電力電容器的電容值測量及失效分析
為 了提高 電力 電容器 的使 用率 ，延 長其 壽命 ，對(duì) 電力 電容 器進(jìn)行 失效 分析是 十分必 要 的。與 傳統(tǒng) 的電壓 、 電流 表法和雙電壓表法相 比，現(xiàn)在測量 電容器 電容值大多采用 數(shù)字 電容表如 ：A I-6600 ，測量范 圍寬 ，準(zhǔn) 確度高 。通 過對(duì)一組 12 個(gè)濾波 電容器...
失效技術(shù)資料
?? 資源總數(shù)：122
?? 技術(shù)文檔：1
?? 源代碼：303
失效分析是電子技術(shù)領(lǐng)域中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，專注于識(shí)別和解決電路板、半導(dǎo)體器件等在使用過程中出現(xiàn)的故障問題。通過深入研究失效模式與機(jī)理，工程師能夠有效提升產(chǎn)品可靠性及壽命。本頁面匯集了122份精選資料，涵蓋從基礎(chǔ)理論到高級(jí)案例分析，適合各層次技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。無論是從事硬件設(shè)計(jì)還是質(zhì)量控制的專業(yè)人士，都能在此找到寶貴資源以增強(qiáng)自身技能，優(yōu)化項(xiàng)目流程。立即探索，開啟您的專業(yè)成長之旅！
?? 失效熱門資料
查看全部122個(gè)資源 ?開關(guān)電源中功率器件的失效原因分析及解決方案
開關(guān)電源中功率器件的失效原因分析及解決方案 開關(guān)電源各重要器件的失效分析...
IGBT失效分析技術(shù)
近年來，對(duì)器件的失效分析已經(jīng)成為電力電子領(lǐng)域中一個(gè)研究熱點(diǎn)。本論文基于現(xiàn)代電力電子裝置中應(yīng)用最廣的IGBT器件，利用靜態(tài)測試儀3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，掃描電子顯微鏡）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy...
芯片封裝失效分析
封裝作為微電子產(chǎn)業(yè)的三大支柱之一，在微電子產(chǎn)業(yè)中的地位越來越重要。隨著微電子產(chǎn)業(yè)不斷的發(fā)展，輕型化，薄型化，小型化的微小間距封裝成為發(fā)展需要。而封裝的相關(guān)失效成為制約封裝向前發(fā)展的瓶頸。本文通過大量的調(diào)研文獻(xiàn)，對(duì)封裝失效分析的目的，內(nèi)容和現(xiàn)狀進(jìn)行總結(jié)，并對(duì)封裝失效分析的未來發(fā)展進(jìn)行展望。本文的主題是...
超薄芯片Backend工藝分析及失效研究
本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個(gè)工藝中關(guān)鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產(chǎn)品的可靠性，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模量產(chǎn)。流程（一）介紹了一種通過技術(shù)轉(zhuǎn)移在上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司（ASMC）開發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應(yīng)力工藝，通過機(jī)械...
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