為 了提高 電力 電容器 的使 用率 ，延 長其 壽命 ，對 電力 電容 器進行 失效 分析是 十分必 要 的。與 傳統 的電壓 、 電流 表法和雙電壓表法相 比，現在測量 電容器 電容值大多采用 數字 電容表如 ：A I-6600 ，測量范 圍寬 ，準 確度高 。通 過對一組 12 個濾波 電容器在 2003～2011 年期間運 行 中所 積 累的 電容值 數據 進行 比較 、分析 和討論 ，指 出在軋 制 生產 線上諧波電流大 、環境 溫度高是造成 電力 電容器 失效 的 主要原 因 ；并提 出 了切 實可 行 的預 防措 施 ，以抑制諧 波 、改善環境溫度 、實現對 電力 電容器 的實 時監 測
上傳時間： 2016-09-05
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開關電源中功率器件的失效原因分析及解決方案 開關電源各重要器件的失效分析
上傳時間： 2022-04-16
上傳用戶：zhanglei193
近年來，對器件的失效分析已經成為電力電子領域中一個研究熱點。本論文基于現代電力電子裝置中應用最廣的IGBT器件，利用靜態測試儀3716，SEM（Scanning Electrom Microscope，掃描電子顯微鏡）、EDX（Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射線光譜儀）、FIB（Focused lon beam，聚焦高子束）切割、TEM（Thermal Emmision Microscope，高精度熱成像分析儀）等多種分析手段對模塊應用當中失效的1GBT芯片進行電特性分析、芯片解剖并完成失效分析，并基于相應的失效模式提出了封裝改進方案。1，對于柵極失效的情況，本論文先經過電特性測試完成預分析，并利用THEMOS分析出柵極漏電流通路，找到最小點并進行失效原因分析，針對相應原因提出改進方案。2，針對開通與關斷瞬態過電流失效，采用研磨、劃片等手段進行芯片的解剖。并用SEM與EDX對芯片損傷程度進行評估分析，以文獻為參考進行失效原因分析，利用saber仿真進行失效原因驗證。3，針對通態過電流失效模式，采用解剖分析來評估損傷情況，探究失效原因，并采用電感鉗位電路進行實驗驗證。4，針對過電壓失效模式，采用芯片解剖方式來分析失效點以及失效情況，基于文獻歸納并總結出傳統失效原因，并通過大量實驗得出基于封裝的失效原因，最后采用saber仿真加以驗證。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-21
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封裝作為微電子產業的三大支柱之一，在微電子產業中的地位越來越重要。隨著微電子產業不斷的發展，輕型化，薄型化，小型化的微小間距封裝成為發展需要。而封裝的相關失效成為制約封裝向前發展的瓶頸。本文通過大量的調研文獻，對封裝失效分析的目的，內容和現狀進行總結，并對封裝失效分析的未來發展進行展望。本文的主題是對封裝中最重要的兩個方面引線鍵合和塑料封裝材料產生的相關失效進行歸納總結。本文從封裝在微電子產業中的作用出發，引出對封裝的失效進行分析的重要性，并說明了國內外封裝產業的差距。對失效的基礎概念，失效的分類進行了闡述；總結了進行失效分析的相關流程和進行失效分析最基本的方法和儀器。對封裝中最普遍的引線鍵合工藝和塑封工藝分別進行了分析。對比了傳統的Au線，Al線與Cu線鍵合工藝，說明了Cu引線鍵合技術代替傳統的鍵合技術成為主流鍵合工藝的必然性；對Cu引線鍵合技術中出現的相關失效問題和國內外的研究結果進行了分析歸納。對塑料封裝材料的發展進行了說明，指出環氧樹脂為主流塑料封裝材料的原因；對環氧樹脂的組成以及在使用環氧樹脂過程中出現的相關失效進行了歸納，并總結了環氧樹脂未來的發展方向。
上傳時間： 2022-06-24
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本文主要超薄芯片的背面金屬化中的一些問題，闡述了兩種主要的背面金屬化工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，提高了產品的可靠性，實現了大規模量產。流程（一）介紹了一種通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司（ASMC）開發的一種特殊工藝，工藝采用特殊背面去應力工藝，通過機械應力和背銀沾污的控制，將背面金屬和硅片的黏附力和金硅接觸電阻大大改善。論文同時闡述了一種自創的檢驗黏附力的方法，通過這種方法的監控，大幅度提高了產品良率，本論文的研究課題來源于企業的大規模生產實踐，對于同類的低壓低導通電阻VDMOS產品有實用的參考意義。流程（二）討論了在半導體器件中應用最為廣泛的金-硅合金工藝的失效模式及其解決辦法。并介紹了我公司獨創的刻蝕-淀積-合金以及應力控制同時完成的方案。通過這種技術，使得金硅合金質量得到大步的提升，并同時大大減少了背金工藝中的碎片問題，為企業獲得了很好的效益。
上傳時間： 2022-06-26
