-down switching regulator controller that can directly step-down voltages from up to 100V, making it ideal for telecom and automotive applications. The D810DCDC uses a constant on-time valley current control architecture to deliver very low duty cycles with accurate cycle-by-cycle current limit, without requiring a sense resistor. A precise internal reference provides 0.5% DC accuracy. A high bandwidth (25MHz) error amplifi er provides very fast line and load transient response. Large 1Ω gate drivers allow the D810DCDC to drive multiple MOSFETs for higher current applications. The operating frequency is selected by an external resistor and is compensated for variations in VIN and can also be synchronized to an external clock for switching-noise sensitive applications. Integrated bias control generates gate drive power from the input supply during start-up and when an output shortcircuit occurs, with the addition of a small external SOT23 MOSFET. When in regulation, power is derived from the output for higher effi ciency.
上傳時間： 2013-10-24
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