SDRAM的原理和時(shí)序
SDRAM內(nèi)存模組與基本結(jié)構(gòu) 我們平時(shí)看到的SDRAM都是以模組形式出現(xiàn)，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個(gè)概念：物理Bank與芯片位寬。1、 物理Bank 傳統(tǒng)內(nèi)存系統(tǒng)為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個(gè)傳輸周期內(nèi)所需要的數(shù)據(jù)。而CPU在一個(gè)傳輸周期能接受的數(shù) 據(jù)容量就是CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，單位是bit（位）。當(dāng)時(shí)控制內(nèi)存與CPU之間數(shù)據(jù)交換的北橋芯片也因此將內(nèi)存總線的數(shù)據(jù)位寬 等同于CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，而這個(gè)位寬就稱之為物理Bank（Physical Bank，下文簡稱P-Bank）的位寬。所以，那時(shí)的內(nèi)存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應(yīng)該還記 得Pentium剛上市時(shí)，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因?yàn)橐粭l72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數(shù)據(jù)總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內(nèi)存開機(jī)。不過要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，P-Bank是SDRAM及以前傳統(tǒng)內(nèi)存家族的特有概念，RDRAM中將以通道（Channel）取代，而對 于像Intel E7500那樣的并發(fā)式多通道DDR系統(tǒng)，傳統(tǒng)的P-Bank概念也不適用。2、 芯片位寬 上文已經(jīng)講到SDRAM內(nèi)存系統(tǒng)必須要組成一個(gè)P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個(gè)P-Bank位寬怎么得到呢 ？這就涉及到了內(nèi)存芯片的結(jié)構(gòu)。 每個(gè)內(nèi)存芯片也有自己的位寬，即每個(gè)傳輸周期能提供的數(shù)據(jù)量。理論上，完全可以做出一個(gè)位寬為64bit的芯片來滿足P-Ban k的需要，但這對技術(shù)的要求很高，在成本和實(shí)用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機(jī)市場所用的SDRAM芯片 位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯(lián)工作。對于16bi t芯片，需要4顆（4×16bit=64bit）。對于8bit芯片，則就需要8顆了。以上就是芯片位寬、芯片數(shù)量與P-Bank的關(guān)系。P-Bank其實(shí)就是一組內(nèi)存芯片的集合，這個(gè)集合的容量不限，但這個(gè)集合的 總位寬必須與CPU數(shù)據(jù)位寬相符。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用的發(fā)展，
標(biāo)簽：
SDRAM
時(shí)序
上傳時(shí)間：
2013-11-04
上傳用戶：zhuimenghuadie
