keil C 與proteus環(huán)境下仿真單片機開發(fā)的5個實例，是單片機嵌入式開發(fā)的極有價值的參考資料。其中包括了流水燈、走馬燈、1602液晶屏驅(qū)動、ds1302、max7221的仿真開發(fā)實例，包括c語言代碼。
標(biāo)簽： proteus keil 環(huán)境 仿真
上傳時間： 2013-09-30
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用于定量表示ADC動態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位 數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動態(tài) 范圍)
上傳時間： 2014-01-22
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ADC0809做AD轉(zhuǎn)換的C程序
標(biāo)簽： 0809 ADC AD轉(zhuǎn)換 C程序
上傳時間： 2013-11-11
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采用鎖相環(huán)技術(shù)設(shè)計了一種穩(wěn)定、低噪聲的C波段頻率源。建立了鎖相環(huán)的相位噪聲模型并分析影響相位噪聲的因素，進行了鎖相環(huán)低通濾波器的設(shè)計。利用軟件對環(huán)路的穩(wěn)定性和相位噪聲進行仿真，相位裕度在45°以上，環(huán)路工作穩(wěn)定，且具有較好的相位噪聲特性
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：吾學(xué)吾舞
任何雷達接收器所接收到的回波(echo)訊號，都會包含目標(biāo)回波和背景雜波。雷達系統(tǒng)的縱向解析度和橫向解析度必須夠高，才能在充滿背景雜波的環(huán)境中偵測到目標(biāo)。傳統(tǒng)上都會使用短週期脈衝波和寬頻FM 脈衝來達到上述目的。
標(biāo)簽： 步進頻率 模擬 雷達系統(tǒng) 測試
上傳時間： 2014-12-23
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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動電路設(shè)計與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動 電路設(shè)計
上傳時間： 2014-08-01
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模糊C-均值聚類算法是一種無監(jiān)督圖像分割技術(shù)，但存在著初始隸屬度矩陣隨機選取的影響，可能收斂到局部最優(yōu)解的缺點。提出了一種粒子群優(yōu)化與模糊C-均值聚類相結(jié)合的圖像分割算法，根據(jù)粒子群優(yōu)化算法強大的全局搜索能力，有效地避免了傳統(tǒng)的FCM對隨機初始值的敏感，容易陷入局部最優(yōu)的缺點。實驗表明，該算法加快了收斂速度，提高了圖像的分割精度。
上傳時間： 2013-10-25
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為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產(chǎn)生相互補償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時,這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個數(shù)量級。
標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻 分
上傳時間： 2013-10-21
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計數(shù)器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計N進制計數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計了3種36進制計數(shù)器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結(jié)果表明設(shè)計的計數(shù)器實現(xiàn)了36進制計數(shù)的功能。基于集成計數(shù)器的N進制計數(shù)器設(shè)計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設(shè)計和仿真具有省時、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進制計數(shù)器原
上傳時間： 2013-10-11
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
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