一、PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的組建建議 二、高性能PCB設(shè)計(jì)的硬件必備基礎(chǔ)三、高性能PCB設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和工程實(shí)現(xiàn) 1.研發(fā)周期的挑戰(zhàn) 2.成本的挑戰(zhàn) 3.高速的挑戰(zhàn) 4.高密的挑戰(zhàn) 5.電源、地噪聲的挑戰(zhàn) 6.EMC的挑戰(zhàn) 7.DFM的挑戰(zhàn)四、工欲善其事,必先利其器摘要:本文以IT行業(yè)的高性能的PCB設(shè)計(jì)為主線,結(jié)合Cadence在高速PCB設(shè)計(jì)方面的強(qiáng)大功能,全面剖析高性能PCB設(shè)計(jì)的工程實(shí)現(xiàn)。正文:電子產(chǎn)業(yè)在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下,產(chǎn)品的功能越來(lái)越強(qiáng),集成度越來(lái)越高、信號(hào)的速率越來(lái)越快,產(chǎn)品的研發(fā)周期也越來(lái)越短,PCB的設(shè)計(jì)也隨之進(jìn)入了高速PCB設(shè)計(jì)時(shí)代。PCB不再僅僅是完成互連功能的載體,而是作為所有電子產(chǎn)品中一個(gè)極為重要的部件。本文從高性能PCB設(shè)計(jì)的工程實(shí)現(xiàn)的角度,全面剖析IT行業(yè)高性能PCB設(shè)計(jì)的方方面面。實(shí)現(xiàn)高性能的PCB設(shè)計(jì)首先要有一支高素質(zhì)的PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。一、PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的組建建議自從PCB設(shè)計(jì)進(jìn)入高速時(shí)代,原理圖、PCB設(shè)計(jì)由硬件工程師全權(quán)負(fù)責(zé)的做法就一去不復(fù)返了,專職的PCB工程師也就應(yīng)運(yùn)而生。
標(biāo)簽: PCB 性能 工程實(shí)現(xiàn)
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第一步,拿到一塊PCB,首先在紙上記錄好所有元?dú)饧男吞?hào),參數(shù),以及位置,尤其是二極管,三機(jī)管的方向,IC缺口的方向。最好用數(shù)碼相機(jī)拍兩張?jiān)獨(dú)饧恢玫恼掌5诙剑鸬羲衅骷⑶覍AD孔里的錫去掉。用酒精將PCB清洗干凈,然后放入掃描儀內(nèi),啟動(dòng)POHTOSHOP,用彩色方式將絲印面掃入,并打印出來(lái)備用。第三步,用水紗紙將TOP LAYER 和BOTTOM LAYER兩層輕微打磨,打磨到銅膜發(fā)亮,放入掃描儀,啟動(dòng)PHOTOSHOP,用彩色方式將兩層分別掃入。注意,PCB在掃描儀內(nèi)擺放一定要橫平樹直,否則掃描的圖象就無(wú)法使用。第四步,調(diào)整畫布的對(duì)比度,明暗度,使有銅膜的部分和沒(méi)有銅膜的部分對(duì)比強(qiáng)烈,然后將次圖轉(zhuǎn)為黑白色,檢查線條是否清晰,如果不清晰,則重復(fù)本步驟。如果清晰,將圖存為黑白BMP格式文件TOP.BMP和BOT.BMP。第五步,將兩個(gè)BMP格式的文件分別轉(zhuǎn)為PROTEL格式文件,在PROTEL中調(diào)入兩層,如過(guò)兩層的PAD和VIA的位置基本重合,表明前幾個(gè)步驟做的很好,如果有偏差,則重復(fù)第三步。第六,將TOP。BMP轉(zhuǎn)化為TOP。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在TOP層描線就是了,并且根據(jù)第二步的圖紙放置器件。畫完后將SILK層刪掉。 第七步,將BOT。BMP轉(zhuǎn)化為BOT。PCB,注意要轉(zhuǎn)化到SILK層,就是黃色的那層,然后你在BOT層描線就是了。畫完后將SILK層刪掉。第八步,在PROTEL中將TOP。PCB和BOT。PCB調(diào)入,合為一個(gè)圖就OK了。第九步,用激光打印機(jī)將TOP LAYER, BOTTOM LAYER分別打印到透明膠片上(1:1的比例),把膠片放到那塊PCB上,比較一下是否有誤,如果沒(méi)錯(cuò),你就大功告成了。
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探索雙層板布線技藝電池供電產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)中,考慮目標(biāo)成本相對(duì)的重要。多層板解決方案更是工程師在設(shè)計(jì)時(shí)必需的重要考慮。本文將探討雙層板的布線方式,使用自動(dòng)布線與手工布線來(lái)做模擬與混合信號(hào)電路布線的差別,如何安排接地回路等。以電池供電產(chǎn)品之高度競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)中,當(dāng)考慮目標(biāo)成本時(shí)總是要求設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)中使用雙層電路板。雖然多層板(四層、六層以及八層)的解決方式無(wú)論在尺寸、噪聲,以及性能上都可以做得更好,但成本壓力迫使工程師必須盡量使用雙層板。在本文中將討論使用或不用自動(dòng)布線、有或沒(méi)有接地面的電流返回路徑的概念,以及關(guān)于雙層板零件的布置方式。使用自動(dòng)布線器來(lái)設(shè)計(jì)印刷電路板(PCB)是吸引人的。大多數(shù)的情形下,自動(dòng)布線對(duì)純數(shù)字的電路(尤其是低頻率信號(hào)且低密度的電路)的動(dòng)作不至于會(huì)有問(wèn)題。但當(dāng)嘗試使用布線軟件提供的自動(dòng)布線工具做模擬、混合訊號(hào)或高速電路的布線時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)一些問(wèn)題,而且有可能造成極嚴(yán)重的電路性能問(wèn)題。例如,(圖一)所示為雙層板自動(dòng)走線的上層,(圖二)為電路板的下層。對(duì)混合訊號(hào)電路的布線而言,各種裝置都是經(jīng)過(guò)周詳?shù)目紤]后才以人工方式將零件放置到板子上并將數(shù)字與模擬裝置隔開。
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第二部分:DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................1493.1 無(wú)緩沖(Unbuffered)內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................1493.2 帶寄存器(Registered)的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................1594.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................1624.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................1634.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................1664.5 電源,參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種:SDR,DDR,RAMBUS。其中,RAMBUS內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討,本文所總結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR,它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存,其核心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn),所以DDR 有時(shí)也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate,也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率,但是其時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加,只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
標(biāo)簽: DRAM 內(nèi)存模塊 設(shè)計(jì)技術(shù)
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現(xiàn)代的電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品的復(fù)雜度、時(shí)鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢(shì),但系統(tǒng)的電壓卻不斷在減小,所有的這一切加上產(chǎn)品投放市場(chǎng)的時(shí)間要求給設(shè)計(jì)師帶來(lái)了前所未有的巨大壓力。要想保證產(chǎn)品的一次性成功就必須能預(yù)見(jiàn)設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的各種問(wèn)題,并及時(shí)給出合理的解決方案,對(duì)于高速的數(shù)字電路來(lái)說(shuō),最令人頭大的莫過(guò)于如何確保瞬時(shí)跳變的數(shù)字信號(hào)通過(guò)較長(zhǎng)的一段傳輸線,還能完整地被接收,并保證良好的電磁兼容性,這就是目前頗受關(guān)注的信號(hào)完整性(SI)問(wèn)題。本章就是圍繞信號(hào)完整性的問(wèn)題,讓大家對(duì)高速電路有個(gè)基本的認(rèn)識(shí),并介紹一些相關(guān)的基本概念。 第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來(lái)的問(wèn)題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問(wèn)題.................................................................302.6.2.1 過(guò)沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問(wèn)題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過(guò)孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時(shí)序系統(tǒng).......................................................................................1086.2.1 源同步系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)...................................................................1096.2.2 源同步時(shí)序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來(lái)...