Proteus6.7是目前最好的模擬單片機(jī)外圍器件的工具，真的很不錯(cuò)。可以仿真51系列、AVR，PIC等常用的MCU及其外圍電路（如LCD，RAM，ROM，鍵盤(pán)，馬達(dá)，LED，AD/DA，部分SPI器件，部分IIC器件，...） 其實(shí)proteus與multisim比較類(lèi)似，只不過(guò)它可以仿真MCU！
標(biāo)簽： Proteus 6.7 模擬 單片機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-09-29
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用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無(wú)雜散動(dòng)態(tài) 范圍)
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶(hù)：魚(yú)哥哥你好
基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱(chēng)為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時(shí)間： 2013-10-21
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對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：小眼睛LSL
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶(hù)：gtzj
采用三維泊松方程和二維薛定諤方程自洽求解方法,建立量子點(diǎn)接觸器件（QPC）內(nèi)的電勢(shì)分布和二維電子氣層的電子密度分布的準(zhǔn)三維模型及模擬方法,并將模擬結(jié)果與傳統(tǒng)的Buttiker鞍型電勢(shì)分布進(jìn)行比較。
標(biāo)簽： 量子點(diǎn) 接觸器 電勢(shì) 數(shù)值
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶(hù)：ZOULIN58
由于CMOS器件靜電損傷90%是延遲失效，對(duì)整機(jī)應(yīng)用的可靠性影響太大，因而有必要對(duì)CMOS器件進(jìn)行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機(jī)理，從而對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了幾種在線路設(shè)計(jì)中如何抗靜電，以保護(hù)CMOS器件不受損傷。
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶(hù)：yupw24
模擬轉(zhuǎn)換器性能不只依賴(lài)分辨率規(guī)格 大量的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)使人們難以選擇最適合某種特定應(yīng)用的ADC器件。工程師們選擇ADC時(shí)，通常只注重位數(shù)、信噪比(SNR)、諧波性能，但是其它規(guī)格也同樣重要。本文將介紹ADC器件最易受到忽視的九項(xiàng)規(guī)格，并說(shuō)明它們是如何影響ADC性能的。 1. SNR比分辨率更為重要。 ADC規(guī)格中最常見(jiàn)的是所提供的分辨率，其實(shí)該規(guī)格并不能表明ADC器件的任何能力。但可以用位數(shù)n來(lái)計(jì)算ADC的理論SNR： 不 過(guò)工程師也許并不知道，熱噪聲、時(shí)鐘抖動(dòng)、差分非線性(DNL)誤差以及其它參數(shù)異常都會(huì)限制ADC器件的SNR。對(duì)于高性能高分辨率轉(zhuǎn)換器尤其如此。一 些數(shù)據(jù)表提供有效位數(shù)(ENOB)規(guī)格，它描述了ADC器件所能提供的有效位數(shù)。為了計(jì)算ADC的ENOB值，應(yīng)把測(cè)量的SNR值放入上述公式，并求解 n。
上傳時(shí)間： 2014-12-22
上傳用戶(hù)：z240529971
緒論 3線性及邏輯器件新產(chǎn)品優(yōu)先性計(jì)算領(lǐng)域4PCI Express®多路復(fù)用技術(shù)USB、局域網(wǎng)、視頻多路復(fù)用技術(shù)I2C I/O擴(kuò)展及LED驅(qū)動(dòng)器RS-232串行接口靜電放電(ESD)保護(hù)服務(wù)器/存儲(chǔ)10GTL/GTL+至LVTTL轉(zhuǎn)換PCI Express信號(hào)開(kāi)關(guān)多路復(fù)用I2C及SMBus接口RS-232接口靜電放電保護(hù)消費(fèi)醫(yī)療16電源管理信號(hào)調(diào)節(jié)I2C總線輸入/輸出擴(kuò)展電平轉(zhuǎn)換靜電放電保護(hù) 手持設(shè)備22電平轉(zhuǎn)換音頻信號(hào)路由I2C基帶輸入/輸出擴(kuò)展可配置小邏輯器件靜電放電保護(hù)鍵區(qū)控制娛樂(lè)燈光顯示USB接口工業(yè)自動(dòng)化31接口——RS-232、USB、RS-485/422繼電器及電機(jī)控制保持及控制：I2C I/O擴(kuò)展信號(hào)調(diào)節(jié)便攜式工業(yè)（掌上電腦/掃描儀） 36多路復(fù)用USB外設(shè)卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制靜電放電保護(hù) 對(duì)于任意外部接口連接器的端口來(lái)說(shuō)，靜電放電的沖擊一直是對(duì)器件可靠性的威脅。許多低電壓核心芯片或系統(tǒng)級(jí)的特定用途集成電路(ASIC)提供了器件級(jí)的人體模型(HBM)靜電放電保護(hù)，但無(wú)法應(yīng)付系統(tǒng)級(jí)的靜電放電。一個(gè)卓越的靜電放電解決方案應(yīng)該是一個(gè)節(jié)省空間且經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，可保護(hù)系統(tǒng)的相互連接免受外部靜電放電的沖擊。
上傳時(shí)間： 2013-10-18
上傳用戶(hù)：mikesering
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