計(jì)算機(jī)應(yīng)用中，有時(shí)需處理的信息不是數(shù)字量，而是一些隨時(shí)間連續(xù)變化的模擬量，甚至是一些非電量，如溫度、壓力、速度等。模擬量的存儲(chǔ)處理困難。首先將非電的模擬信號變成與之對應(yīng)的模擬電信號，這要通過各種傳感器來完成。計(jì)算機(jī)可處理的信息均是數(shù)字量（電脈沖信號）1和0，必須把要處理的模擬電量轉(zhuǎn)換成數(shù)字化的電信號，這需要模擬(Analog)與數(shù)字(Digital)轉(zhuǎn)換電路。數(shù)字到模擬轉(zhuǎn)換:(Digital to Analog Convert, D/A) D/A轉(zhuǎn)換電路是模擬電路加上電子開關(guān)。D/A轉(zhuǎn)換電路的核心是一個(gè)運(yùn)算放大器。運(yùn)算放大器的特性:(Operation Amplifier) K->無窮大， V和->0 傳遞函數(shù)：V0 = -Vi * R0/Ri Ii->0, I和=If梯形R-2R電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器Ki受一個(gè)8位二進(jìn)制代碼控制 某位為1，對應(yīng)開關(guān)K倒向右邊； 某位為0，對應(yīng)開關(guān)K倒向左邊。Ki不論倒向哪邊，均為接地VA-VH 的電位為： Vref，1/2Vref，..1/128VrefVO= -Vref *（1/2K7+1/4K6+…+1/256K0）V0= -（0-255/256）Vref 8位D/A轉(zhuǎn)換器DAC0830系列器件國家半導(dǎo)體公司（NS)產(chǎn)品，0830、0831、0832。R-2R梯形電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器，雙緩沖結(jié)構(gòu)。單電源、低功耗、電流建立時(shí)間1uS。與微計(jì)算機(jī)接口方便。8位D/A轉(zhuǎn)換器DAC0830系列器件ILE： 輸入鎖存允許； WR1#： 加載IN REG； WR2#: 加載DAC REG； XFER#: IN REG傳到DAC REG； Iout1,Iout2: 外接OA輸入； Rfb: 反饋電阻接OA輸出； Vref： 參考電源，控制輸出電壓變化范圍。
標(biāo)簽： AD轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間： 2013-10-16
上傳用戶：lu2767
RSM1843 是四線電阻式觸摸屏控制芯片。電路是一個(gè)12bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），內(nèi)置 同步串行數(shù)據(jù)接口和驅(qū)動(dòng)觸摸屏的低阻開關(guān)。基準(zhǔn)電壓（Vref）變化范圍從1V 到+Vcc，相 應(yīng)的輸入電壓范圍為0V 到Vref。電路提供了關(guān)斷模式，功耗可降低至0.5W。RSM1843 工 作電壓能低至2.7V，是電池供電設(shè)備的理想選擇，可適用于電阻式觸摸屏的PDA 等便攜設(shè)備。
標(biāo)簽： 1843 RSM 四線電阻式 觸摸屏控制芯片
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：lalalal
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（Vref pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼片分立內(nèi)存顆粒時(shí)，SODIMM內(nèi)存條不安裝。請問專家：1、在設(shè)計(jì)中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調(diào)換？ 2、對DDR2數(shù)據(jù)、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進(jìn)行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進(jìn)行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時(shí)，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時(shí)，那些參數(shù)必須要達(dá)到那些指標(biāo)DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內(nèi)存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內(nèi)存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實(shí)際使用時(shí)，只安裝內(nèi)存條或只安裝8片內(nèi)存顆粒，是否會(huì)造成信號完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內(nèi)存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時(shí)使用，構(gòu)成一個(gè)(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應(yīng)該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（Vref pin）的參考電壓0.9V的實(shí)際工作電流有多大？工作時(shí)候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時(shí)，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進(jìn)疊層？
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：jjq719719
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討，本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存，其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn)，所以DDR 有時(shí)也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其時(shí)鐘頻率沒有增加，只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶：宋桃子
/// ////HVDA高差壓差動(dòng)輸入，定時(shí)啟動(dòng)，由T2定時(shí)//////////////// /////////選擇4，5通道為ADC0差動(dòng)轉(zhuǎn)化通道////////////// /////////儀表為某速度儀，輸出Vout:0-10V,且?guī)в袇⒖茧妷狠敵?b>Vref:5V//// /////////儀表特性:Vout-Vref與速度成線性關(guān)系，量程為-1m/s至1m/s/////// /////////對于電壓超過3.6V的AD轉(zhuǎn)化，只能采用HVDA通道//////////////// /////////儀表輸出端與HVAIN+相連，儀表參考電平輸出與HVAIN-相連//// /////////HVref端與1V相連(可由DAC輸出產(chǎn)生)////////////////////////// ///////////HVCAP連接30pf，濾波轉(zhuǎn)折頻率在1KHZ左右////////////////// /////////程序中對速度積分求取位移////////////////////////////////////// //////HVDA.c
上傳時(shí)間： 2014-01-25
上傳用戶：zwei41
ADI公司的200MPS高速16BIT AD的源碼，注意Vref和VDD分開。
上傳時(shí)間： 2014-01-19
上傳用戶：caozhizhi
ADC0809是帶有8位A/D轉(zhuǎn)換器、8路多路開關(guān)以及微處理機(jī)兼容的控制邏輯的CMOS組件。它是逐次逼近式A/D轉(zhuǎn)換器，可以和單片機(jī)直接接口，從ADC0809的通道IN3輸入0－5V之間的模擬量，通過ADC0809轉(zhuǎn)換成數(shù)字量在數(shù)碼管上以十進(jìn)制形成顯示出來。ADC0809的Vref接＋5V電壓
標(biāo)簽： 0809 CMOS ADC 轉(zhuǎn)換器
上傳時(shí)間： 2016-03-29
上傳用戶：asasasas
從ADC0809的通道IN3輸入0－5V之間的模擬量，通過ADC0809轉(zhuǎn)換成數(shù)字量在數(shù)碼管上以十進(jìn)制形成顯示出來。ADC0809的Vref接＋5V電壓
上傳時(shí)間： 2017-09-14
上傳用戶：hzy5825468
卡爾曼濾波在AVR單片機(jī)的應(yīng)用，引腳接法：PC1 (ADC1) Y Accel (Pin 8) PC2 (ADC2) Z Accel (Pin 7) PC3 (ADC3) X Rate (Pin 3) PC4 (ADC4) Y Rate (Pin 4) PC5 (ADC5) Vref (Pin 5)
上傳時(shí)間： 2013-12-13
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