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構(gòu)成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關(guān)工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設(shè)計(jì)理論在實(shí)際中的運(yùn)用.............................................................1228.1 疊層設(shè)計(jì)方案...........................................................................................1228.2 過(guò)孔對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊?..........................................................................1278.3 一般布局規(guī)則...........................................................................................1298.4 接地技術(shù)...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
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第一部分 信號(hào)完整性知識(shí)基礎(chǔ).................................................................................5第一章 高速數(shù)字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來(lái)的問(wèn)題及設(shè)計(jì)流程剖析...............................................................61.3 相關(guān)的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統(tǒng)和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報(bào)方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質(zhì).................................................................................142.3.2 特征阻抗相關(guān)計(jì)算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對(duì)信號(hào)完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報(bào)方程及推導(dǎo).............................................................................182.5 趨膚效應(yīng)和集束效應(yīng).................................................................................232.6 信號(hào)的反射.................................................................................................252.6.1 反射機(jī)理和電報(bào)方程.........................................................................252.6.2 反射導(dǎo)致信號(hào)的失真問(wèn)題.................................................................302.6.2.1 過(guò)沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩:.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負(fù)載的匹配.................................................................................41第三章 串?dāng)_的分析...............................................................................................423.1 串?dāng)_的基本概念.........................................................................................423.2 前向串?dāng)_和后向串?dāng)_.................................................................................433.3 后向串?dāng)_的反射.........................................................................................463.4 后向串?dāng)_的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對(duì)串?dāng)_的影響.................................................................483.6 連接器的串?dāng)_問(wèn)題.....................................................................................513.7 串?dāng)_的具體計(jì)算.........................................................................................543.8 避免串?dāng)_的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產(chǎn)生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號(hào)的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場(chǎng)屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場(chǎng)屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場(chǎng)屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設(shè)計(jì)中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數(shù)和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設(shè)計(jì)抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過(guò)孔對(duì)回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規(guī)則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎(chǔ)...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設(shè)計(jì).............................................................................................855.3 同步開關(guān)噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內(nèi)部開關(guān)噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關(guān)噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應(yīng)用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質(zhì)和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯(lián)特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統(tǒng)時(shí)序.................................................................................................1006.1 普通時(shí)序系統(tǒng)...........................................................................................1006.1.1 時(shí)序參數(shù)的確定...............................................................................1016.1.2 時(shí)序約束條件...................................................................................1063.2 高速設(shè)計(jì)的問(wèn)題.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的組件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系統(tǒng)......