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點(diǎn)(diǎn)陣型

基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的某型飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)故障診斷研究

　　航空發(fā)動(dòng)機(jī)故障診斷技術(shù)對(duì)避免飛行事故和降低飛行器運(yùn)行成本是十分重要的。提出一種BP網(wǎng)絡(luò)對(duì)某型飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)行故障診斷，但是由于BP網(wǎng)絡(luò)收斂速度較慢而且容易陷入局部極小值，特別是BP網(wǎng)絡(luò)通常只能給出一個(gè)解，受訓(xùn)練樣本病態(tài)影響大。因此通過對(duì)BP網(wǎng)絡(luò)的改進(jìn)，建立了L-M算法神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的飛機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)故障診斷模型。實(shí)驗(yàn)表明，該網(wǎng)絡(luò)在一定程度上克服了BP網(wǎng)絡(luò)存在的的問題，在逼近能力、分類能力和學(xué)習(xí)速度等方面均優(yōu)于BP網(wǎng)絡(luò)。為機(jī)務(wù)人員提供了有效的、科學(xué)的發(fā)動(dòng)機(jī)故障診斷方法，該種評(píng)估手段較好地解決了發(fā)動(dòng)機(jī)故障診斷問題，在飛行安全中發(fā)揮著越來越大的作用。

標(biāo)簽： 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 發(fā)動(dòng)機(jī) 故障診斷飛機(jī)

上傳時(shí)間： 2014-12-23

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工業(yè)監(jiān)控和便攜式儀器的6通道SAR型ADC

14 位 LTC®2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC，具有 6 個(gè)同時(shí)采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源，並具有 6 個(gè)獨(dú)立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個(gè) ADC。

標(biāo)簽： SAR ADC 工業(yè)監(jiān)控便攜式

上傳時(shí)間： 2013-11-16

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MT-022 ADC架構(gòu)III：Σ-Δ型ADC基礎(chǔ)

-型ADC是現(xiàn)代語音頻帶、音頻和高分辨率精密工業(yè)測(cè)量應(yīng)用所青睞的轉(zhuǎn)換器。

標(biāo)簽： ADC 022 III MT

上傳時(shí)間： 2013-11-14

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MT-021 ADC架構(gòu)II：逐次逼近型ADC

數(shù)年以來，逐次逼近型ADC一直是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的主要依靠

標(biāo)簽： ADC 021 MT 架構(gòu)

上傳時(shí)間： 2013-10-28

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MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失

用于定量表示ADC動(dòng)態(tài)性能的常用指標(biāo)有六個(gè)，分別是：SINAD(信納比)、ENOB(有效位數(shù))、SNR(信噪比)、THD(總諧波失真)、THD + N(總諧波失真加噪聲)和SFDR(無雜散動(dòng)態(tài) 范圍)

標(biāo)簽： THD SINAD ENOB SFDR

上傳時(shí)間： 2014-01-22

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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-08-01

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基于F1596的乘積型混頻器電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

針對(duì)混頻器在接收機(jī)電路中的重要性，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一種基于F1596的乘積型混頻器電路。為使該電路能夠輸出頻率穩(wěn)定的信號(hào)，在電路設(shè)計(jì)中采用鑒頻器取樣控制VCO產(chǎn)生的本振信號(hào)，使該電路具有頻譜純凈、失真度小、輸出穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，滿足了接收機(jī)混頻器的使用要求。

標(biāo)簽： F1596 混頻器電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-01-18

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電流型運(yùn)算放大器在應(yīng)用電路中的特性研究

　　文中簡(jiǎn)要介紹了電流型運(yùn)放的特性，著重對(duì)電流型運(yùn)放的應(yīng)用電路進(jìn)行測(cè)試，研究電流型運(yùn)放的應(yīng)用特性。實(shí)驗(yàn)中，選擇典型電流型運(yùn)放及電壓型運(yùn)放構(gòu)建負(fù)阻變換器、電壓跟隨器和同相比例放大器，通過對(duì)此3類應(yīng)用電路的測(cè)試，分析、總結(jié)運(yùn)放參數(shù)對(duì)特殊應(yīng)用電路的影響，為電路設(shè)計(jì)者在具體電路的設(shè)計(jì)中恰當(dāng)選擇適合的放大器提供參考。

標(biāo)簽： 電流型應(yīng)用電路運(yùn)算放大器

上傳時(shí)間： 2013-10-18

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CoolMOS導(dǎo)通電阻分析及與VDMOS的比較

為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結(jié)構(gòu),稱為超級(jí)結(jié)器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導(dǎo)體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時(shí),由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場(chǎng)產(chǎn)生相互補(bǔ)償效應(yīng),使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會(huì)引起器件擊穿電壓的下降。導(dǎo)通時(shí),這種高濃度的摻雜使器件的導(dǎo)通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨(dú)特器件結(jié)構(gòu),使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對(duì)CoolMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系的理論計(jì)算表明,對(duì)CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對(duì)縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關(guān)系相比,CoolMOS 的導(dǎo)通電阻降低了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。

標(biāo)簽： CoolMOS VDMOS 導(dǎo)通電阻分

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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CoolMos的原理、結(jié)構(gòu)及制造

對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

標(biāo)簽： CoolMos 制造

上傳時(shí)間： 2013-11-11

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