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從典型的表面貼裝工廠的實踐來看，半導體失效原因主要分為與材料有關的失效、與工藝有關的失效，以及電學失效。通常與材料和工藝有關的失效發生的較為頻繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有經驗的工藝工程師和失效分析工程師可以通過 射線焊點檢測儀、掃描電子顯微鏡、能量分散譜、于同批產品交叉試驗就可以確定失效與否，從而找到真正的原因。本文基于摩托羅拉汽車電子廠的實踐簡要介紹前兩種失效形式，著重研究電學失效的特點和形式，前兩種失效形式往往需要靠經驗來判斷，而電學失效更需要一定的理論知識給與指導分析。電學失效中，首先介紹芯片失效分析手段、分析程序，以及國內外失效分析實驗室設備情況，在電學失效分析中所面臨的最大挑戰是失效點的定位和物理分析，在摩托羅拉汽車電子廠實踐中發現，對產品質量影響最主要的是接孔（Via）失效，它是汽車整車裝配廠客戶的主要抱怨以及影響產品可靠性導致整車召回的主要原因之一。本文基于接孔失效實際案例中的統計數據，討論了接孔失效的失效分布狀態函數，回歸了威布爾曲線，計算出分布參數m和c：在阿列里烏斯（Arhenius）失效模型的基礎上建立了接孔失效模型，并計算模型參數溫度壽命加速因子，從而估算出受器件影響的產品的壽命。本文目的旨在基于表面貼裝工廠的具體芯片失效統計數據，進行實際工程的失效分析，探索企業建立失效分析以控制產品質量、提高產品可靠性的機制
標簽： 半導體芯片
上傳時間： 2022-06-26
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電子元器件失效分析與典型案例系統地介紹了電子元器件失效分析技術及典型分析案例。全書分為基礎篇和案例篇。基礎篇闡述電子元器件失效分析的目的和意義、失效分析程序、失效分析技術以及失效分析主要儀器設備與工具；案例篇按照元器件門類分為九章，即集成電路、微波器件、混合集成電路、分立器件、阻容元件、繼電器和連接器、電真空器件、板極電路和其它器件，共計138個失效分析典型案例，各章節突出介紹了該類器件的失效特點、主要失效模式及相關失效機理，提出了預防和控制使用失效發生的必要措施。本書具有較強的實用性，可供失效分析專業工作者以及元器件和整機研制、生產單位的工程技術人員使用，也可作為高等學校半導體器件專業的教學參考書。
標簽： 電子元器件
上傳時間： 2022-07-24
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電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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作者Alan Hastings具有淵博的集成電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗。本書以實用和權威性的觀點全面論述了模擬集成電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基于模擬集成電路設計所采用的3種基本工藝：標準雙極工藝、CMOS硅柵工藝和BiCMOS工藝，重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極管設計，雙極型晶體管和場效應晶體管的設計與應用，以及某些專門領域的內容，包括器件合并、保護環、焊盤制作、單層連接、ESD結構等；最后介紹了有關芯片版圖的布局布線知識。本書可作為相關專業高年級本科生和研究生教材，對于專業版圖設計人員也是一本極具價值的參考書。
上傳時間： 2013-06-23
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線束導通檢測與管線氣密檢測系統是一種保證線束質量和可靠性以及管線密閉性的最基本測試儀器，它可以剔除大量線束連接中出現的短路、斷路、誤配線和接觸不良等故障，也可以用于檢測管線的氣密性是否符合實際生產要求，從而提高相關工業產品的質量及穩定性。 本文詳細介紹了線束導通檢測與管線氣密檢測系統的硬件制作及軟件設計。論文首先闡述了課題背景和線束導通檢測與管線氣密檢測裝置發展的國內外現狀，同時對線束測試的基本原理和幾種常見的失效模式進行了分析。隨后詳細介紹本系統的總體設計方案和設計思路以及系統的結構組成。文章主體主要分為三大部分內容，第一部分為線束檢測系統的設計，第二部分為管線氣密檢測系統的設計，第三部分為檢測信息編輯PC機軟件的設計。三大部分涵蓋軟、硬件的設計研究，但在設計及功能上相對獨立，故分開進行介紹。 作為第一部分線束檢測系統設計的開頭篇，第二章詳細介紹了系統的導通檢測、數據讀寫、人機交互等各個模塊的硬件設計。第三章以第二章所介紹的硬件結構為基礎，從線束檢測算法、數據通信、數據存取等方面逐層進行探討，從而完成對線束檢測系統軟件部分的介紹。按照第一部分的模式，第二部分所包含的四、五兩章對本系統中的管線氣密檢測部分分別從硬件和軟件的角度進行詳細介紹和深度剖析。第三部分主要介紹基于MFC的PC機信息編輯軟件的開發，分別從開發工具、軟件架構、算法等方面進行詳盡的闡述。 本論文介紹的汽車線束檢測系統可以支持最多1024個線束點，8路氣密管線的檢測，并且能管理并存儲線束測試的大量數據，方便操作人員查看線束測試情況，同時線束檢測部分具有自學習功能，應用前景十分廣闊。
上傳時間： 2013-04-24
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