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自動(dòng)布線器.......................................................2303.4 高速設(shè)計(jì)的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的探索...............................................................................2313.4.2 空間解決方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓?fù)淠0弪?qū)動(dòng)設(shè)計(jì)...................................................................2313.4.4 時(shí)序驅(qū)動(dòng)布局...................................................................................2323.4.5 以約束條件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì).......................................................................2323.4.6 設(shè)計(jì)后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的進(jìn)階運(yùn)用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括:................................2344.2 圖形化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)探索...........................................................................2344.3 全面的信號(hào)完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 設(shè)計(jì)前和設(shè)計(jì)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提取.......................................................2354.6 仿真設(shè)置顧問(wèn)...........................................................................................2354.7 改變?cè)O(shè)計(jì)的管理.......................................................................................2354.8 關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)...........................................................................................2364.8.1 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形顯示器........................................................................2364.8.3 集成化的在線分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章 部分特殊的運(yùn)用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信號(hào)的仿真.......................................................................................2435.3 眼圖模式的使用.......................................................................................249第四部分:HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 進(jìn)行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 進(jìn)行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 處理信號(hào)完整性原理圖的具體問(wèn)題.......................................................2591.3 在LineSim 中如何對(duì)傳輸線進(jìn)行設(shè)置...................................................2601.4 在LineSim 中模擬IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中進(jìn)行串?dāng)_仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 進(jìn)行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 進(jìn)行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的進(jìn)一步介紹..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串?dāng)_仿真..........................................................................309
標(biāo)簽: PCB 內(nèi)存 仿真技術(shù)
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第一單 PSPICE使用初步第二章 文本文件描述第三章 電路原理圖程序第四章 模擬計(jì)算程序PSPICE及圖形后第五章 信號(hào)源模型編輯STMED第六章 模型參數(shù)提取PArts第七章 常見(jiàn)問(wèn)題處理第八章 PSPICE應(yīng)用。
上傳時(shí)間: 2013-10-29
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高速PCB設(shè)計(jì)指南之(一~八 )目錄 2001/11/21 一、1、PCB布線2、PCB布局3、高速PCB設(shè)計(jì) 二、1、高密度(HD)電路設(shè)計(jì)2、抗干擾技術(shù)3、PCB的可靠性設(shè)計(jì)4、電磁兼容性和PCB設(shè)計(jì)約束 三、1、改進(jìn)電路設(shè)計(jì)規(guī)程提高可測(cè)性2、混合信號(hào)PCB的分區(qū)設(shè)計(jì)3、蛇形走線的作用4、確保信號(hào)完整性的電路板設(shè)計(jì)準(zhǔn)則 四、1、印制電路板的可靠性設(shè)計(jì) 五、1、DSP系統(tǒng)的降噪技術(shù)2、POWERPCB在PCB設(shè)計(jì)中的應(yīng)用技術(shù)3、PCB互連設(shè)計(jì)過(guò)程中最大程度降低RF效應(yīng)的基本方法 六、1、混合信號(hào)電路板的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則2、分區(qū)設(shè)計(jì)3、RF產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程中降低信號(hào)耦合的PCB布線技巧 七、1、PCB的基本概念2、避免混合訊號(hào)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)陷阱3、信號(hào)隔離技術(shù)4、高速數(shù)字系統(tǒng)的串音控制 八、1、掌握IC封裝的特性以達(dá)到最佳EMI抑制性能2、實(shí)現(xiàn)PCB高效自動(dòng)布線的設(shè)計(jì)技巧和要點(diǎn)3、布局布線技術(shù)的發(fā)展 注:以上內(nèi)容均來(lái)自網(wǎng)上資料,不是很系統(tǒng),但是對(duì)有些問(wèn)題的分析還比較具體。由于是文檔格式,所以缺圖和表格。另外,可能有小部分內(nèi)容重復(fù)。
標(biāo)簽: PCB 設(shè)計(jì)指南
上傳時(shí)間: 2013-10-09
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PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD:在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD,不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER:?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路;多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER:通常指多層板之電源層。8. INNER PAD:多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD:多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍,不與零件腳相接。10. THERMAL PAD:多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD,一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊):除了SMD PAD 外,其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn)),其原則如下:1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil,元件分布較密時(shí),測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil,一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上,避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽: layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間: 2013-11-17
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間: 2013-11-04
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