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  • 摘要:對基于彈載IMU/C:PS組合導(dǎo)航系統(tǒng)的動基座對準問題進行了研究與仿真 首先

    摘要:對基于彈載IMU/C:PS組合導(dǎo)航系統(tǒng)的動基座對準問題進行了研究與仿真 首先，分析了彈載IMU與GI S的系統(tǒng)誤差，建 立獲得了其系統(tǒng)誤差模型 然后，利用卡爾曼濾波技術(shù)，設(shè)計了彈載IMU/UPS組合導(dǎo)航系統(tǒng)的動基座對準算法 仿真結(jié)果表明，在初 始誤差較大的情況下，經(jīng)過36。秒的動基座對準，IMU的姿態(tài)角誤差可降至10個角秒，同時位置和速度誤差也得到了有效修正，從而 證明該動基座對準算法是行之有效的 關(guān)} i}慣性測量裝} <IMU)。全球定位系統(tǒng)<GPS) 動基座對準 卡爾曼濾波

    標簽： IMU 組合導(dǎo)航 基座

    上傳時間： 2013-12-29

    上傳用戶：yepeng139

  • IMU姿態(tài)跟蹤

    IMU姿態(tài)跟蹤，利用粒子濾波器實現(xiàn)，可用于機器人姿態(tài)確定

    標簽： IMU

    上傳時間： 2017-08-28

    上傳用戶：klin3139

  • lpc2148 communicate with IMU ADIS16350 through SPI

    lpc2148 communicate with IMU ADIS16350 through SPI

    標簽： communicate through 16350 2148

    上傳時間： 2017-09-19

    上傳用戶：大三三

  • 用于MEMS器件芯片級封裝的金-硅鍵合技術(shù)研究

    用于MEMS芯片封蓋保護的金-硅鍵合新結(jié)構(gòu)，與器件制造工藝兼容!鍵合溫度低!有足夠的鍵合強度，不損壞器件結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了MEMS器件的芯片級封裝。

    標簽： MEMS 器件 芯片級封裝 硅 技術(shù)研究 鍵合

    上傳時間： 2016-07-26

    上傳用戶：leishenzhichui

  • 一種基于BCB鍵合技術(shù)的新型MEMS圓片級封裝工藝

    選用4000系列BCB材料進行MEMS傳感器的粘接鍵合工藝試驗，解決了圓片級封裝問題，采用該技術(shù)成功加工出具有三層結(jié)構(gòu)的圓片級封裝某種慣性壓阻類傳感器。依據(jù)標準GJB548A對其進行了剪切強度和檢漏測試，測得封裝樣品漏率小于5×10pa·cm3／s，鍵合強度大于49 N，滿足考核要求。

    標簽： MEMS BCB 鍵合 圓片級 封裝工藝

    上傳時間： 2016-07-26

    上傳用戶：leishenzhichui

  • 焊料鍵合實現(xiàn)MEMS真空封裝的模擬

    結(jié)合典型的焊料鍵合MEMS真空封裝工藝，應(yīng)用真空物理的相關(guān)理論，建立了封裝腔體的真空度與氣體吸附和解吸、氣體的滲透、材料的蒸氣壓、氣體通過小孔的流動等的數(shù)學(xué)模型，確定了其數(shù)值模擬的算法．通過實驗初步驗證了模擬結(jié)果的準確性，分析了毛細孔尺寸對腔體和烘箱真空度的影響，實現(xiàn)了MEMS器件真空封裝工藝的參數(shù)化建模與模擬和仿真優(yōu)化設(shè)計．

    標簽： MEMS 焊料 封裝 模擬 鍵合

    上傳時間： 2016-07-26

    上傳用戶：leishenzhichui

  • MEMS中的封裝技術(shù)研究

    MEMS中的封裝工藝與半導(dǎo)體工藝中的封裝具有一定的相似性!因此!早期MEMS的封裝 大多借用半導(dǎo)體中現(xiàn)成的工藝%本文首先介紹了封裝的主要形式!然后著重闡述了晶圓級封裝與芯片級封裝&!’%最后給出了一些商業(yè)化的實例%

    標簽： MEMS 封裝 技術(shù)研究

    上傳時間： 2016-07-26

    上傳用戶：leishenzhichui

  • MEMS真空熔焊封裝工藝研究

    MEMS真空封裝是提高MEMS慣性器件性能的主要手段。本文應(yīng)用實驗方法，在真空熔焊工藝設(shè)備上研究了MEMS器件金屬外殼真空封裝工藝。對不同鍍層結(jié)構(gòu)的外殼進行了封裝實驗比較和氣密性測試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，金屬外殼表面鍍Ni和鍍Au或管座表面鍍Ni和Au、管帽表面鍍Ni可有效的提高真空封裝的氣密性和可靠性，其氣密性優(yōu)于5×10-9 Pa·m3／s。封裝樣品的高低溫循環(huán)實驗和真空保持特性的測量結(jié)果說明，金屬外殼真空熔焊工藝可基本滿足MEMS器件真空封裝工藝的要求，并測得真空度為5 Pa—15 Pa左右。MEMS陀螺儀的封裝應(yīng)用也說明了工藝的可行性。

    標簽： MEMS 熔焊 封裝工藝

    上傳時間： 2016-07-26

    上傳用戶：leishenzhichui

  • MEMS陀螺在紅外成像系統(tǒng)中的研究應(yīng)用

    MEMS陀螺在紅外成像系統(tǒng)中的研究應(yīng)用_韓穎

    標簽： MEMS 陀螺 紅外成像系統(tǒng)

    上傳時間： 2017-01-17

    上傳用戶：llw_qingquan

  • 基于MEMS陀螺儀的實時電子穩(wěn)像技術(shù)_范永杰

    基于MEMS陀螺儀的實時電子穩(wěn)像技術(shù)_范永杰

    標簽： MEMS 陀螺儀 電子穩(wěn)像

    上傳時間： 2017-01-17

    上傳用戶：llw_qingquan

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